X-ray excited luminescence of ytterbium containing YAG single crystalline films
Luminescence properties of ytterbium ions in of У₃AI₅О₁₂ (УAG) epitaxial films have been investigated. The influence of growth conditions on the change of activator ions charge state and the luminescence in visible spectral region has been demonstrated. It has been established that emission bands wi...
Збережено в:
Дата: | 2005 |
---|---|
Автори: | , , , , |
Формат: | Стаття |
Мова: | English |
Опубліковано: |
НТК «Інститут монокристалів» НАН України
2005
|
Назва видання: | Functional Materials |
Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/137252 |
Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
Цитувати: | X-ray excited luminescence of ytterbium containing YAG single crystalline films / Ya.M. Zakharko, A.P. Luchechko, I.M. Syvorotka, I.I. Syvorotka, S.B. Ubizskii // Functional Materials. — 2005. — Т. 12, № 2. — С. 274-277. — Бібліогр.: 8 назв. — англ. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraineid |
irk-123456789-137252 |
---|---|
record_format |
dspace |
spelling |
irk-123456789-1372522018-06-18T03:08:02Z X-ray excited luminescence of ytterbium containing YAG single crystalline films Zakharko, Ya.M. Luchechko, A.P. Syvorotka, I.M. Syvorotka, I.I. Ubizskii, S.B. Luminescence properties of ytterbium ions in of У₃AI₅О₁₂ (УAG) epitaxial films have been investigated. The influence of growth conditions on the change of activator ions charge state and the luminescence in visible spectral region has been demonstrated. It has been established that emission bands with maxima at 480 and 580 nm are attributed to the 5d-4f transitions of Уb²⁺ ions. The emission bands with maxima at 330 nm and 500 nm correspond to transitions from charge transfer state to ²F₇/₂ and and ²F₅/₂ state of Уb³⁺ ions, respectively. Проведено исследование люминесцентных свойств ионов иттербия в эпитаксиальных пленках У₃AI₅О₁₂ (УAG). Показано влияние условий выращивания на изменение зарядового состояния ионов активатора и его свечения в видимой области спектра. Установлено, что люминесценция в полосах с максимумами при 480 нм и 580 нм в эпитаксиальных пленках УAG:Уb приписывается 5d-4f переходам ионов Уb²⁺. Полосы свечения с максимумами при 330 и 500 нм отвечают переходам из состояния переноса заряда соответственно на уровни ²F₇/₂ и ²F₅/₂ ионов Уb³⁺. Проведено дослiдження люмiнесцентних властивостей iонiв iтербiю в епiтаксiйних плiвках У₃AI₅О₁₂ (УAG). Показано вплив умов вирощування на змiну зарядового стану iонiв активатора та його свiчення у видимiй областi спектра. Встановлено, що люмiнеcценцiя в смугах з максимумами при 480 нм i 580 нм приписується 5d-4f переходам iонiв Уb²⁺. Смуги свiчення з максимумами при 330 i 500 нм вiдповiдають переходам зi стану перенесення заряду вiдповiдно на рiвнi ²F₇/₂ i ²F₅/₂ iонiв Уb³⁺. 2005 Article X-ray excited luminescence of ytterbium containing YAG single crystalline films / Ya.M. Zakharko, A.P. Luchechko, I.M. Syvorotka, I.I. Syvorotka, S.B. Ubizskii // Functional Materials. — 2005. — Т. 12, № 2. — С. 274-277. — Бібліогр.: 8 назв. — англ. 1027-5495 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/137252 en Functional Materials НТК «Інститут монокристалів» НАН України |
institution |
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
collection |
DSpace DC |
language |
English |
description |
Luminescence properties of ytterbium ions in of У₃AI₅О₁₂ (УAG) epitaxial films have been investigated. The influence of growth conditions on the change of activator ions charge state and the luminescence in visible spectral region has been demonstrated. It has been established that emission bands with maxima at 480 and 580 nm are attributed to the 5d-4f transitions of Уb²⁺ ions. The emission bands with maxima at 330 nm and 500 nm correspond to transitions from charge transfer state to ²F₇/₂ and and ²F₅/₂ state of Уb³⁺ ions, respectively. |
format |
Article |
author |
Zakharko, Ya.M. Luchechko, A.P. Syvorotka, I.M. Syvorotka, I.I. Ubizskii, S.B. |
spellingShingle |
Zakharko, Ya.M. Luchechko, A.P. Syvorotka, I.M. Syvorotka, I.I. Ubizskii, S.B. X-ray excited luminescence of ytterbium containing YAG single crystalline films Functional Materials |
author_facet |
Zakharko, Ya.M. Luchechko, A.P. Syvorotka, I.M. Syvorotka, I.I. Ubizskii, S.B. |
author_sort |
Zakharko, Ya.M. |
title |
X-ray excited luminescence of ytterbium containing YAG single crystalline films |
title_short |
X-ray excited luminescence of ytterbium containing YAG single crystalline films |
title_full |
X-ray excited luminescence of ytterbium containing YAG single crystalline films |
title_fullStr |
X-ray excited luminescence of ytterbium containing YAG single crystalline films |
title_full_unstemmed |
X-ray excited luminescence of ytterbium containing YAG single crystalline films |
title_sort |
x-ray excited luminescence of ytterbium containing yag single crystalline films |
publisher |
НТК «Інститут монокристалів» НАН України |
publishDate |
2005 |
url |
http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/137252 |
citation_txt |
X-ray excited luminescence of ytterbium containing YAG single crystalline films / Ya.M. Zakharko, A.P. Luchechko, I.M. Syvorotka, I.I. Syvorotka, S.B. Ubizskii // Functional Materials. — 2005. — Т. 12, № 2. — С. 274-277. — Бібліогр.: 8 назв. — англ. |
series |
Functional Materials |
work_keys_str_mv |
AT zakharkoyam xrayexcitedluminescenceofytterbiumcontainingyagsinglecrystallinefilms AT luchechkoap xrayexcitedluminescenceofytterbiumcontainingyagsinglecrystallinefilms AT syvorotkaim xrayexcitedluminescenceofytterbiumcontainingyagsinglecrystallinefilms AT syvorotkaii xrayexcitedluminescenceofytterbiumcontainingyagsinglecrystallinefilms AT ubizskiisb xrayexcitedluminescenceofytterbiumcontainingyagsinglecrystallinefilms |
first_indexed |
2023-10-18T21:15:24Z |
last_indexed |
2023-10-18T21:15:24Z |
_version_ |
1796152332829851648 |