X-ray excited luminescence of ytterbium containing YAG single crystalline films

Luminescence properties of ytterbium ions in of У₃AI₅О₁₂ (УAG) epitaxial films have been investigated. The influence of growth conditions on the change of activator ions charge state and the luminescence in visible spectral region has been demonstrated. It has been established that emission bands wi...

Повний опис

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Дата:2005
Автори: Zakharko, Ya.M., Luchechko, A.P., Syvorotka, I.M., Syvorotka, I.I., Ubizskii, S.B.
Формат: Стаття
Мова:English
Опубліковано: НТК «Інститут монокристалів» НАН України 2005
Назва видання:Functional Materials
Онлайн доступ:http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/137252
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:X-ray excited luminescence of ytterbium containing YAG single crystalline films / Ya.M. Zakharko, A.P. Luchechko, I.M. Syvorotka, I.I. Syvorotka, S.B. Ubizskii // Functional Materials. — 2005. — Т. 12, № 2. — С. 274-277. — Бібліогр.: 8 назв. — англ.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
id irk-123456789-137252
record_format dspace
spelling irk-123456789-1372522018-06-18T03:08:02Z X-ray excited luminescence of ytterbium containing YAG single crystalline films Zakharko, Ya.M. Luchechko, A.P. Syvorotka, I.M. Syvorotka, I.I. Ubizskii, S.B. Luminescence properties of ytterbium ions in of У₃AI₅О₁₂ (УAG) epitaxial films have been investigated. The influence of growth conditions on the change of activator ions charge state and the luminescence in visible spectral region has been demonstrated. It has been established that emission bands with maxima at 480 and 580 nm are attributed to the 5d-4f transitions of Уb²⁺ ions. The emission bands with maxima at 330 nm and 500 nm correspond to transitions from charge transfer state to ²F₇/₂ and and ²F₅/₂ state of Уb³⁺ ions, respectively. Проведено исследование люминесцентных свойств ионов иттербия в эпитаксиальных пленках У₃AI₅О₁₂ (УAG). Показано влияние условий выращивания на изменение зарядового состояния ионов активатора и его свечения в видимой области спектра. Установлено, что люминесценция в полосах с максимумами при 480 нм и 580 нм в эпитаксиальных пленках УAG:Уb приписывается 5d-4f переходам ионов Уb²⁺. Полосы свечения с максимумами при 330 и 500 нм отвечают переходам из состояния переноса заряда соответственно на уровни ²F₇/₂ и ²F₅/₂ ионов Уb³⁺. Проведено дослiдження люмiнесцентних властивостей iонiв iтербiю в епiтаксiйних плiвках У₃AI₅О₁₂ (УAG). Показано вплив умов вирощування на змiну зарядового стану iонiв активатора та його свiчення у видимiй областi спектра. Встановлено, що люмiнеcценцiя в смугах з максимумами при 480 нм i 580 нм приписується 5d-4f переходам iонiв Уb²⁺. Смуги свiчення з максимумами при 330 i 500 нм вiдповiдають переходам зi стану перенесення заряду вiдповiдно на рiвнi ²F₇/₂ i ²F₅/₂ iонiв Уb³⁺. 2005 Article X-ray excited luminescence of ytterbium containing YAG single crystalline films / Ya.M. Zakharko, A.P. Luchechko, I.M. Syvorotka, I.I. Syvorotka, S.B. Ubizskii // Functional Materials. — 2005. — Т. 12, № 2. — С. 274-277. — Бібліогр.: 8 назв. — англ. 1027-5495 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/137252 en Functional Materials НТК «Інститут монокристалів» НАН України
institution Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
collection DSpace DC
language English
description Luminescence properties of ytterbium ions in of У₃AI₅О₁₂ (УAG) epitaxial films have been investigated. The influence of growth conditions on the change of activator ions charge state and the luminescence in visible spectral region has been demonstrated. It has been established that emission bands with maxima at 480 and 580 nm are attributed to the 5d-4f transitions of Уb²⁺ ions. The emission bands with maxima at 330 nm and 500 nm correspond to transitions from charge transfer state to ²F₇/₂ and and ²F₅/₂ state of Уb³⁺ ions, respectively.
format Article
author Zakharko, Ya.M.
Luchechko, A.P.
Syvorotka, I.M.
Syvorotka, I.I.
Ubizskii, S.B.
spellingShingle Zakharko, Ya.M.
Luchechko, A.P.
Syvorotka, I.M.
Syvorotka, I.I.
Ubizskii, S.B.
X-ray excited luminescence of ytterbium containing YAG single crystalline films
Functional Materials
author_facet Zakharko, Ya.M.
Luchechko, A.P.
Syvorotka, I.M.
Syvorotka, I.I.
Ubizskii, S.B.
author_sort Zakharko, Ya.M.
title X-ray excited luminescence of ytterbium containing YAG single crystalline films
title_short X-ray excited luminescence of ytterbium containing YAG single crystalline films
title_full X-ray excited luminescence of ytterbium containing YAG single crystalline films
title_fullStr X-ray excited luminescence of ytterbium containing YAG single crystalline films
title_full_unstemmed X-ray excited luminescence of ytterbium containing YAG single crystalline films
title_sort x-ray excited luminescence of ytterbium containing yag single crystalline films
publisher НТК «Інститут монокристалів» НАН України
publishDate 2005
url http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/137252
citation_txt X-ray excited luminescence of ytterbium containing YAG single crystalline films / Ya.M. Zakharko, A.P. Luchechko, I.M. Syvorotka, I.I. Syvorotka, S.B. Ubizskii // Functional Materials. — 2005. — Т. 12, № 2. — С. 274-277. — Бібліогр.: 8 назв. — англ.
series Functional Materials
work_keys_str_mv AT zakharkoyam xrayexcitedluminescenceofytterbiumcontainingyagsinglecrystallinefilms
AT luchechkoap xrayexcitedluminescenceofytterbiumcontainingyagsinglecrystallinefilms
AT syvorotkaim xrayexcitedluminescenceofytterbiumcontainingyagsinglecrystallinefilms
AT syvorotkaii xrayexcitedluminescenceofytterbiumcontainingyagsinglecrystallinefilms
AT ubizskiisb xrayexcitedluminescenceofytterbiumcontainingyagsinglecrystallinefilms
first_indexed 2023-10-18T21:15:24Z
last_indexed 2023-10-18T21:15:24Z
_version_ 1796152332829851648