Определение низкоэнергетических электронных уровней иона Tm³⁺ в соединении KTm(MoO₄)₂
С ипользованием комплексной методики измерений восстановлена структура электронных энергетических уровней иона Tm³⁺ в кристалле KTm(MoO₄)₂ в диапазоне частот 0-300см⁻¹. Показано, что первое возбужденное состояние находится очень близко к основному (ΔE = 2,3 см⁻¹)....
Збережено в:
| Дата: | 1999 |
|---|---|
| Автори: | , , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Russian |
| Опубліковано: |
Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
1999
|
| Назва видання: | Физика низких температур |
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/137792 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Определение низкоэнергетических электронных уровней иона Tm³⁺ в соединении KTm(MoO₄)₂ / М.И. Кобец, В.В. Курносов, В.А. Пащенко, Е.Н. Хацько // Физика низких температур. — 1999. — Т. 25, № 5. — С. 512-514. — Бібліогр.: 6 назв. — рос. |