Piezoresistive properties of boron-doped silicon whiskers at cryogenic temperatures
Piezoresistive properties of boron-doped p-type silicon whiskers in temperature range of 1.7 to 300 K were studied. The giant piezoresistance was observed in p-Si whiskers in the vicinity of metal-insulator transition at helium temperatures. The gauge factor dependence on impurity concentration and...
Збережено в:
| Дата: | 2004 |
|---|---|
| Автори: | , , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | English |
| Опубліковано: |
НТК «Інститут монокристалів» НАН України
2004
|
| Назва видання: | Functional Materials |
| Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/138789 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Piezoresistive properties of boron-doped silicon whiskers at cryogenic temperatures/ A.A. Druzhinin, I.I. Maryamova, I.V. Pavlovskyy, T. Palewski// Functional Materials. — 2004. — Т. 11, № 2. — С. 268-272. — Бібліогр.: 10 назв. — англ. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| id |
irk-123456789-138789 |
|---|---|
| record_format |
dspace |
| spelling |
irk-123456789-1387892018-06-20T03:04:09Z Piezoresistive properties of boron-doped silicon whiskers at cryogenic temperatures Druzhinin, A.A. Maryamova, I.I. Pavlovskyy, I.V. Palewski, T. Piezoresistive properties of boron-doped p-type silicon whiskers in temperature range of 1.7 to 300 K were studied. The giant piezoresistance was observed in p-Si whiskers in the vicinity of metal-insulator transition at helium temperatures. The gauge factor dependence on impurity concentration and temperature has been investigated. The extremely high gauge factor 5.7-105 at 4.2 K has been found in moderately doped silicon microcrystals with boron concentration 3-1018 cm-3 in the vicinity of metal-insulator transition at the insulating side. The possibility of application of giant piezoresistance to develop high-sensitive mechanical sensors operating, at cryogenic temperatures is discussed. Исследованы пьезорезистивные свойства нитевидных кристаллов кремния, легированных бором, в диапазоне температур 1,7-300 К. Гигантский пьезорезистивный эффект в нитевидных кристаллах p-Si наблюдался вблизи перехода металл-изолятор при гелиевых температурах. Исследовалась зависимость коэффициента тензочуствительнос-ти от концентрации примеси и температуры. Экстремально высокий коэффициент тен-зочувствительности 5,7-105 при 4,2 К был обнаружен в микрокристаллах кремния с промежуточным уровнем легирования с концентрацией бора 3-1018 cм-3 вблизи перехода металл-изолятор со стороны изолятора. Обсуждается возможность использования гигантского пьезосопротивления для создания высокочувствительных сенсоров механических величин, работоспособных при криогенных температурах. Досліджєно п’єзорєзистивні властивості ниткоподібних кристалів крємнію, легованих бором, в діапазоні температур 1,7-300 К. Гігантський п’єзорезистивний ефект у ниткоподібних кристалах p-Si спостерігався поблизу переходу метал-ізолятор при гелієвих температурах. Досліджено залежність коефіцієнту тензочутливості від концетрації домішок і температури. Екстремально високий коефіцієнт тензочутливості 5,7-105 при 4,2 К був знайдений у мікрокристалах кремнію з проміжним рівнем легування з концентрацією бору 3-1018 cм-3 поблизу переходу метал-ізолятор з боку ізолятора. Обговорюється можливість використання гігантського п’єзоопору для створення високочутливих сенсорів механічних величин, працездатних при кріогенних температурах. 2004 Article Piezoresistive properties of boron-doped silicon whiskers at cryogenic temperatures/ A.A. Druzhinin, I.I. Maryamova, I.V. Pavlovskyy, T. Palewski// Functional Materials. — 2004. — Т. 11, № 2. — С. 268-272. — Бібліогр.: 10 назв. — англ. 1027-5495 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/138789 en Functional Materials НТК «Інститут монокристалів» НАН України |
| institution |
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| collection |
DSpace DC |
| language |
English |
| description |
Piezoresistive properties of boron-doped p-type silicon whiskers in temperature range of 1.7 to 300 K were studied. The giant piezoresistance was observed in p-Si whiskers in the vicinity of metal-insulator transition at helium temperatures. The gauge factor dependence on impurity concentration and temperature has been investigated. The extremely high gauge factor 5.7-105 at 4.2 K has been found in moderately doped silicon microcrystals with boron concentration 3-1018 cm-3 in the vicinity of metal-insulator transition at the insulating side. The possibility of application of giant piezoresistance to develop high-sensitive mechanical sensors operating, at cryogenic temperatures is discussed. |
| format |
Article |
| author |
Druzhinin, A.A. Maryamova, I.I. Pavlovskyy, I.V. Palewski, T. |
| spellingShingle |
Druzhinin, A.A. Maryamova, I.I. Pavlovskyy, I.V. Palewski, T. Piezoresistive properties of boron-doped silicon whiskers at cryogenic temperatures Functional Materials |
| author_facet |
Druzhinin, A.A. Maryamova, I.I. Pavlovskyy, I.V. Palewski, T. |
| author_sort |
Druzhinin, A.A. |
| title |
Piezoresistive properties of boron-doped silicon whiskers at cryogenic temperatures |
| title_short |
Piezoresistive properties of boron-doped silicon whiskers at cryogenic temperatures |
| title_full |
Piezoresistive properties of boron-doped silicon whiskers at cryogenic temperatures |
| title_fullStr |
Piezoresistive properties of boron-doped silicon whiskers at cryogenic temperatures |
| title_full_unstemmed |
Piezoresistive properties of boron-doped silicon whiskers at cryogenic temperatures |
| title_sort |
piezoresistive properties of boron-doped silicon whiskers at cryogenic temperatures |
| publisher |
НТК «Інститут монокристалів» НАН України |
| publishDate |
2004 |
| url |
http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/138789 |
| citation_txt |
Piezoresistive properties of boron-doped silicon whiskers at cryogenic temperatures/ A.A. Druzhinin, I.I. Maryamova, I.V. Pavlovskyy, T. Palewski// Functional Materials. — 2004. — Т. 11, № 2. — С. 268-272. — Бібліогр.: 10 назв. — англ. |
| series |
Functional Materials |
| work_keys_str_mv |
AT druzhininaa piezoresistivepropertiesofborondopedsiliconwhiskersatcryogenictemperatures AT maryamovaii piezoresistivepropertiesofborondopedsiliconwhiskersatcryogenictemperatures AT pavlovskyyiv piezoresistivepropertiesofborondopedsiliconwhiskersatcryogenictemperatures AT palewskit piezoresistivepropertiesofborondopedsiliconwhiskersatcryogenictemperatures |
| first_indexed |
2023-10-18T21:18:07Z |
| last_indexed |
2023-10-18T21:18:07Z |
| _version_ |
1796152450611150848 |