Photoelectric memory in 6H-SiC
In the investigated structures, the phenomenon of photoelectric memory is observed connected with the increase of a dark current by about 3 decimal orders and retained for a long time after the structure illumination with light of E = 3 eV energy at T = 300 K. The current-voltage characteristic is I...
Збережено в:
| Видавець: | НТК «Інститут монокристалів» НАН України |
|---|---|
| Дата: | 2004 |
| Автор: | |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | English |
| Опубліковано: |
НТК «Інститут монокристалів» НАН України
2004
|
| Назва видання: | Functional Materials |
| Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/138804 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Цитувати: | Photoelectric memory in 6H-SiC / M. Duisenbaev // Functional Materials. — 2004. — Т. 11, № 2. — С. 372-375. — Бібліогр.: 13 назв. — англ. |
Репозиторії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| id |
irk-123456789-138804 |
|---|---|
| record_format |
dspace |
| spelling |
irk-123456789-1388042018-06-20T03:05:44Z Photoelectric memory in 6H-SiC Duisenbaev, M. In the investigated structures, the phenomenon of photoelectric memory is observed connected with the increase of a dark current by about 3 decimal orders and retained for a long time after the structure illumination with light of E = 3 eV energy at T = 300 K. The current-voltage characteristic is I ~ Vn, where n = 4.3. Optical and temperature quenching of photoconductivity were observed. Within a narrow range of light intensity, the lux-current characteristic shows a superlinear dependence with к = 4 then passing into a sublinear one with к = 0.7. The observable maximum relaxation time of residual conductivity is т = 5-104 s. Under illumination with light of energy E = 1.1 to 2 eV, the structure exhibits a sharp reduction of т. As the voltage applied to the structure increases, т decreases. В исследованных структурах наблюдается явление фотоэлектрической памяти, связанное с возрастанием темнового тока на 3 порядка и сохраняющееся в течение длительного времени после освещения структуры светом с энергией Е = 3 эВ при Т = 300°K. Вольт-амперная характеристика I ~ Vа, где n = 4.3. Наблюдались оптическое и температурное гашение фотопроводимости. В узкой области изменения интенсивности света на люкс-амперной характеристике имеется суперлинейная зависимость с показателем к = 4, а затем переходящей в сублинейный участок с к = 0.7. Максимально наблюдаемое время релаксации остаточной проводимости т = 5-104 с. Освещение структуры светом с энергией Е = 1.1-2 эВ приводит к резкому уменьшению т. С увеличением приложенного напряжения к структуре т уменьшается. У досліджєних структурах спостерігається явище фотоелектричної пам’яті пов’язане зі зростанням темнового струму на 3 порядки, яке зберігається протягом тривалого часу після освітлення структури світлом з енергією E = 3 еВ при T = 300 К. Вольт-ам-перна характеристика I ~ Vі, де n = 4.3. Спостерігалося оптичне й температурне гасіння фотопровідності. У вузькій області зміни інтенсивності світла на люкс-амперній характеристиці має місце суперлінійна залежність з показником к = 4, яка потім переходить у сублінійну дільницю з к = 0.7. Максимальний спостережений час релаксації залишкової провідності т = 5-104 с. Освітлення структури світлом з енергією E = 1,12 еВ викликає різке зменшення т. При зростанні прикладеної до структури напруги т зменшується. 2004 Article Photoelectric memory in 6H-SiC / M. Duisenbaev // Functional Materials. — 2004. — Т. 11, № 2. — С. 372-375. — Бібліогр.: 13 назв. — англ. 1027-5495 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/138804 en Functional Materials НТК «Інститут монокристалів» НАН України |
| institution |
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| collection |
DSpace DC |
| language |
English |
| description |
In the investigated structures, the phenomenon of photoelectric memory is observed connected with the increase of a dark current by about 3 decimal orders and retained for a long time after the structure illumination with light of E = 3 eV energy at T = 300 K. The current-voltage characteristic is I ~ Vn, where n = 4.3. Optical and temperature quenching of photoconductivity were observed. Within a narrow range of light intensity, the lux-current characteristic shows a superlinear dependence with к = 4 then passing into a sublinear one with к = 0.7. The observable maximum relaxation time of residual conductivity is т = 5-104 s. Under illumination with light of energy E = 1.1 to 2 eV, the structure exhibits a sharp reduction of т. As the voltage applied to the structure increases, т decreases. |
| format |
Article |
| author |
Duisenbaev, M. |
| spellingShingle |
Duisenbaev, M. Photoelectric memory in 6H-SiC Functional Materials |
| author_facet |
Duisenbaev, M. |
| author_sort |
Duisenbaev, M. |
| title |
Photoelectric memory in 6H-SiC |
| title_short |
Photoelectric memory in 6H-SiC |
| title_full |
Photoelectric memory in 6H-SiC |
| title_fullStr |
Photoelectric memory in 6H-SiC |
| title_full_unstemmed |
Photoelectric memory in 6H-SiC |
| title_sort |
photoelectric memory in 6h-sic |
| publisher |
НТК «Інститут монокристалів» НАН України |
| publishDate |
2004 |
| url |
http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/138804 |
| citation_txt |
Photoelectric memory in 6H-SiC / M. Duisenbaev // Functional Materials. — 2004. — Т. 11, № 2. — С. 372-375. — Бібліогр.: 13 назв. — англ. |
| series |
Functional Materials |
| work_keys_str_mv |
AT duisenbaevm photoelectricmemoryin6hsic |
| first_indexed |
2023-10-18T21:18:36Z |
| last_indexed |
2023-10-18T21:18:36Z |
| _version_ |
1796152473103106048 |