Crystallization process in thin stoichiometric GeSbTe films

Crystallization process in thin stoichiometric GeSbTe films

The crystallization kinetics of Ge₁Sb₂Тe₄ and Ge₂Sb₂Тe₅ films has been analyzed using results of impedance measurements, in which Bruggerman's effective medium approximation was employed, considering that the amorphous matrix contained inclusions of two different crystalline phases. To vali...

Повний опис

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Видавець:НТК «Інститут монокристалів» НАН України
Дата:2005
Автори: Claudio, D., Laine, B., Licea, O., Morales-Sanchez, E., Prokhorov, E., Trapaga, G.
Формат: Стаття
Мова:English
Опубліковано: НТК «Інститут монокристалів» НАН України 2005
Назва видання:Functional Materials
Онлайн доступ:http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/138877
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Цитувати:Crystallization process in thin stoichiometric GeSbTe films / D. Claudio, B. Laine, O. Licea, E. Morales-Sanchez, E. Prokhorov, G. Trapaga // Functional Materials. — 2005. — Т. 12, № 4. — С. 669-673. — Бібліогр.: 13 назв. — англ.

Репозиторії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
id irk-123456789-138877
record_format dspace
spelling irk-123456789-1388772018-06-20T03:03:12Z Crystallization process in thin stoichiometric GeSbTe films Claudio, D. Laine, B. Licea, O. Morales-Sanchez, E. Prokhorov, E. Trapaga, G. The crystallization kinetics of Ge₁Sb₂Тe₄ and Ge₂Sb₂Тe₅ films has been analyzed using results of impedance measurements, in which Bruggerman's effective medium approximation was employed, considering that the amorphous matrix contained inclusions of two different crystalline phases. To validate the predictions from analytical model, we compared those with experimental results obtained for Ge₁Sb₂Тe₄ and Ge₂Sb₂Тe₅ films. The proposed analytical model allows us to simulate similar transformation curves as those obtained from the experiments in different materials. Кiнетику процесiв кристалiзацii у плiвках Ge₁Sb₂Тe₄ и Ge₂Sb₂Тe₅ проаналiзовано за допомогою вимiрювань iмпедансу з використанням наближення Бруггермана, яке бере до уваги наявнiсть включень двох рiзних кристалiчних фаз в аморфнiй матрицi. Прогнози аналiтичноi моделi зiставлено з експериментальними результатами для Ge₁Sb₂Тe₄ та Ge₂Sb₂Тe₅ . 3апропонована аналiтична модель дозволяє моделювати кривi фазових перетворень, аналогiчнi одержаним експериментально для рiзних матерiалiв. Кинетика процессов кристаллизации в пленках Ge₁Sb₂Тe₄ и Ge₂Sb₂Тe₅ проанализирована с помощью измерений импеданса с использованием приближения Бруггермана, учитывающего наличие включений двух различных кристаллических фаз в аморфной матрице. Предсказания аналитической модели сравнены с экспериментальными результатами для Ge₁Sb₂Тe₄ и Ge₂Sb₂Тe₅. Предложенная аналитическая модель позволяет моделировать кривые фазовых превращений, подобные полученным экспериментально для различных материалов. 2005 Article Crystallization process in thin stoichiometric GeSbTe films / D. Claudio, B. Laine, O. Licea, E. Morales-Sanchez, E. Prokhorov, G. Trapaga // Functional Materials. — 2005. — Т. 12, № 4. — С. 669-673. — Бібліогр.: 13 назв. — англ. 1027-5495 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/138877 en Functional Materials НТК «Інститут монокристалів» НАН України
institution Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
collection DSpace DC
language English
description The crystallization kinetics of Ge₁Sb₂Тe₄ and Ge₂Sb₂Тe₅ films has been analyzed using results of impedance measurements, in which Bruggerman's effective medium approximation was employed, considering that the amorphous matrix contained inclusions of two different crystalline phases. To validate the predictions from analytical model, we compared those with experimental results obtained for Ge₁Sb₂Тe₄ and Ge₂Sb₂Тe₅ films. The proposed analytical model allows us to simulate similar transformation curves as those obtained from the experiments in different materials.
format Article
author Claudio, D.
Laine, B.
Licea, O.
Morales-Sanchez, E.
Prokhorov, E.
Trapaga, G.
spellingShingle Claudio, D.
Laine, B.
Licea, O.
Morales-Sanchez, E.
Prokhorov, E.
Trapaga, G.
Crystallization process in thin stoichiometric GeSbTe films
Functional Materials
author_facet Claudio, D.
Laine, B.
Licea, O.
Morales-Sanchez, E.
Prokhorov, E.
Trapaga, G.
author_sort Claudio, D.
title Crystallization process in thin stoichiometric GeSbTe films
title_short Crystallization process in thin stoichiometric GeSbTe films
title_full Crystallization process in thin stoichiometric GeSbTe films
title_fullStr Crystallization process in thin stoichiometric GeSbTe films
title_full_unstemmed Crystallization process in thin stoichiometric GeSbTe films
title_sort crystallization process in thin stoichiometric gesbte films
publisher НТК «Інститут монокристалів» НАН України
publishDate 2005
url http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/138877
citation_txt Crystallization process in thin stoichiometric GeSbTe films / D. Claudio, B. Laine, O. Licea, E. Morales-Sanchez, E. Prokhorov, G. Trapaga // Functional Materials. — 2005. — Т. 12, № 4. — С. 669-673. — Бібліогр.: 13 назв. — англ.
series Functional Materials
work_keys_str_mv AT claudiod crystallizationprocessinthinstoichiometricgesbtefilms
AT laineb crystallizationprocessinthinstoichiometricgesbtefilms
AT liceao crystallizationprocessinthinstoichiometricgesbtefilms
AT moralessancheze crystallizationprocessinthinstoichiometricgesbtefilms
AT prokhorove crystallizationprocessinthinstoichiometricgesbtefilms
AT trapagag crystallizationprocessinthinstoichiometricgesbtefilms
first_indexed 2023-10-18T21:17:38Z
last_indexed 2023-10-18T21:17:38Z
_version_ 1796152428092981248

Схожі ресурси