Quantum confinement effects in Ge nanocrystals
The exciton Bohr radius of bulk Ge is larger than that of Si, hence resulting more prominent quantum size effects. In this work, the electron structure of Ge nanocrystals is studied by means a sp³s* tight binding approximation. Comparing the theoretical calculations with experimental data, we conclu...
Збережено в:
Дата: | 2005 |
---|---|
Автори: | Miranda, A., Ramos, A.E., Nino de Rivera, L., Cruz-Irisson, M. |
Формат: | Стаття |
Мова: | English |
Опубліковано: |
НТК «Інститут монокристалів» НАН України
2005
|
Назва видання: | Functional Materials |
Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/138881 |
Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
Цитувати: | Quantum confinement effects in Ge nanocrystals // A. Miranda, A.E. Ramos, L. Nino de Rivera, M. Cruz-Irisson // Functional Materials. — 2005. — Т. 12, № 4. — С. 674-679. — Бібліогр.: 14 назв. — англ. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of UkraineСхожі ресурси
-
A microscopic model for the dielectric function of Ge quantum wires
за авторством: Alfaro, P., та інші
Опубліковано: (2005) -
Quantum effects in multilayer Si-Ge nanoheterostructures
за авторством: Kozyrev, Yu.N., та інші
Опубліковано: (2008) -
Quantum-sized effects in oxidized silicon structures with surface II-VI nanocrystals
за авторством: Karachevtseva, L., та інші
Опубліковано: (2014) -
Quantum-sized effects in oxidized silicon structures with surface II-VI nanocrystals
за авторством: L. Karachevtseva, та інші
Опубліковано: (2014) -
Bismuth growth on Ge(111): evolution of morphological changes from nanocrystals to films
за авторством: A. Goriachko, та інші
Опубліковано: (2014)