A microscopic model for the dielectric function of Ge quantum wires

A microscopic model for the dielectric function of Ge quantum wires

Free-standing, infinitely long, and homogeneous quantum wires of square cross section are considered using the chessboard-like supercell model. The optical transition properties of Ge nanocrystals are studied by means of an sp³s* semiempirical tight-binding approximation. The calculations have been...

Повний опис

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Видавець:НТК «Інститут монокристалів» НАН України
Дата:2005
Автори: Alfaro, P., Vazquez, R., Lobota, I., Ramos, A.E., Cruz-Irisson, M.
Формат: Стаття
Мова:English
Опубліковано: НТК «Інститут монокристалів» НАН України 2005
Назва видання:Functional Materials
Онлайн доступ:http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/138882
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Цитувати:A microscopic model for the dielectric function of Ge quantum wires / P. Alfaro, R. Vazquez, I. Lobota, A.E. Ramos, M. Cruz-Irisson // Functional Materials. — 2005. — Т. 12, № 4. — С. 680-684. — Бібліогр.: 14 назв. — англ.

Репозиторії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
id irk-123456789-138882
record_format dspace
spelling irk-123456789-1388822018-06-20T03:11:25Z A microscopic model for the dielectric function of Ge quantum wires Alfaro, P. Vazquez, R. Lobota, I. Ramos, A.E. Cruz-Irisson, M. Free-standing, infinitely long, and homogeneous quantum wires of square cross section are considered using the chessboard-like supercell model. The optical transition properties of Ge nanocrystals are studied by means of an sp³s* semiempirical tight-binding approximation. The calculations have been carried out for light polarized in the [100] direction, i.e., perpendicular to the wire alignment. Dependence of the imaginary part of the dielectric function on the quantum confinement is presented within two different schemes: intra-atomic and interatomic matrix elements, which are applied and compared. The principal results show that although the intra-atomic matrix elements are small in magni- tude, the interference between these terms and the interatomic matrix elements contrib- utes about 25 % of the total absorption. Thus, it appears that a quantitative treatment of nanostructures may not be possible (in general) without the inclusion of intra-atomic matrix elements. Вiльно стоячi однорiднi квантовi дроти квадратного перерiзу розглянуто з застосуванням шахової моделi комiрки надгратки. Оптичнi перехiднi властивостi нанокристалiв германiю дослiджено з використанням напiвемпiричного наближення сильного зв'язку sp³s*. Розрахунки виконано для свiтла, поляризованого в напрямi [100], тобто перпендикулярно простяганню дроту. Залежнiсть уявної частини дiелектричної функцiї вiд квантового обмеження представлено в рамках двох рiзних схем: внутрiшньоатомних та мiжатомних матричних елементiв, якi зiставлено один з другим. Основнi результати свiдчать, що, хоча внутрiшньоатомнi матричнi елементи мають незначну величину, внесок iнтерференцiї мiж цими термами та мiжатомними матричними елементами у загальне поглинання складає, приблизно 25 %. Таким чином, виявляється, що кiлькiсний розгляд наноструктур, загалом кажучи, є, неможливим без урахування внутрiшньоатомних матричних елементiв. Свободно-стоящие однородные квантовые проволоки квадратного поперечного сечения рассматриваются с применением шахматной модели ячейки сверхрешетки. Оптические переходные свойства нанокристаллов германия исследуются с помощью полуэмпирического приближения сильной связи sp³s*. Расчеты выполнены для света, поляризованного в направлении [100], т.е. перпендикулярно выстраивание проволоки. Зависимость мнимой части диэлектрической функции от квантового ограничения представлена в рамках двух различных схем: внутриатомных и межатомных матричных элементов, которые сопоставлены между собой. Основные результаты показывают, что, хотя внутриатомные матричные элементы имеют малую величину, вклад интерференции между этими термами и межатомными матричными элементами в суммарное поглощение составляет приблизительно 25 %. Таким образом, оказывается, что количественное рассмотрение наноструктур, в общем, невозможно без включения внутри-атомных матричных элементов. 2005 Article A microscopic model for the dielectric function of Ge quantum wires / P. Alfaro, R. Vazquez, I. Lobota, A.E. Ramos, M. Cruz-Irisson // Functional Materials. — 2005. — Т. 12, № 4. — С. 680-684. — Бібліогр.: 14 назв. — англ. 1027-5495 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/138882 en Functional Materials НТК «Інститут монокристалів» НАН України
institution Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
collection DSpace DC
language English
description Free-standing, infinitely long, and homogeneous quantum wires of square cross section are considered using the chessboard-like supercell model. The optical transition properties of Ge nanocrystals are studied by means of an sp³s* semiempirical tight-binding approximation. The calculations have been carried out for light polarized in the [100] direction, i.e., perpendicular to the wire alignment. Dependence of the imaginary part of the dielectric function on the quantum confinement is presented within two different schemes: intra-atomic and interatomic matrix elements, which are applied and compared. The principal results show that although the intra-atomic matrix elements are small in magni- tude, the interference between these terms and the interatomic matrix elements contrib- utes about 25 % of the total absorption. Thus, it appears that a quantitative treatment of nanostructures may not be possible (in general) without the inclusion of intra-atomic matrix elements.
format Article
author Alfaro, P.
Vazquez, R.
Lobota, I.
Ramos, A.E.
Cruz-Irisson, M.
spellingShingle Alfaro, P.
Vazquez, R.
Lobota, I.
Ramos, A.E.
Cruz-Irisson, M.
A microscopic model for the dielectric function of Ge quantum wires
Functional Materials
author_facet Alfaro, P.
Vazquez, R.
Lobota, I.
Ramos, A.E.
Cruz-Irisson, M.
author_sort Alfaro, P.
title A microscopic model for the dielectric function of Ge quantum wires
title_short A microscopic model for the dielectric function of Ge quantum wires
title_full A microscopic model for the dielectric function of Ge quantum wires
title_fullStr A microscopic model for the dielectric function of Ge quantum wires
title_full_unstemmed A microscopic model for the dielectric function of Ge quantum wires
title_sort microscopic model for the dielectric function of ge quantum wires
publisher НТК «Інститут монокристалів» НАН України
publishDate 2005
url http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/138882
citation_txt A microscopic model for the dielectric function of Ge quantum wires / P. Alfaro, R. Vazquez, I. Lobota, A.E. Ramos, M. Cruz-Irisson // Functional Materials. — 2005. — Т. 12, № 4. — С. 680-684. — Бібліогр.: 14 назв. — англ.
series Functional Materials
work_keys_str_mv AT alfarop amicroscopicmodelforthedielectricfunctionofgequantumwires
AT vazquezr amicroscopicmodelforthedielectricfunctionofgequantumwires
AT lobotai amicroscopicmodelforthedielectricfunctionofgequantumwires
AT ramosae amicroscopicmodelforthedielectricfunctionofgequantumwires
AT cruzirissonm amicroscopicmodelforthedielectricfunctionofgequantumwires
AT alfarop microscopicmodelforthedielectricfunctionofgequantumwires
AT vazquezr microscopicmodelforthedielectricfunctionofgequantumwires
AT lobotai microscopicmodelforthedielectricfunctionofgequantumwires
AT ramosae microscopicmodelforthedielectricfunctionofgequantumwires
AT cruzirissonm microscopicmodelforthedielectricfunctionofgequantumwires
first_indexed 2023-10-18T21:19:03Z
last_indexed 2023-10-18T21:19:03Z
_version_ 1796152504732352512

Схожі ресурси