Evolution of the pseudogap state in HTSC single crystals ReBa₂Cu₃O₇₋δ (Re=Y, Ho) doped with Al and Pr

Evolution of the pseudogap state in HTSC single crystals ReBa₂Cu₃O₇₋δ (Re=Y, Ho) doped with Al and Pr

Studied has been the effect of oxygen deficiency as well as of a low (up to 5 %) Al and Pr doping on conductivity in the basis plane of the ReBa₂Cu₃O₇₋δ (Re=Y, Ho) HTSC single crystals. The excess conductivity Δσ(T) of the studied samples has been found to show an exponential character in a wide tem...

Повний опис

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Дата:2009
Автори: Vovk, R.V., Zavgorodniy, A.A., Obolenskii, M.A., Samoilov, A.V., Biletskiy, Y.V., Pinto Simoes, V.M.
Формат: Стаття
Мова:English
Опубліковано: НТК «Інститут монокристалів» НАН України 2009
Назва видання:Functional Materials
Теми:
Characterization and properties
Онлайн доступ:http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/138906
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:Evolution of the pseudogap state in HTSC single crystals ReBa₂Cu₃O₇₋δ (Re=Y, Ho) doped with Al and Pr // R.V. Vovk, A.A. Zavgorodniy, M.A. Obolenskii, A.V. Samoilov, Y.V. Biletskiy, V.M. Pinto Simoes // Functional Materials. — 2009. — Т. 16, № 3. — С. 258-265. — Бібліогр.: 12 назв. — англ.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
id irk-123456789-138906
record_format dspace
spelling irk-123456789-1389062018-06-20T03:03:59Z Evolution of the pseudogap state in HTSC single crystals ReBa₂Cu₃O₇₋δ (Re=Y, Ho) doped with Al and Pr Vovk, R.V. Zavgorodniy, A.A. Obolenskii, M.A. Samoilov, A.V. Biletskiy, Y.V. Pinto Simoes, V.M. Characterization and properties Studied has been the effect of oxygen deficiency as well as of a low (up to 5 %) Al and Pr doping on conductivity in the basis plane of the ReBa₂Cu₃O₇₋δ (Re=Y, Ho) HTSC single crystals. The excess conductivity Δσ(T) of the studied samples has been found to show an exponential character in a wide temperature range Tf<T<T*. The description of the excess conductivity as Δσ~(1-T/T*)exp(Δ*ab/T) can be interpreted within the frames of medium field theory where T* is the mean field temperature of superconducting transition. The temperature dependence of the pseudogap can be satisfactorily described in terms of the BCS-BEC crossover theoretical model. The oxygen content reduction and a low Al doping results in widening of the temperature interval where the PG mode is realized, thus narrowing the area of linear ρ(Т) dependence in the ab plane. A low Pr doping concentrations (z≈0.05) results in an unusual effect of a significant narrowing of temperature interval where the PG is realised, thus extending the linear ρ(Т) region. Досліджено вплив кисневого дефіциту, а також слабкого (до 5 %) допування алюмінієм і празеодимом на провідність у базисній площині ВТНП-монокристалів ReBa₂Cu₃O₇₋δ (Re=Y, Но). Встановлено, що надлишкова провідність Δσ(T) зразків у широкому інтервалі температур Tf<T<T* підпорядковується експоненціальній температурній залежності. При цьому опис надлишкової провідності за допомогою співвідношення Δσ~(1-T/T*)exp(Δ*ab/T) може бути інтерпретований у термінах теорії середнього поля, де T* представлена, як середньо польова температура надпровідного переходу, а температурна залежність псевдощілини задовільно описується у рамках теорії кросовера БКШ-БЕК. Зниження вмісту кисню і слабке легування алюмінієм приводить до ефекту розширення температурного інтервалу реалізації ПЩ-режиму, тим самим звужуючи область лінійної залежності ρ(Т) в аЬ-площині. Допування монокристалів YBaCuO малими домішками празеодиму z≈0.05 приводить до незвичайного ефекту звуження температурного інтервалу реалізації ПЩ-режиму, подовжуючи лінійну ділянку залежності ρab(Т). Исследовано влияние кислородного дефицита, а также слабого (до 5 %) допирования алюминием и празеодимом на проводимость в базисной плоскости ВТСП-монокристаллов ReBa₂Cu₃O₇₋δ (Re=Y, Но). Установлено, что избыточная проводимость Δσ(T) образцов в широком интервале температур Tf<T<T* подчиняется экспоненциальной температурной зависимости. При этом описание :избыточной проводимости посредством соотношения Δσ~(1-T/T*)exp(Δ*ab/T) может быть интерпретировано в терминах теории среднего поля, где T* представлена как среднеполевая температура сверхпроводящего перехода, а температурная зависимость псевдощели удовлетворительно описывается в рамках теории кроссовера БКШ-БЭК. Понижение содержания кислорода и слабое легирование алюминием приводит к эффекту расширения температурного интервала реализации ПЩ-режима, тем самым сужая область линейной зависимости ρ(Т) в аЬ-плоскост: и. Допирование монокристаллов YBaCuO малыми добавками празеодима z≈0.05 приводит к необычному эффекту сужения температурного интервала реализации ПЩ-режима, тем самым удлиняя линейный участок зависимости ρab(Т). 2009 Article Evolution of the pseudogap state in HTSC single crystals ReBa₂Cu₃O₇₋δ (Re=Y, Ho) doped with Al and Pr // R.V. Vovk, A.A. Zavgorodniy, M.A. Obolenskii, A.V. Samoilov, Y.V. Biletskiy, V.M. Pinto Simoes // Functional Materials. — 2009. — Т. 16, № 3. — С. 258-265. — Бібліогр.: 12 назв. — англ. 1027-5495 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/138906 en Functional Materials НТК «Інститут монокристалів» НАН України
institution Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
collection DSpace DC
language English
topic Characterization and properties
Characterization and properties
spellingShingle Characterization and properties
Characterization and properties
Vovk, R.V.
Zavgorodniy, A.A.
Obolenskii, M.A.
Samoilov, A.V.
Biletskiy, Y.V.
Pinto Simoes, V.M.
Evolution of the pseudogap state in HTSC single crystals ReBa₂Cu₃O₇₋δ (Re=Y, Ho) doped with Al and Pr
Functional Materials
description Studied has been the effect of oxygen deficiency as well as of a low (up to 5 %) Al and Pr doping on conductivity in the basis plane of the ReBa₂Cu₃O₇₋δ (Re=Y, Ho) HTSC single crystals. The excess conductivity Δσ(T) of the studied samples has been found to show an exponential character in a wide temperature range Tf<T<T*. The description of the excess conductivity as Δσ~(1-T/T*)exp(Δ*ab/T) can be interpreted within the frames of medium field theory where T* is the mean field temperature of superconducting transition. The temperature dependence of the pseudogap can be satisfactorily described in terms of the BCS-BEC crossover theoretical model. The oxygen content reduction and a low Al doping results in widening of the temperature interval where the PG mode is realized, thus narrowing the area of linear ρ(Т) dependence in the ab plane. A low Pr doping concentrations (z≈0.05) results in an unusual effect of a significant narrowing of temperature interval where the PG is realised, thus extending the linear ρ(Т) region.
format Article
author Vovk, R.V.
Zavgorodniy, A.A.
Obolenskii, M.A.
Samoilov, A.V.
Biletskiy, Y.V.
Pinto Simoes, V.M.
author_facet Vovk, R.V.
Zavgorodniy, A.A.
Obolenskii, M.A.
Samoilov, A.V.
Biletskiy, Y.V.
Pinto Simoes, V.M.
author_sort Vovk, R.V.
title Evolution of the pseudogap state in HTSC single crystals ReBa₂Cu₃O₇₋δ (Re=Y, Ho) doped with Al and Pr
title_short Evolution of the pseudogap state in HTSC single crystals ReBa₂Cu₃O₇₋δ (Re=Y, Ho) doped with Al and Pr
title_full Evolution of the pseudogap state in HTSC single crystals ReBa₂Cu₃O₇₋δ (Re=Y, Ho) doped with Al and Pr
title_fullStr Evolution of the pseudogap state in HTSC single crystals ReBa₂Cu₃O₇₋δ (Re=Y, Ho) doped with Al and Pr
title_full_unstemmed Evolution of the pseudogap state in HTSC single crystals ReBa₂Cu₃O₇₋δ (Re=Y, Ho) doped with Al and Pr
title_sort evolution of the pseudogap state in htsc single crystals reba₂cu₃o₇₋δ (re=y, ho) doped with al and pr
publisher НТК «Інститут монокристалів» НАН України
publishDate 2009
topic_facet Characterization and properties
url http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/138906
citation_txt Evolution of the pseudogap state in HTSC single crystals ReBa₂Cu₃O₇₋δ (Re=Y, Ho) doped with Al and Pr // R.V. Vovk, A.A. Zavgorodniy, M.A. Obolenskii, A.V. Samoilov, Y.V. Biletskiy, V.M. Pinto Simoes // Functional Materials. — 2009. — Т. 16, № 3. — С. 258-265. — Бібліогр.: 12 назв. — англ.
series Functional Materials
work_keys_str_mv AT vovkrv evolutionofthepseudogapstateinhtscsinglecrystalsreba2cu3o7dreyhodopedwithalandpr
AT zavgorodniyaa evolutionofthepseudogapstateinhtscsinglecrystalsreba2cu3o7dreyhodopedwithalandpr
AT obolenskiima evolutionofthepseudogapstateinhtscsinglecrystalsreba2cu3o7dreyhodopedwithalandpr
AT samoilovav evolutionofthepseudogapstateinhtscsinglecrystalsreba2cu3o7dreyhodopedwithalandpr
AT biletskiyyv evolutionofthepseudogapstateinhtscsinglecrystalsreba2cu3o7dreyhodopedwithalandpr
AT pintosimoesvm evolutionofthepseudogapstateinhtscsinglecrystalsreba2cu3o7dreyhodopedwithalandpr
first_indexed 2023-10-18T21:18:10Z
last_indexed 2023-10-18T21:18:10Z
_version_ 1796152452103274496

Схожі ресурси