Transient mode features at sapphire growing by horizontal directional crystallization
The behavior of the crystal/alumina melt boundary has been studied at the start and final stages of sapphire growing by horizontal directional crystallization. At a constant pulling speed of the crystal into the cold zone, the time dependence of the melt crystallization rate may behave nonmonotonica...
Збережено в:
| Дата: | 2009 |
|---|---|
| Автори: | , , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | English |
| Опубліковано: |
НТК «Інститут монокристалів» НАН України
2009
|
| Назва видання: | Functional Materials |
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/138927 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Transient mode features at sapphire growing by horizontal directional crystallization // S.V. Barannik, V.N. Kanischev, S.V. Nizhankovsky, A.M. Stepanenko // Functional Materials. — 2009. — Т. 16, № 4. — С. 498-500. — Бібліогр.: 6 назв. — англ. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| id |
irk-123456789-138927 |
|---|---|
| record_format |
dspace |
| spelling |
irk-123456789-1389272018-06-20T03:04:36Z Transient mode features at sapphire growing by horizontal directional crystallization Barannik, S.V. Kanischev, V.N. Nizhankovsky, S.V. Stepanenko, A.M. Technology The behavior of the crystal/alumina melt boundary has been studied at the start and final stages of sapphire growing by horizontal directional crystallization. At a constant pulling speed of the crystal into the cold zone, the time dependence of the melt crystallization rate may behave nonmonotonically. The crystallization front oscillations in the initial transient process that was predicted by numerical simulation has been confirmed experimentally. Вивчено поведінку межі кристал-розплав оксиду алюмінію на початку та в кінці вирощування сапфіру методом горизонтальної направленої кристалізації. Показано, що при постійній швидкості витягування кристала у холодну зону залежність швидкості кристалізації розплаву від часу може бути немонотонною. Одержано експериментальне підтвердження явища коливань фронту кристалізації у початковому перехідному процесі, раніше передбаченого чисельним моделюванням. Изучено поведение границы кристалл-расплав оксида алюминия в начале и конце выращивания сапфира методом горизонтально-направленной кристаллизации. Показано, что при постоянной скорости вытягивания кристалла в холодную зону зависимость скорости кристаллизации расплава от времени может вести себя немонотонно. Получено экспериментальное подтверждение явления колебаний фронта кристаллизации в начальном переходном процессе, ранее предсказанного численным моделированием. 2009 Article Transient mode features at sapphire growing by horizontal directional crystallization // S.V. Barannik, V.N. Kanischev, S.V. Nizhankovsky, A.M. Stepanenko // Functional Materials. — 2009. — Т. 16, № 4. — С. 498-500. — Бібліогр.: 6 назв. — англ. 1027-5495 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/138927 en Functional Materials НТК «Інститут монокристалів» НАН України |
| institution |
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| collection |
DSpace DC |
| language |
English |
| topic |
Technology Technology |
| spellingShingle |
Technology Technology Barannik, S.V. Kanischev, V.N. Nizhankovsky, S.V. Stepanenko, A.M. Transient mode features at sapphire growing by horizontal directional crystallization Functional Materials |
| description |
The behavior of the crystal/alumina melt boundary has been studied at the start and final stages of sapphire growing by horizontal directional crystallization. At a constant pulling speed of the crystal into the cold zone, the time dependence of the melt crystallization rate may behave nonmonotonically. The crystallization front oscillations in the initial transient process that was predicted by numerical simulation has been confirmed experimentally. |
| format |
Article |
| author |
Barannik, S.V. Kanischev, V.N. Nizhankovsky, S.V. Stepanenko, A.M. |
| author_facet |
Barannik, S.V. Kanischev, V.N. Nizhankovsky, S.V. Stepanenko, A.M. |
| author_sort |
Barannik, S.V. |
| title |
Transient mode features at sapphire growing by horizontal directional crystallization |
| title_short |
Transient mode features at sapphire growing by horizontal directional crystallization |
| title_full |
Transient mode features at sapphire growing by horizontal directional crystallization |
| title_fullStr |
Transient mode features at sapphire growing by horizontal directional crystallization |
| title_full_unstemmed |
Transient mode features at sapphire growing by horizontal directional crystallization |
| title_sort |
transient mode features at sapphire growing by horizontal directional crystallization |
| publisher |
НТК «Інститут монокристалів» НАН України |
| publishDate |
2009 |
| topic_facet |
Technology |
| url |
http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/138927 |
| citation_txt |
Transient mode features at sapphire growing by horizontal directional crystallization // S.V. Barannik, V.N. Kanischev, S.V. Nizhankovsky, A.M. Stepanenko // Functional Materials. — 2009. — Т. 16, № 4. — С. 498-500. — Бібліогр.: 6 назв. — англ. |
| series |
Functional Materials |
| work_keys_str_mv |
AT baranniksv transientmodefeaturesatsapphiregrowingbyhorizontaldirectionalcrystallization AT kanischevvn transientmodefeaturesatsapphiregrowingbyhorizontaldirectionalcrystallization AT nizhankovskysv transientmodefeaturesatsapphiregrowingbyhorizontaldirectionalcrystallization AT stepanenkoam transientmodefeaturesatsapphiregrowingbyhorizontaldirectionalcrystallization |
| first_indexed |
2023-10-18T21:17:56Z |
| last_indexed |
2023-10-18T21:17:56Z |
| _version_ |
1796152441639534592 |