Influence of γ-irradiation on current-voltage characteristics of TIGaSe₂ single crystal
Injection currents are studied in high-resistive TIGaSe₂ single crystals prior to and after γ-irradiation (with dose Dγ = 50 and 100 kR) and the electrical parameters have been determined. Before irradiation, the concentration of traps Nt = 2.7·10¹⁰ cm⁻³, equilibrium concentration of charge carriers...
Збережено в:
| Видавець: | НТК «Інститут монокристалів» НАН України |
|---|---|
| Дата: | 2009 |
| Автори: | , , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | English |
| Опубліковано: |
НТК «Інститут монокристалів» НАН України
2009
|
| Назва видання: | Functional Materials |
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/138940 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Цитувати: | Influence of γ-irradiation on current-voltage characteristics of TIGaSe₂ single crystal // A.A. Ismailov, N.D. Achmedzade, M.M. Shirinov, S.T. Aghalieva // Functional Materials. — 2009. — Т. 16, № 4. — С. 481-482. — Бібліогр.: 4 назв. — англ. |
Репозиторії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| id |
irk-123456789-138940 |
|---|---|
| record_format |
dspace |
| spelling |
irk-123456789-1389402018-06-20T03:03:37Z Influence of γ-irradiation on current-voltage characteristics of TIGaSe₂ single crystal Ismailov, A.A. Achmedzade, N.D. Shirinov, M.M. Aghalieva, S.T. Characterization and properties Injection currents are studied in high-resistive TIGaSe₂ single crystals prior to and after γ-irradiation (with dose Dγ = 50 and 100 kR) and the electrical parameters have been determined. Before irradiation, the concentration of traps Nt = 2.7·10¹⁰ cm⁻³, equilibrium concentration of charge carriers P₀ = 3·10⁹ cm⁻³, the depth of trap level responsible for the injection current Et= 2.6·10⁻² eV. For crystals irradiated at Dγ= 50 kR: Nt = 1·10¹¹ cm⁻³, P₀ = 2·10⁸ cm⁻³, Et= 2.6·10⁻² eV; after irradiation at Dγ= 100 kR, Nt = 5.4·10¹⁰ cm⁻³, P₀ = 5·10⁹ cm⁻³, Et= 2.6·10⁻² eV. Вивчено інжекційний струм у високоомних монокристалах TIGaSe₂ до та після опромінення дозами Dγ = 50 і 100 кР та встановлено електричні параметри до та після опромінення. До опромінення концентрація пасток Nt = 2,7·10¹⁰ см⁻³, рівноважна концентрація носіїв заряду Р₀ = 3·10⁹ см⁻³, глибина залягання пасток, відповідальних за інжекційний струм, Et = 2,6·10⁻² еВ. Для кристалів, що опромінені Dγ = 50 кР, Nt = 2,7·10¹¹ см⁻³, Р₀ = 2·10⁸ см⁻³, Et = 2,6·10⁻² еВ; після опромінення Dγ = 100 кР, Nt = 5,4·10¹⁰ см⁻³, Р₀ = 5·10⁹ см⁻³, Et = 2,6·10⁻² еВ. Изучены инжекционные токи в высокоомных монокристаллах TIGaSe₂ до и после облучения дозами DY = 50 и 100 кР и определены электрические параметры до и после облучения. До облучения концентрация ловушек Nt = 2,7·10¹⁰ см⁻³, равновесная концентрация носителей заряда Р₀ = 3·10⁹ см⁻³, глубина залегания ловушек, ответственных за инжекционный ток, Et = 2,6·10⁻² эВ. Для кристаллов, облученных Dγ = 50 кР, Nt = 2,7·10¹¹ см⁻³, Р₀ = 2·10⁸ см⁻³, Et = 2,6·10⁻² эВ; после облучения Dγ = 100 кР, Nt = 5,4·10¹⁰ см⁻³, Р₀ = 5·10⁹ см⁻³, Et = 2,6·10⁻² эВ. 2009 Article Influence of γ-irradiation on current-voltage characteristics of TIGaSe₂ single crystal // A.A. Ismailov, N.D. Achmedzade, M.M. Shirinov, S.T. Aghalieva // Functional Materials. — 2009. — Т. 16, № 4. — С. 481-482. — Бібліогр.: 4 назв. — англ. 1027-5495 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/138940 en Functional Materials НТК «Інститут монокристалів» НАН України |
| institution |
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| collection |
DSpace DC |
| language |
English |
| topic |
Characterization and properties Characterization and properties |
| spellingShingle |
Characterization and properties Characterization and properties Ismailov, A.A. Achmedzade, N.D. Shirinov, M.M. Aghalieva, S.T. Influence of γ-irradiation on current-voltage characteristics of TIGaSe₂ single crystal Functional Materials |
| description |
Injection currents are studied in high-resistive TIGaSe₂ single crystals prior to and after γ-irradiation (with dose Dγ = 50 and 100 kR) and the electrical parameters have been determined. Before irradiation, the concentration of traps Nt = 2.7·10¹⁰ cm⁻³, equilibrium concentration of charge carriers P₀ = 3·10⁹ cm⁻³, the depth of trap level responsible for the injection current Et= 2.6·10⁻² eV. For crystals irradiated at Dγ= 50 kR: Nt = 1·10¹¹ cm⁻³, P₀ = 2·10⁸ cm⁻³, Et= 2.6·10⁻² eV; after irradiation at Dγ= 100 kR, Nt = 5.4·10¹⁰ cm⁻³, P₀ = 5·10⁹ cm⁻³, Et= 2.6·10⁻² eV. |
| format |
Article |
| author |
Ismailov, A.A. Achmedzade, N.D. Shirinov, M.M. Aghalieva, S.T. |
| author_facet |
Ismailov, A.A. Achmedzade, N.D. Shirinov, M.M. Aghalieva, S.T. |
| author_sort |
Ismailov, A.A. |
| title |
Influence of γ-irradiation on current-voltage characteristics of TIGaSe₂ single crystal |
| title_short |
Influence of γ-irradiation on current-voltage characteristics of TIGaSe₂ single crystal |
| title_full |
Influence of γ-irradiation on current-voltage characteristics of TIGaSe₂ single crystal |
| title_fullStr |
Influence of γ-irradiation on current-voltage characteristics of TIGaSe₂ single crystal |
| title_full_unstemmed |
Influence of γ-irradiation on current-voltage characteristics of TIGaSe₂ single crystal |
| title_sort |
influence of γ-irradiation on current-voltage characteristics of tigase₂ single crystal |
| publisher |
НТК «Інститут монокристалів» НАН України |
| publishDate |
2009 |
| topic_facet |
Characterization and properties |
| url |
http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/138940 |
| citation_txt |
Influence of γ-irradiation on current-voltage characteristics of TIGaSe₂ single crystal // A.A. Ismailov, N.D. Achmedzade, M.M. Shirinov, S.T. Aghalieva // Functional Materials. — 2009. — Т. 16, № 4. — С. 481-482. — Бібліогр.: 4 назв. — англ. |
| series |
Functional Materials |
| work_keys_str_mv |
AT ismailovaa influenceofgirradiationoncurrentvoltagecharacteristicsoftigase2singlecrystal AT achmedzadend influenceofgirradiationoncurrentvoltagecharacteristicsoftigase2singlecrystal AT shirinovmm influenceofgirradiationoncurrentvoltagecharacteristicsoftigase2singlecrystal AT aghalievast influenceofgirradiationoncurrentvoltagecharacteristicsoftigase2singlecrystal |
| first_indexed |
2023-10-18T21:17:41Z |
| last_indexed |
2023-10-18T21:17:41Z |
| _version_ |
1796152442064207872 |