Комбинационное рассеяние света и фазовые переходы в смешанных кристаллах K₁₋ₓ(NH₄)ₓH₂PO₄
В интервале температур 4,2-300 К проведены исследования спектральных характеристик линии комбинационного рассеяния света внутреннего колебания n₂(A₁) тетраэдра PO₄ в смешанных кристаллах K₁₋ₓAₓDP с различным содержанием аммония. При переходах в упорядоченные сегнетоэлектpическую (x= 0,00; 0,02; 0,04...
Збережено в:
Дата: | 1999 |
---|---|
Автори: | , , , , |
Формат: | Стаття |
Мова: | Russian |
Опубліковано: |
Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
1999
|
Назва видання: | Физика низких температур |
Теми: | |
Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/138980 |
Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
Цитувати: | Комбинационное рассеяние света и фазовые переходы в смешанных кристаллах K₁₋ₓ(NH₄)ₓH₂PO₄ / Ю.А. Попков, А.В. Ванькевич, И.А. Таранова, Е.М. Савченко, Л.А. Шувалов // Физика низких температур. — 1999. — Т. 25, № 8. — С. 861-867. — Бібліогр.: 23 назв. — рос. |
Репозиторії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of UkraineРезюме: | В интервале температур 4,2-300 К проведены исследования спектральных характеристик линии комбинационного рассеяния света внутреннего колебания n₂(A₁) тетраэдра PO₄ в смешанных кристаллах K₁₋ₓAₓDP с различным содержанием аммония. При переходах в упорядоченные сегнетоэлектpическую (x= 0,00; 0,02; 0,04; 0,8) или антисегнетоэлектpическую (x = 0,74; 0,82) фазы обнаружены резкие изменения частоты и полуширины исследуемой линии. Уменьшение полуширины линии при упорядочении указывает на участие в релаксационных процессах возбуждений, ответственных за соответствующие состояния. Переход в фазу структурного стекла (x = 0,22; 0,32; 0,53) не сопровождается резким изменением параметров линии, однако величина ее полуширины при низких температурах меньше, чем следует ожидать для полностью разупорядоченной параэлектрической фазы. |
---|