Proximity phenomena in double-barrier structure NbZr/NbOₓ/Al/AlOy/NbZr
A tunneling structures NbZr/NbOₓ/Al/AlOy/NbZr with a thin barrier in the NbZr/NbOₓ/Al junction and 4 to 6-nm-thick Al interlayer were prepared and studied experimentally. A proximity effect between NbZr and Al through NbOₓ barrier has been observed. An electrical voltage was generated in the NbOx ba...
Збережено в:
| Дата: | 1999 |
|---|---|
| Автори: | , , , , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | English |
| Опубліковано: |
Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
1999
|
| Назва видання: | Физика низких температур |
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/139060 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Proximity phenomena in double-barrier structure NbZr/NbOₓ/Al/AlOy/NbZr / A. Plecenik, S. Gazi, M. Zuzcak, S. Benacka, V. Shaternik, E. Rudenko // Физика низких температур. — 1999. — Т. 25, № 10. — С. 1082-1086. — Бібліогр.: 7 назв. — англ. |