Si as dopant impurity in CdTe

CdTe<Si> single crystals have been investigated by high-temperature Hall effect meas- urements under Cd vapor pressure in 200-900 ℃ temperature range. Basing on the experimental results, the Si solubility in CdTe at 500-600 ℃ has been supposed to be lower than ≈ 3*10¹⁶ at/cm . The Si segregati...

Повний опис

Збережено в:

Бібліографічні деталі
Дата:	2005
Автори:	Fochuk, P.M., Panchuk, O.E.
Формат:	Стаття
Мова:	English
Опубліковано:	НТК «Інститут монокристалів» НАН України 2005
Назва видання:	Functional Materials
Онлайн доступ:	http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/139311
Теги:	Додати тег Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:	Si as dopant impurity in CdTe / P.M. Fochuk, O.E. Panchuk // Functional Materials. — 2005. — Т. 12, № 4. — С. 771-774. — Бібліогр.: 8 назв. — англ.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

id	irk-123456789-139311
record_format	dspace
spelling	irk-123456789-1393112018-06-21T03:06:05Z Si as dopant impurity in CdTe Fochuk, P.M. Panchuk, O.E. CdTe<Si> single crystals have been investigated by high-temperature Hall effect meas- urements under Cd vapor pressure in 200-900 ℃ temperature range. Basing on the experimental results, the Si solubility in CdTe at 500-600 ℃ has been supposed to be lower than ≈ 310¹⁶ at/cm . The Si segregation coefficient in CdTe is exceeds unity (kₛₑᵣᵍ > 1). This peculiarity of Si behavior in CdTe differs it from other IVA group elements. At high Si content in CdTe (~ 10¹⁷ at/cm³), it is mainly contained in precipitates. Their dissolution starts at Т ~ 500 ℃ and the subsequent cooling does not reduce the concentration of electrically active Si form. The dominating Si point defect is Si+ᶜᵈ , although a certain fraction of this impurity forms associates (Si+ᶜᵈ V²⁻ᶜᵈ ). Монокристали CdTe<Si> дослiджено вимiрюваннями ефекту Холла пiд тиском пари Cd в iнтервалi температур 200-900 ℃. На основi експериментальних даних припущено, що розчиннiсть Si менша за ~ 310¹⁶ ат/см³ at 500-600 ℃. Коефiцiєнт розподiлу Si у CdTe бiльший за одиницю (kₛₑᵣᵍ > 1), що вiдрiзняє його вiд iнших елементiв IVA пiдгрупи елементiв. При високому вмiстi Si (~ 10¹⁷ ат/см³) переважна його бiльшiсть знаходиться у преципiтатах. Їх розчинення починається при ~500 ℃ i наступне охолодження не зменшує концентрацiю електрично активної форми Si. Домiнуючим точковим дефектом є Si+ᶜᵈ, хоча деяка частина його утворює асоцiати (Si+ᶜᵈ V²⁻ᶜᵈ ). Монокристаллы CdTe<Si> были исследованы путем измерениями эффекта Холла под давлением пара Cd в интервале температур 200-900 ℃. На основании экспериментальных результатов предположено, что растворимость Si при 500-600 ℃ меньше, чем ~ 3*10¹⁶ ат/см³. Коэффициент распределения Si в CdTe больше единицы (kₛₑᵣᵍ > 1), что отличает его от других элементов IVA подгруппы. При высоком содержании Si (~ 10¹⁷ ат/см³) большая его часть находится в преципитатах. Их растворение начинается при ~500 ℃ и последующее охлаждение не уменьшает концентрацию электрически активной формы Si. Доминирующим точечным дефектом является Si+ᶜᵈ, хотя некоторая его часть образует ассоциаты (Si+ᶜᵈ V²⁻ᶜᵈ). 2005 Article Si as dopant impurity in CdTe / P.M. Fochuk, O.E. Panchuk // Functional Materials. — 2005. — Т. 12, № 4. — С. 771-774. — Бібліогр.: 8 назв. — англ. 1027-5495 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/139311 en Functional Materials НТК «Інститут монокристалів» НАН України
institution	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
collection	DSpace DC
language	English
description	CdTe<Si> single crystals have been investigated by high-temperature Hall effect meas- urements under Cd vapor pressure in 200-900 ℃ temperature range. Basing on the experimental results, the Si solubility in CdTe at 500-600 ℃ has been supposed to be lower than ≈ 3*10¹⁶ at/cm . The Si segregation coefficient in CdTe is exceeds unity (kₛₑᵣᵍ > 1). This peculiarity of Si behavior in CdTe differs it from other IVA group elements. At high Si content in CdTe (~ 10¹⁷ at/cm³), it is mainly contained in precipitates. Their dissolution starts at Т ~ 500 ℃ and the subsequent cooling does not reduce the concentration of electrically active Si form. The dominating Si point defect is Si+ᶜᵈ , although a certain fraction of this impurity forms associates (Si+ᶜᵈ V²⁻ᶜᵈ ).
format	Article
author	Fochuk, P.M. Panchuk, O.E.
spellingShingle	Fochuk, P.M. Panchuk, O.E. Si as dopant impurity in CdTe Functional Materials
author_facet	Fochuk, P.M. Panchuk, O.E.
author_sort	Fochuk, P.M.
title	Si as dopant impurity in CdTe
title_short	Si as dopant impurity in CdTe
title_full	Si as dopant impurity in CdTe
title_fullStr	Si as dopant impurity in CdTe
title_full_unstemmed	Si as dopant impurity in CdTe
title_sort	si as dopant impurity in cdte
publisher	НТК «Інститут монокристалів» НАН України
publishDate	2005
url	http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/139311
citation_txt	Si as dopant impurity in CdTe / P.M. Fochuk, O.E. Panchuk // Functional Materials. — 2005. — Т. 12, № 4. — С. 771-774. — Бібліогр.: 8 назв. — англ.
series	Functional Materials
work_keys_str_mv	AT fochukpm siasdopantimpurityincdte AT panchukoe siasdopantimpurityincdte
first_indexed	2023-10-18T21:19:54Z
last_indexed	2023-10-18T21:19:54Z
_version_	1796152528408150016

Si as dopant impurity in CdTe

Репозитарії

Схожі ресурси