К теории фазового расслоения систем, металлизирующихся вследствие допирования

К теории фазового расслоения систем, металлизирующихся вследствие допирования

Предложен механизм формирования неоднородного, состоящего из доменов металлической и диэлектрической фаз основного состояния слабо легированных систем. Он состоит в том, что образование зарядово-нейтральных металлических областей с возможно большей концентрацией свободных носителей (следовательно, и...

Повний опис

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Дата:1999
Автори: Иванов, М.А., Локтев, В.М.
Формат: Стаття
Мова:Russian
Опубліковано: Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України 1999
Назва видання:Физика низких температур
Теми:
Кpаткие сообщения
Онлайн доступ:http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/139346
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:К теории фазового расслоения систем, металлизирующихся вследствие допирования / М.А. Иванов, В.М. Локтев // Физика низких температур. — 1999. — Т. 25, № 12. — С. 1325-1328. — Бібліогр.: 20 назв. — рос.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
id irk-123456789-139346
record_format dspace
spelling irk-123456789-1393462018-06-21T03:07:27Z К теории фазового расслоения систем, металлизирующихся вследствие допирования Иванов, М.А. Локтев, В.М. Кpаткие сообщения Предложен механизм формирования неоднородного, состоящего из доменов металлической и диэлектрической фаз основного состояния слабо легированных систем. Он состоит в том, что образование зарядово-нейтральных металлических областей с возможно большей концентрацией свободных носителей (следовательно, и породивших их допантов) оказываeтся термодинамически выгодным. Запропоновано механізм формування неоднорідного, що складається з доменів металічної та діелектричної фаз основного стану слабко легованих систем. Він полягяє в тому, що утворення зарядово-нейтральних металічних областей з якомога більшою концентрацією вільних носіїв (отже і спричиняючих іх допантів) виявляється термодинамічно вигідним. The mechanism of the formation of an inhomogeneous ground state which consists of domains of metallic and insulating phases is proposed. It is shown that the formation of the charge-neutral metallic areas with the possibly largest free carrier concentration (and consequently dopants which create them) proves to be thermodynamically advantageous. 1999 Article К теории фазового расслоения систем, металлизирующихся вследствие допирования / М.А. Иванов, В.М. Локтев // Физика низких температур. — 1999. — Т. 25, № 12. — С. 1325-1328. — Бібліогр.: 20 назв. — рос. 0132-6414 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/139346 ru Физика низких температур Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
institution Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
collection DSpace DC
language Russian
topic Кpаткие сообщения
Кpаткие сообщения
spellingShingle Кpаткие сообщения
Кpаткие сообщения
Иванов, М.А.
Локтев, В.М.
К теории фазового расслоения систем, металлизирующихся вследствие допирования
Физика низких температур
description Предложен механизм формирования неоднородного, состоящего из доменов металлической и диэлектрической фаз основного состояния слабо легированных систем. Он состоит в том, что образование зарядово-нейтральных металлических областей с возможно большей концентрацией свободных носителей (следовательно, и породивших их допантов) оказываeтся термодинамически выгодным.
format Article
author Иванов, М.А.
Локтев, В.М.
author_facet Иванов, М.А.
Локтев, В.М.
author_sort Иванов, М.А.
title К теории фазового расслоения систем, металлизирующихся вследствие допирования
title_short К теории фазового расслоения систем, металлизирующихся вследствие допирования
title_full К теории фазового расслоения систем, металлизирующихся вследствие допирования
title_fullStr К теории фазового расслоения систем, металлизирующихся вследствие допирования
title_full_unstemmed К теории фазового расслоения систем, металлизирующихся вследствие допирования
title_sort к теории фазового расслоения систем, металлизирующихся вследствие допирования
publisher Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
publishDate 1999
topic_facet Кpаткие сообщения
url http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/139346
citation_txt К теории фазового расслоения систем, металлизирующихся вследствие допирования / М.А. Иванов, В.М. Локтев // Физика низких температур. — 1999. — Т. 25, № 12. — С. 1325-1328. — Бібліогр.: 20 назв. — рос.
series Физика низких температур
work_keys_str_mv AT ivanovma kteoriifazovogorassloeniâsistemmetalliziruûŝihsâvsledstviedopirovaniâ
AT loktevvm kteoriifazovogorassloeniâsistemmetalliziruûŝihsâvsledstviedopirovaniâ
first_indexed 2023-10-18T21:20:13Z
last_indexed 2023-10-18T21:20:13Z
_version_ 1796152542477942784

Схожі ресурси