К теории фазового расслоения систем, металлизирующихся вследствие допирования
Предложен механизм формирования неоднородного, состоящего из доменов металлической и диэлектрической фаз основного состояния слабо легированных систем. Он состоит в том, что образование зарядово-нейтральных металлических областей с возможно большей концентрацией свободных носителей (следовательно, и...
Збережено в:
| Дата: | 1999 |
|---|---|
| Автори: | , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Russian |
| Опубліковано: |
Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
1999
|
| Назва видання: | Физика низких температур |
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/139346 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | К теории фазового расслоения систем, металлизирующихся вследствие допирования / М.А. Иванов, В.М. Локтев // Физика низких температур. — 1999. — Т. 25, № 12. — С. 1325-1328. — Бібліогр.: 20 назв. — рос. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of UkraineБудьте першим, хто залишить коментар!