Structure relaxation in thin filamentary germanium crystals
In filamentary germanium crystals previously strained by torsion, the shape and structure return associated with reverse motion of screw dislocations towards the sources thereof have been revealed under action of thermal field and elastic one generated only by a constant uniaxial tensile loading. A...
Збережено в:
Дата: | 2004 |
---|---|
Автори: | Ermakov, A.P., Drozhzhin, A.I. |
Формат: | Стаття |
Мова: | English |
Опубліковано: |
НТК «Інститут монокристалів» НАН України
2004
|
Назва видання: | Functional Materials |
Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/139569 |
Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
Цитувати: | Structure relaxation in thin filamentary germanium crystals / A.P. Ermakov, A.I. Drozhzhin // Functional Materials. — 2004. — Т. 11, № 4. — С. 751-754. — Бібліогр.: 15 назв. — англ. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of UkraineСхожі ресурси
-
Electroplastic effect associated with the dislocation generation in the initially dislocation-free silicon filamentary crystals
за авторством: Ermakov, A.P., та інші
Опубліковано: (2004) -
Impact of germanium sublayer on percolation process in palladium thin films
за авторством: R. I. Bihun, та інші
Опубліковано: (2012) -
Features of tensoresistance in single crystals of germanium and silicon with different dopants
за авторством: Baranskii, P.I., та інші
Опубліковано: (2016) -
Features of tensoresistance in single crystals of germanium and silicon with different dopants
за авторством: P. I. Baranskii, та інші
Опубліковано: (2016) -
Electro-physical properties of γ-exposed crystals of silicon and germanium
за авторством: Dotsenko, Yu. P.
Опубліковано: (1999)