Чувствительность матриц ПЗС с электронным умножением

Исследованы чувствительность и основные электрические характеристики разработанных матриц приборов с зарядовой связью и электронным умножением с прямой засветкой формата 576×288 и 640×512 при комнатной температуре и низкой освещенности. Характеристики, полученные при освещенности 5•10⁻⁴ люкс (свечен...

Повний опис

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Дата:2018
Автори: Сизов, Ф.Ф., Голенков, А.Г., Рева, В.П., Забудский, В.В., Коринец, С.В., Торчинский, А.М.
Формат: Стаття
Мова:Russian
Опубліковано: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2018
Назва видання:Технология и конструирование в электронной аппаратуре
Теми:
Онлайн доступ:http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/140619
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:Чувствительность матриц ПЗС с электронным умножением / Ф.Ф. Сизов, А.Г. Голенков, В.П. Рева, В.В. Забудский, С.В. Коринец, А.М. Торчинский // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2018. — № 2. — С. 9-14. — Бібліогр.: 14 назв. — рос.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
id irk-123456789-140619
record_format dspace
institution Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
collection DSpace DC
language Russian
topic Системы передачи и обработки сигналов
Системы передачи и обработки сигналов
spellingShingle Системы передачи и обработки сигналов
Системы передачи и обработки сигналов
Сизов, Ф.Ф.
Голенков, А.Г.
Рева, В.П.
Забудский, В.В.
Коринец, С.В.
Торчинский, А.М.
Чувствительность матриц ПЗС с электронным умножением
Технология и конструирование в электронной аппаратуре
description Исследованы чувствительность и основные электрические характеристики разработанных матриц приборов с зарядовой связью и электронным умножением с прямой засветкой формата 576×288 и 640×512 при комнатной температуре и низкой освещенности. Характеристики, полученные при освещенности 5•10⁻⁴ люкс (свечение звездного неба при легкой облачности) и 10⁻² люкс (свечение звездного неба и четверти Луны), соответствуют параметрам электронно-оптических преобразователей поколения 2⁺, что предполагает возможность использования таких матриц в приборах ночного видения.
format Article
author Сизов, Ф.Ф.
Голенков, А.Г.
Рева, В.П.
Забудский, В.В.
Коринец, С.В.
Торчинский, А.М.
author_facet Сизов, Ф.Ф.
Голенков, А.Г.
Рева, В.П.
Забудский, В.В.
Коринец, С.В.
Торчинский, А.М.
author_sort Сизов, Ф.Ф.
title Чувствительность матриц ПЗС с электронным умножением
title_short Чувствительность матриц ПЗС с электронным умножением
title_full Чувствительность матриц ПЗС с электронным умножением
title_fullStr Чувствительность матриц ПЗС с электронным умножением
title_full_unstemmed Чувствительность матриц ПЗС с электронным умножением
title_sort чувствительность матриц пзс с электронным умножением
publisher Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
publishDate 2018
topic_facet Системы передачи и обработки сигналов
url http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/140619
citation_txt Чувствительность матриц ПЗС с электронным умножением / Ф.Ф. Сизов, А.Г. Голенков, В.П. Рева, В.В. Забудский, С.В. Коринец, А.М. Торчинский // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2018. — № 2. — С. 9-14. — Бібліогр.: 14 назв. — рос.
series Технология и конструирование в электронной аппаратуре
work_keys_str_mv AT sizovff čuvstvitelʹnostʹmatricpzssélektronnymumnoženiem
AT golenkovag čuvstvitelʹnostʹmatricpzssélektronnymumnoženiem
AT revavp čuvstvitelʹnostʹmatricpzssélektronnymumnoženiem
AT zabudskijvv čuvstvitelʹnostʹmatricpzssélektronnymumnoženiem
AT korinecsv čuvstvitelʹnostʹmatricpzssélektronnymumnoženiem
AT torčinskijam čuvstvitelʹnostʹmatricpzssélektronnymumnoženiem
first_indexed 2023-10-18T21:23:03Z
last_indexed 2023-10-18T21:23:03Z
_version_ 1796152668189622272
spelling irk-123456789-1406192018-07-13T01:22:46Z Чувствительность матриц ПЗС с электронным умножением Сизов, Ф.Ф. Голенков, А.Г. Рева, В.П. Забудский, В.В. Коринец, С.В. Торчинский, А.М. Системы передачи и обработки сигналов Исследованы чувствительность и основные электрические характеристики разработанных матриц приборов с зарядовой связью и электронным умножением с прямой засветкой формата 576×288 и 640×512 при комнатной температуре и низкой освещенности. Характеристики, полученные при освещенности 5•10⁻⁴ люкс (свечение звездного неба при легкой облачности) и 10⁻² люкс (свечение звездного неба и четверти Луны), соответствуют параметрам электронно-оптических преобразователей поколения 2⁺, что предполагает возможность использования таких матриц в приборах ночного видения. Досліджено чутливість і основні електричні характеристики розроблених матриць приладів із зарядовим зв'язком і електронним множенням з прямим засвіченням при кімнатній температурі і низькій освітленості. Фотоматриці формату 576×288 і 640×512 були спроектовані з використанням архітектури покадрового перенесення (frame transfer) по 1,5-мкм проектним нормам з розмірами фоточутливих елементів 20×30 і 16×16 мкм відповідно і виготовлені по n-канальній технології з «прихованим» каналом, чотирма рівнями полікремнієвих електродів і двома рівнями металізації. Для аналізу можливостей застосування розроблених матриць ПЗЗ-ЕМ в системах спостереження в умовах малої освітленості проводилася експериментальна оцінка чутливості матриць. Вона ґрунтувалась на порівнянні показань люксметрів та критерії Джонсона з використанням стандартної тестової таблиці 1951 USAF resolution target test chart для мінімального розміру пар ліній, що розрізняються спостерігачем (одна пара складається з темної і світлої лінії). Характеристики, отримані при освітленості 5∙10⁻⁴ люкс (світіння зоряного неба при легкій хмарності) і 10⁻² люкс (світіння зоряного неба і чверті Місяця), відповідають параметрам електронно-оптичних перетворювачів покоління 2⁺, що передбачає можливість використання таких матриць в приладах нічного бачення. При Еv≈5∙10⁻⁴ люкс камера, реалізована з застосуванням розроблених матриць ПЗЗ-ЕМ, дозволить виявити людську фігуру на відстані близько 200 м. При освітленості 10⁻² люкс на цій відстані людська фігура може бути ідентифікована. The sensitivity and basic electrical characteristics of the developed direct illumination matrices with chargecoupled devices and electronic multiplication were investigated at room temperatures and low illumination. Photomatrices of 576×288 and 640×512 format were designed using frame transfer architecture and 1.5-μm design rules with photosensitive cell sizes of 20×30 and 16×16 μm, respectively, and manufactured using n-channel technology with buried channel, four levels of polysilicon electrodes and two levels of metallization. To analyze the possibilities of the developed EMCCD matrices used in monitoring systems at low-light conditions, an experimental assessment of the matrices sensitivity was carried out. The assessment was based on a comparison of the luxmeter readings and Johnson's criteria using the standard 1951 USAF resolution target test table for the minimum size of line pairs distinguished by the observer (one pair consists of a dark and a light lines). The characteristics obtained with illumination of 5∙10⁻⁴ lux (glow of the starry sky with light clouds) and 10⁻² lux (glow of the starry sky and the quarter of the Moon) corresponds to the parameters of generation 2⁺ electron-optical converters, which implies the possibility to use such matrices in night vision devices. At Еv ≈ 5∙10⁻⁴ lux, the camera with the developed EMCCD matrices will detect a human figure at the distance of about 200 m. With illumination of 10⁻² lux at this distance a human figure can be identified. 2018 Article Чувствительность матриц ПЗС с электронным умножением / Ф.Ф. Сизов, А.Г. Голенков, В.П. Рева, В.В. Забудский, С.В. Коринец, А.М. Торчинский // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2018. — № 2. — С. 9-14. — Бібліогр.: 14 назв. — рос. 2225-5818 DOI: 10.15222/TKEA2018.2.09 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/140619 621.383.72 ru Технология и конструирование в электронной аппаратуре Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України