Низкотемпературный изотермический метод хлоридной эпитаксии In₁₋ᵪGaᵪAs
Новый низкотемпературный изотермический метод хлоридной эпитаксии позволяет получить изопериодные гетероструктуры In₁₋ᵪGaᵪAs/InP.
Збережено в:
| Дата: | 1998 |
|---|---|
| Автор: | |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Russian |
| Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
1998
|
| Назва видання: | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/140762 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Низкотемпературный изотермический метод хлоридной эпитаксии In₁₋ᵪGaᵪAs / С.К. Губа // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 1998. — № 2. — С. 40-42. — Бібліогр.: 11 назв. — рос. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| id |
irk-123456789-140762 |
|---|---|
| record_format |
dspace |
| spelling |
irk-123456789-1407622018-07-16T01:23:11Z Низкотемпературный изотермический метод хлоридной эпитаксии In₁₋ᵪGaᵪAs Губа, С.К. Материалы для компонентов Новый низкотемпературный изотермический метод хлоридной эпитаксии позволяет получить изопериодные гетероструктуры In₁₋ᵪGaᵪAs/InP. The new low temperature isothermic method of the chloride epitaxy allows to obtain isoperiodic heterostructures In₁₋ᵪGaᵪAs/InP. 1998 Article Низкотемпературный изотермический метод хлоридной эпитаксии In₁₋ᵪGaᵪAs / С.К. Губа // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 1998. — № 2. — С. 40-42. — Бібліогр.: 11 назв. — рос. 2225-5818 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/140762 ru Технология и конструирование в электронной аппаратуре Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
| institution |
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| collection |
DSpace DC |
| language |
Russian |
| topic |
Материалы для компонентов Материалы для компонентов |
| spellingShingle |
Материалы для компонентов Материалы для компонентов Губа, С.К. Низкотемпературный изотермический метод хлоридной эпитаксии In₁₋ᵪGaᵪAs Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| description |
Новый низкотемпературный изотермический метод хлоридной эпитаксии позволяет получить изопериодные гетероструктуры In₁₋ᵪGaᵪAs/InP. |
| format |
Article |
| author |
Губа, С.К. |
| author_facet |
Губа, С.К. |
| author_sort |
Губа, С.К. |
| title |
Низкотемпературный изотермический метод хлоридной эпитаксии In₁₋ᵪGaᵪAs |
| title_short |
Низкотемпературный изотермический метод хлоридной эпитаксии In₁₋ᵪGaᵪAs |
| title_full |
Низкотемпературный изотермический метод хлоридной эпитаксии In₁₋ᵪGaᵪAs |
| title_fullStr |
Низкотемпературный изотермический метод хлоридной эпитаксии In₁₋ᵪGaᵪAs |
| title_full_unstemmed |
Низкотемпературный изотермический метод хлоридной эпитаксии In₁₋ᵪGaᵪAs |
| title_sort |
низкотемпературный изотермический метод хлоридной эпитаксии in₁₋ᵪgaᵪas |
| publisher |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
| publishDate |
1998 |
| topic_facet |
Материалы для компонентов |
| url |
http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/140762 |
| citation_txt |
Низкотемпературный изотермический метод хлоридной эпитаксии In₁₋ᵪGaᵪAs / С.К. Губа // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 1998. — № 2. — С. 40-42. — Бібліогр.: 11 назв. — рос. |
| series |
Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| work_keys_str_mv |
AT gubask nizkotemperaturnyjizotermičeskijmetodhloridnojépitaksiiin1χgaχas |
| first_indexed |
2023-10-18T21:23:23Z |
| last_indexed |
2023-10-18T21:23:23Z |
| _version_ |
1796152682630610944 |