Технология формирования высококачественных кремниевых эпитаксиальных структур
Разработана технология изготовления КЭС для биполярных интегральных схем без автолегирования и смещения скрытого слоя.
Збережено в:
| Дата: | 1998 |
|---|---|
| Автор: | |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Russian |
| Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
1998
|
| Назва видання: | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/140778 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Технология формирования высококачественных кремниевых эпитаксиальных структур / С.П. Новосядлый // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 1998. — № 3-4. — С. 23-25. — Бібліогр.: 2 назв. — рос. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| id |
irk-123456789-140778 |
|---|---|
| record_format |
dspace |
| spelling |
irk-123456789-1407782018-07-16T01:23:43Z Технология формирования высококачественных кремниевых эпитаксиальных структур Новосядлый, С.П. Технологические процессы Разработана технология изготовления КЭС для биполярных интегральных схем без автолегирования и смещения скрытого слоя. The manufacturing technology of silicon epitaxial structure of bipolar integrated circuits without autodoping and bias of buried layer has been developed. 1998 Article Технология формирования высококачественных кремниевых эпитаксиальных структур / С.П. Новосядлый // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 1998. — № 3-4. — С. 23-25. — Бібліогр.: 2 назв. — рос. 2225-5818 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/140778 ru Технология и конструирование в электронной аппаратуре Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
| institution |
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| collection |
DSpace DC |
| language |
Russian |
| topic |
Технологические процессы Технологические процессы |
| spellingShingle |
Технологические процессы Технологические процессы Новосядлый, С.П. Технология формирования высококачественных кремниевых эпитаксиальных структур Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| description |
Разработана технология изготовления КЭС для биполярных интегральных схем без автолегирования и смещения скрытого слоя. |
| format |
Article |
| author |
Новосядлый, С.П. |
| author_facet |
Новосядлый, С.П. |
| author_sort |
Новосядлый, С.П. |
| title |
Технология формирования высококачественных кремниевых эпитаксиальных структур |
| title_short |
Технология формирования высококачественных кремниевых эпитаксиальных структур |
| title_full |
Технология формирования высококачественных кремниевых эпитаксиальных структур |
| title_fullStr |
Технология формирования высококачественных кремниевых эпитаксиальных структур |
| title_full_unstemmed |
Технология формирования высококачественных кремниевых эпитаксиальных структур |
| title_sort |
технология формирования высококачественных кремниевых эпитаксиальных структур |
| publisher |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
| publishDate |
1998 |
| topic_facet |
Технологические процессы |
| url |
http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/140778 |
| citation_txt |
Технология формирования высококачественных кремниевых эпитаксиальных структур / С.П. Новосядлый // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 1998. — № 3-4. — С. 23-25. — Бібліогр.: 2 назв. — рос. |
| series |
Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| work_keys_str_mv |
AT novosâdlyjsp tehnologiâformirovaniâvysokokačestvennyhkremnievyhépitaksialʹnyhstruktur |
| first_indexed |
2023-10-18T21:23:25Z |
| last_indexed |
2023-10-18T21:23:25Z |
| _version_ |
1796152684331401216 |