Тривимірна глибинна геоелектріческіх модель Тарасівської структури Голованівської шовної зони

• Main Authors: Бурахович, Т.К., Іл´єнко, В.А., Кушнір, А.М., Ширков, Б.І.
• Format: Article
• Language: Ukrainian
• Published: Інститут геофізики ім. С.I. Субботіна НАН України 2018
• Series: Геофизический журнал
• Online Access: http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/145420

У 2017 року в центральній частині Ятранського блоку Голованівської шовної зони виконані майданні синхронні вимірювання зовнішнього змінного низькочастотного природного електромагнітного поля Землі і побудова тривимірного глибинного розподілу питомого опору в земній корі Тарасівській структури (48 ° 32 'пн, 30 ° 37' в . Д.). Аналіз експериментальних даних (криві глибинного магнітотелуричного зондування для діапазону періодів 10-10000 з і комплексні індукційні параметри для періодів 20-6900 с) свідчить про складну тривимірної ситуації, яка передбачає наявність поверхневої і, можливо, глибинної електропровідний аномалії. За результатами тривимірного моделювання Тарасівська структура фрагментарно проявляється в низькому електричному опорі ρ, її субширотно перетинають електропровідні зони з різним ρ, в яких саме низькі значення від 10 Ом · м на півдні до 100 Ом · м на півночі знаходяться в її контурі. У вертикальному розрізі структуру можна представити у вигляді декількох шарів: перший - електропровідний з ρ = 10 ÷ 250 Ом · м - з поверхні до 10 м (на північ від 48'30 °) і 100 м (на південь від 48 ° 30 '), швидше за все, пов'язаний не тільки з високою електропровідністю поверхневих осадових відкладень, а й із зоною дезінтеграції порід кристалічного фундаменту; другий - високого опору з ρ = 10 000 Ом · м - з 100 м до 2 км може бути представлений однорідної недифференцированностью товщею; третій - електропровідний з ρ = 10 ÷ 250 Ом · м з 2-3 км до 10 км, ймовірно, може пояснюватися особливим складом порід земної кори на цих глибинах (графітизацією, сульфідізаціей і т. д.) або флюїдизації різного походження. Все частіше за останніми даними природу аномалій розглядають як результат спільного Вляна електронного та іонного типів електропровідності.