Роль микроструктуры поверхности в формировании потенциала взаимодействия между близко разделенными вакуумным промежутком неидентичными диэлектрическими (полупроводниковыми) наночастицами

Теоретически рассчитана структурная компонента ΔVst(r) потенциала взаимодействия V(r) в разделяющем две диэлектрические (полупроводниковые) наночастицы в вакуумном промежутке L, обусловленная микроскопической (атомной) структурой их поверхностей. В границах локальной и нелокальной электростатики дл...

Повний опис

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Дата:2006
Автори: Ильченко, Л.Г., Лобанов, В.В., Чуйко, А.А.
Формат: Стаття
Мова:Russian
Опубліковано: Інститут хімії поверхні ім. О.О. Чуйка НАН України 2006
Назва видання:Поверхность
Теми:
Онлайн доступ:http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/146474
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:Роль микроструктуры поверхности в формировании потенциала взаимодействия между близко разделенными вакуумным промежутком неидентичными диэлектрическими (полупроводниковыми) наночастицами / Л.Г. Ильченко, В.В. Лобанов, А.А. Чуйко // Поверхность. — 2006. — Вип. 11-12. — С. 4-19. — Бібліогр.: 18 назв. — рос.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
id irk-123456789-146474
record_format dspace
spelling irk-123456789-1464742019-02-10T01:24:27Z Роль микроструктуры поверхности в формировании потенциала взаимодействия между близко разделенными вакуумным промежутком неидентичными диэлектрическими (полупроводниковыми) наночастицами Ильченко, Л.Г. Лобанов, В.В. Чуйко, А.А. Моделирование процессов на поверхности Теоретически рассчитана структурная компонента ΔVst(r) потенциала взаимодействия V(r) в разделяющем две диэлектрические (полупроводниковые) наночастицы в вакуумном промежутке L, обусловленная микроскопической (атомной) структурой их поверхностей. В границах локальной и нелокальной электростатики для несимметричной системы показано, что для малых разделяющих расстояний L~3-20 Å суперпозиция модулированной части потенциала ΔVst(r) от обеих поверхностей приводит к возникновению областей существенного повышения (понижения) высоты суммарного потенциального барьера во всем разделяющем промежутке. The structural component ΔVst(r) of the interaction potential V(r) in a vacuum interval dividing two dielectric (semiconductor) nanoparticles determined by the microscopic (atomic) structure of their surfaces is calculated theoretically. Within the framework of local and nonlocal electrostatics for an asymmetrical system is shown that for the narrow dividing distances 203~-L Å the superposition of the modulated part of the potential ΔVst(r) from both surfaces promotes originating of the regions of the considerable increase (decrease) of the total potential barrier height within all the dividing interval. 2006 Article Роль микроструктуры поверхности в формировании потенциала взаимодействия между близко разделенными вакуумным промежутком неидентичными диэлектрическими (полупроводниковыми) наночастицами / Л.Г. Ильченко, В.В. Лобанов, А.А. Чуйко // Поверхность. — 2006. — Вип. 11-12. — С. 4-19. — Бібліогр.: 18 назв. — рос. 2617-5975 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/146474 539.2.01 ru Поверхность Інститут хімії поверхні ім. О.О. Чуйка НАН України
institution Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
collection DSpace DC
language Russian
topic Моделирование процессов на поверхности
Моделирование процессов на поверхности
spellingShingle Моделирование процессов на поверхности
Моделирование процессов на поверхности
Ильченко, Л.Г.
Лобанов, В.В.
Чуйко, А.А.
Роль микроструктуры поверхности в формировании потенциала взаимодействия между близко разделенными вакуумным промежутком неидентичными диэлектрическими (полупроводниковыми) наночастицами
Поверхность
description Теоретически рассчитана структурная компонента ΔVst(r) потенциала взаимодействия V(r) в разделяющем две диэлектрические (полупроводниковые) наночастицы в вакуумном промежутке L, обусловленная микроскопической (атомной) структурой их поверхностей. В границах локальной и нелокальной электростатики для несимметричной системы показано, что для малых разделяющих расстояний L~3-20 Å суперпозиция модулированной части потенциала ΔVst(r) от обеих поверхностей приводит к возникновению областей существенного повышения (понижения) высоты суммарного потенциального барьера во всем разделяющем промежутке.
format Article
author Ильченко, Л.Г.
Лобанов, В.В.
Чуйко, А.А.
author_facet Ильченко, Л.Г.
Лобанов, В.В.
Чуйко, А.А.
author_sort Ильченко, Л.Г.
title Роль микроструктуры поверхности в формировании потенциала взаимодействия между близко разделенными вакуумным промежутком неидентичными диэлектрическими (полупроводниковыми) наночастицами
title_short Роль микроструктуры поверхности в формировании потенциала взаимодействия между близко разделенными вакуумным промежутком неидентичными диэлектрическими (полупроводниковыми) наночастицами
title_full Роль микроструктуры поверхности в формировании потенциала взаимодействия между близко разделенными вакуумным промежутком неидентичными диэлектрическими (полупроводниковыми) наночастицами
title_fullStr Роль микроструктуры поверхности в формировании потенциала взаимодействия между близко разделенными вакуумным промежутком неидентичными диэлектрическими (полупроводниковыми) наночастицами
title_full_unstemmed Роль микроструктуры поверхности в формировании потенциала взаимодействия между близко разделенными вакуумным промежутком неидентичными диэлектрическими (полупроводниковыми) наночастицами
title_sort роль микроструктуры поверхности в формировании потенциала взаимодействия между близко разделенными вакуумным промежутком неидентичными диэлектрическими (полупроводниковыми) наночастицами
publisher Інститут хімії поверхні ім. О.О. Чуйка НАН України
publishDate 2006
topic_facet Моделирование процессов на поверхности
url http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/146474
citation_txt Роль микроструктуры поверхности в формировании потенциала взаимодействия между близко разделенными вакуумным промежутком неидентичными диэлектрическими (полупроводниковыми) наночастицами / Л.Г. Ильченко, В.В. Лобанов, А.А. Чуйко // Поверхность. — 2006. — Вип. 11-12. — С. 4-19. — Бібліогр.: 18 назв. — рос.
series Поверхность
work_keys_str_mv AT ilʹčenkolg rolʹmikrostrukturypoverhnostivformirovaniipotencialavzaimodejstviâmeždublizkorazdelennymivakuumnympromežutkomneidentičnymidiélektričeskimipoluprovodnikovyminanočasticami
AT lobanovvv rolʹmikrostrukturypoverhnostivformirovaniipotencialavzaimodejstviâmeždublizkorazdelennymivakuumnympromežutkomneidentičnymidiélektričeskimipoluprovodnikovyminanočasticami
AT čujkoaa rolʹmikrostrukturypoverhnostivformirovaniipotencialavzaimodejstviâmeždublizkorazdelennymivakuumnympromežutkomneidentičnymidiélektričeskimipoluprovodnikovyminanočasticami
first_indexed 2023-05-20T17:24:52Z
last_indexed 2023-05-20T17:24:52Z
_version_ 1796153243100774400