Применение аддитивных технологий для выращивания крупных профилированных монокристаллов вольфрама и молибдена

• Видавець: Інститут електрозварювання ім. Є.О. Патона НАН України
• Дата: 2016
• Автори: Шаповалов, В.А., Якуша, В.В., Гниздыло, А.Н., Никитенко, Ю.А.
• Формат: Стаття
• Мова: Russian
• Опубліковано: Інститут електрозварювання ім. Є.О. Патона НАН України 2016
• Назва видання: Автоматическая сварка
• Теми: 3D аддитивные технологии
• Онлайн доступ: http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/146770
• Цитувати: Применение аддитивных технологий для выращивания крупных профилированных монокристаллов вольфрама и молибдена / В.А. Шаповалов, В.В. Якуша, А.Н. Гниздыло, Ю.А. Никитенко // Автоматическая сварка. — 2016. — № 5-6 (753). — С. 145-147. — Бібліогр.: 9 назв. — рос.

Рассмотрено использование аддитивных сварочных технологий применительно к выращиванию супербольших монокристаллов тугоплавких металлов. Кратко проанализированы основные методы получения монокристаллов вольфрама и молибдена из жидкой фазы. Показана перспективность плазменно-индукционной технологии для выращивания крупных плоских монокристаллов вольфрама и молибдена. Описана технологическая схема аддитивного выращивания плоских монокристаллов тугоплавких металлов с применением плазменно-индукционного способа. Установлено, что разработанный способ предоставляет возможность гибкого управления тепловым полем выращиваемого монокристалла. Использование локальной расплавленной зоны, формируемой плазменной дугой небольшой мощности, с параметрами, характерными для сварочных процессов, позволяет выращивать крупные монокристаллы вольфрама размером 210x180x20 мм. Кристаллы формируются в условиях нагрева высокочастотным полем индуктора до температур, характерных для диапазона горячей деформации. Приведены результаты исследований структурного совершенства выращиваемых кристаллов, которые подтверждают тот факт, что условия формирования монокристаллов при плазменно-индукционной зонной плавке обеспечивают качество монокристаллической структуры более высокое, чем способы, в которых не используется дополнительный подогрев (электронно-лучевой и плазменно-дуговой). Выявлено, что для плазменно-индукционного процесса характерно образование регулярных дислокационных структур, для которых свойственно объединение дислокаций в малоугловые границы.