Quantum effects in multilayer Si-Ge nanoheterostructures
The lateral photoconductivity spectra and photofield electron emission were used to investigate multilayer Ge/Si heterostructures with Ge quantum dots. Earlier we have revealed a close connection between elastic strain in Ge quantum dots originating due to the lattice mismatch during the epitaxial g...
Збережено в:
| Дата: | 2008 |
|---|---|
| Автори: | , , , , , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | English |
| Опубліковано: |
Інститут хімії поверхні ім. О.О. Чуйка НАН України
2008
|
| Назва видання: | Поверхность |
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/146920 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Quantum effects in multilayer Si-Ge nanoheterostructures / Yu.N. Kozyrev, M.Yu. Rubezhanska, A.V. Sushyі, S.V. Kondratenko, O.V. Vakulenko, A.A. Dadykin, A.G. Naumovets // Поверхность. — 2008. — Вип. 14. — С. 176-185. — Бібліогр.: 25 назв. — англ. |