Формирование полированной поверхности монокристаллов твердых растворов ZnxCd₁-xTe травителями HNO₃–HBr–этиленгликоль
Исследован процесс химического травления поверхности монокристаллов твердых растворов ZnxCd₁-xTe бромвыделяющими травителями HNO₃–HBr–этиленгликоль. Изучены зависимости скоростей растворения кристаллов от состава травителей, скорости перемешивания и температуры, а также состояние поверхности после...
Збережено в:
Дата: | 2008 |
---|---|
Автори: | , , , , |
Формат: | Стаття |
Мова: | Russian |
Опубліковано: |
Інститут хімії поверхні ім. О.О. Чуйка НАН України
2008
|
Назва видання: | Поверхность |
Теми: | |
Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/146921 |
Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
Цитувати: | Формирование полированной поверхности монокристаллов твердых растворов ZnxCd₁-xTe травителями HNO₃–HBr–этиленгликоль / В.Н. Томашик, Г.М. Окрепка, З.Ф. Томашик, П. Моравец, П. Гешл // Поверхность. — 2008. — Вип. 14. — С. 186-192. — Бібліогр.: 7 назв. — рос. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraineid |
irk-123456789-146921 |
---|---|
record_format |
dspace |
spelling |
irk-123456789-1469212019-02-13T01:23:15Z Формирование полированной поверхности монокристаллов твердых растворов ZnxCd₁-xTe травителями HNO₃–HBr–этиленгликоль Томашик, В.Н. Окрепка, Г.М. Томашик, З.Ф. Моравец, П. Гешл, П. Физико-химия поверхностных явлений Исследован процесс химического травления поверхности монокристаллов твердых растворов ZnxCd₁-xTe бромвыделяющими травителями HNO₃–HBr–этиленгликоль. Изучены зависимости скоростей растворения кристаллов от состава травителей, скорости перемешивания и температуры, а также состояние поверхности после полирования методами металлографического и профилографического анализов. Определены концентрационные границы растворов для химико-динамического полирования рассмотренных полупроводников. Chemical etching of the ZnхCd₁-хTe solid solution single-crystals surfaces in the bromine emerging etchants based on HNO₃–HBr–С₃Н₆О₃ system has been studied. Crystal etching rate dependences has been studied on etchant composition, disc rotation speed and temperature as well as surface status after chemical polishing using metallography and profilography. The etchant optimum compositions have been found for the chemical-dynamic polishing of ZnхCd₁-хTe solid solutions. 2008 Article Формирование полированной поверхности монокристаллов твердых растворов ZnxCd₁-xTe травителями HNO₃–HBr–этиленгликоль / В.Н. Томашик, Г.М. Окрепка, З.Ф. Томашик, П. Моравец, П. Гешл // Поверхность. — 2008. — Вип. 14. — С. 186-192. — Бібліогр.: 7 назв. — рос. 2617-5975 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/146921 621.794 4 : 546.47/48 24 ru Поверхность Інститут хімії поверхні ім. О.О. Чуйка НАН України |
institution |
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
collection |
DSpace DC |
language |
Russian |
topic |
Физико-химия поверхностных явлений Физико-химия поверхностных явлений |
spellingShingle |
Физико-химия поверхностных явлений Физико-химия поверхностных явлений Томашик, В.Н. Окрепка, Г.М. Томашик, З.Ф. Моравец, П. Гешл, П. Формирование полированной поверхности монокристаллов твердых растворов ZnxCd₁-xTe травителями HNO₃–HBr–этиленгликоль Поверхность |
description |
Исследован процесс химического травления поверхности монокристаллов твердых растворов ZnxCd₁-xTe бромвыделяющими травителями HNO₃–HBr–этиленгликоль. Изучены зависимости скоростей растворения кристаллов от состава травителей, скорости перемешивания и температуры, а также состояние поверхности после полирования методами металлографического и профилографического анализов. Определены концентрационные границы растворов для химико-динамического полирования рассмотренных полупроводников. |
format |
Article |
author |
Томашик, В.Н. Окрепка, Г.М. Томашик, З.Ф. Моравец, П. Гешл, П. |
author_facet |
Томашик, В.Н. Окрепка, Г.М. Томашик, З.Ф. Моравец, П. Гешл, П. |
author_sort |
Томашик, В.Н. |
title |
Формирование полированной поверхности монокристаллов твердых растворов ZnxCd₁-xTe травителями HNO₃–HBr–этиленгликоль |
title_short |
Формирование полированной поверхности монокристаллов твердых растворов ZnxCd₁-xTe травителями HNO₃–HBr–этиленгликоль |
title_full |
Формирование полированной поверхности монокристаллов твердых растворов ZnxCd₁-xTe травителями HNO₃–HBr–этиленгликоль |
title_fullStr |
Формирование полированной поверхности монокристаллов твердых растворов ZnxCd₁-xTe травителями HNO₃–HBr–этиленгликоль |
title_full_unstemmed |
Формирование полированной поверхности монокристаллов твердых растворов ZnxCd₁-xTe травителями HNO₃–HBr–этиленгликоль |
title_sort |
формирование полированной поверхности монокристаллов твердых растворов znxcd₁-xte травителями hno₃–hbr–этиленгликоль |
publisher |
Інститут хімії поверхні ім. О.О. Чуйка НАН України |
publishDate |
2008 |
topic_facet |
Физико-химия поверхностных явлений |
url |
http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/146921 |
citation_txt |
Формирование полированной поверхности монокристаллов твердых растворов ZnxCd₁-xTe травителями HNO₃–HBr–этиленгликоль / В.Н. Томашик, Г.М. Окрепка, З.Ф. Томашик, П. Моравец, П. Гешл // Поверхность. — 2008. — Вип. 14. — С. 186-192. — Бібліогр.: 7 назв. — рос. |
series |
Поверхность |
work_keys_str_mv |
AT tomašikvn formirovaniepolirovannojpoverhnostimonokristallovtverdyhrastvorovznxcd1xtetravitelâmihno3hbrétilenglikolʹ AT okrepkagm formirovaniepolirovannojpoverhnostimonokristallovtverdyhrastvorovznxcd1xtetravitelâmihno3hbrétilenglikolʹ AT tomašikzf formirovaniepolirovannojpoverhnostimonokristallovtverdyhrastvorovznxcd1xtetravitelâmihno3hbrétilenglikolʹ AT moravecp formirovaniepolirovannojpoverhnostimonokristallovtverdyhrastvorovznxcd1xtetravitelâmihno3hbrétilenglikolʹ AT gešlp formirovaniepolirovannojpoverhnostimonokristallovtverdyhrastvorovznxcd1xtetravitelâmihno3hbrétilenglikolʹ |
first_indexed |
2023-05-20T17:26:03Z |
last_indexed |
2023-05-20T17:26:03Z |
_version_ |
1796153285102534656 |