Некоторые соображения об образовании дефектов в кристаллах на атомном уровне

Рассмотрены колебания и взаимодействие двух положительных ионов, погружённых в электронный газ, в том числе и в областях, далёких от линейного поведения. Показано, что, для того, чтобы движение ионов было неустойчивым, необходимо, чтобы они хоть иногда в процессе своих колебаний отходили друг от дру...

Повний опис

Збережено в:

Бібліографічні деталі
Дата:	2018
Автори:	Засимчук, В.И., Засимчук, Е.Э.
Формат:	Стаття
Мова:	Russian
Опубліковано:	Інститут металофізики ім. Г.В. Курдюмова НАН України 2018
Назва видання:	Металлофизика и новейшие технологии
Теми:	Дефекты кристаллической решётки
Онлайн доступ:	http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/146957
Теги:	Додати тег Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:	Некоторые соображения об образовании дефектов в кристаллах на атомном уровне / В.И. Засимчук, Е.Э. Засимчук // Металлофизика и новейшие технологии. — 2018. — Т. 40, № 6. — С. 845-857. — Бібліогр.: 16 назв. — рос.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

id	irk-123456789-146957
record_format	dspace
spelling	irk-123456789-1469572019-02-13T01:24:13Z Некоторые соображения об образовании дефектов в кристаллах на атомном уровне Засимчук, В.И. Засимчук, Е.Э. Дефекты кристаллической решётки Рассмотрены колебания и взаимодействие двух положительных ионов, погружённых в электронный газ, в том числе и в областях, далёких от линейного поведения. Показано, что, для того, чтобы движение ионов было неустойчивым, необходимо, чтобы они хоть иногда в процессе своих колебаний отходили друг от друга на расстояния, больше 1,5α. Для одновалентных металлов оценены колебательная энергия иона, необходимая, чтобы это произошло, а также вероятность появления таких ионов. Полученные результаты обобщены на металлический образец. Рассмотрен случай большого числа «неустойчивых ионов». Досліджено коливання та взаємодію двох позитивних йонів, яких занурено у електронний газ, в тому числі і в областях, які є далекими від лінійної поведінки. Показано, що, для того, щоб рух йонів був неусталеним, необхідно, щоб вони хоч іноді під час своїх коливань відходили один від одного на віддаль, більшу, ніж 1,5α. Для металів з валентністю, рівною одиниці, оцінено коливну енергію йону, яка потрібна для цього, а також ймовірність появи таких йонів. Одержані результати були узагальнені на металевий зразок. Досліджено випадок великої кількості «неусталених йонів». Oscillations and interaction of two positive ions embedded into electron gas are investigated including the region far from the linear behaviour. As shown, in order to be unstable movement of the ions, it is necessary that they go away one another on a distance larger than 1.5α at least sometimes during their oscillations. The vibrational energy of ion, which is necessary in order to take place for this separation, and probability of appearance of such ions are estimated for a univalent metals. The obtained results are generalized on a bulk metal. A case of a large number of ‘unstable ions’ is investigated. 2018 Article Некоторые соображения об образовании дефектов в кристаллах на атомном уровне / В.И. Засимчук, Е.Э. Засимчук // Металлофизика и новейшие технологии. — 2018. — Т. 40, № 6. — С. 845-857. — Бібліогр.: 16 назв. — рос. 1024-1809 PACS: 05.45.-a, 05.70.-a, 61.72.Bb, 62.20.fq, 62.25.Mn, 81.40.Lm, 83.50.Ha DOI: https://doi.org/10.15407/mfint.40.06.0845 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/146957 ru Металлофизика и новейшие технологии Інститут металофізики ім. Г.В. Курдюмова НАН України
institution	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
collection	DSpace DC
language	Russian
topic	Дефекты кристаллической решётки Дефекты кристаллической решётки
spellingShingle	Дефекты кристаллической решётки Дефекты кристаллической решётки Засимчук, В.И. Засимчук, Е.Э. Некоторые соображения об образовании дефектов в кристаллах на атомном уровне Металлофизика и новейшие технологии
description	Рассмотрены колебания и взаимодействие двух положительных ионов, погружённых в электронный газ, в том числе и в областях, далёких от линейного поведения. Показано, что, для того, чтобы движение ионов было неустойчивым, необходимо, чтобы они хоть иногда в процессе своих колебаний отходили друг от друга на расстояния, больше 1,5α. Для одновалентных металлов оценены колебательная энергия иона, необходимая, чтобы это произошло, а также вероятность появления таких ионов. Полученные результаты обобщены на металлический образец. Рассмотрен случай большого числа «неустойчивых ионов».
format	Article
author	Засимчук, В.И. Засимчук, Е.Э.
author_facet	Засимчук, В.И. Засимчук, Е.Э.
author_sort	Засимчук, В.И.
title	Некоторые соображения об образовании дефектов в кристаллах на атомном уровне
title_short	Некоторые соображения об образовании дефектов в кристаллах на атомном уровне
title_full	Некоторые соображения об образовании дефектов в кристаллах на атомном уровне
title_fullStr	Некоторые соображения об образовании дефектов в кристаллах на атомном уровне
title_full_unstemmed	Некоторые соображения об образовании дефектов в кристаллах на атомном уровне
title_sort	некоторые соображения об образовании дефектов в кристаллах на атомном уровне
publisher	Інститут металофізики ім. Г.В. Курдюмова НАН України
publishDate	2018
topic_facet	Дефекты кристаллической решётки
url	http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/146957
citation_txt	Некоторые соображения об образовании дефектов в кристаллах на атомном уровне / В.И. Засимчук, Е.Э. Засимчук // Металлофизика и новейшие технологии. — 2018. — Т. 40, № 6. — С. 845-857. — Бібліогр.: 16 назв. — рос.
series	Металлофизика и новейшие технологии
work_keys_str_mv	AT zasimčukvi nekotoryesoobraženiâobobrazovaniidefektovvkristallahnaatomnomurovne AT zasimčukeé nekotoryesoobraženiâobobrazovaniidefektovvkristallahnaatomnomurovne
first_indexed	2023-05-20T17:26:10Z
last_indexed	2023-05-20T17:26:10Z
_version_	1796153288927739904

Некоторые соображения об образовании дефектов в кристаллах на атомном уровне

Репозитарії

Схожі ресурси