Компьютерное моделирование профилей дефектообразования при низкотемпературном облучении наноструктурной пленки Nb ионами Ti⁺
Методами компьютерного моделирования исследованы профили образования точечных дефектов в зависимости от угла падения ионов при облучении поверхности ниобиевой наноструктурной пленки ионами Ti⁺. Энергия падающих ионов Е изменялась в интервале 0,5…2,0 кэВ, угол падения варьировался от 0 до 80°. Полу...
Збережено в:
| Дата: | 2018 |
|---|---|
| Автори: | , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Russian |
| Опубліковано: |
Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України
2018
|
| Назва видання: | Вопросы атомной науки и техники |
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/147028 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Компьютерное моделирование профилей дефектообразования при низкотемпературном облучении наноструктурной пленки Nb ионами Ti⁺ / В.И. Павленко, И.Г. Марченко // Вопросы атомной науки и техники. — 2018. — № 2. — С. 3-7. — Бібліогр.: 25 назв. — рос. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| id |
irk-123456789-147028 |
|---|---|
| record_format |
dspace |
| spelling |
irk-123456789-1470282019-02-20T16:41:23Z Компьютерное моделирование профилей дефектообразования при низкотемпературном облучении наноструктурной пленки Nb ионами Ti⁺ Павленко, В.И. Марченко, И.Г. Физика радиационных повреждений и явлений в твердых телах Методами компьютерного моделирования исследованы профили образования точечных дефектов в зависимости от угла падения ионов при облучении поверхности ниобиевой наноструктурной пленки ионами Ti⁺. Энергия падающих ионов Е изменялась в интервале 0,5…2,0 кэВ, угол падения варьировался от 0 до 80°. Получены угловые зависимости профилей распределения вакансий и межузельных атомов. Показано, что существует интервал углов падающих ионов, при котором наблюдаются максимальные значения концентраций вакансий и межузельных атомов Методами комп'ютерного моделювання досліджені профілі утворення точкових дефектів залежно від кута падіння іонів при опроміненні поверхні ніобієвої наноструктурної плівки іонами Tii⁺. Енергія Е іонів, що падають, змінювалася в інтервалі 0,5…2,0 кэВ, кут падіння варіювався від 0 до 80°. Отримані кутові залежності профілів розподілу вакансій і міжвузольних атомів. Показано, що існує інтервал кутів іонів, що падають, в якому спостерігаються максимальні значення концентрацій вакансій і міжвузольних атомів. In the work of computer modeling methods, the profiles of the formation of point defects are studied as a function of the angle of incidence of ions upon irradiation of the surface of a niobium nanostructured film with Ti⁺ ions. The energy E of the incident ions varied in the energy range from 0.5 to 2.0 keV, the angle of incidence varied from 0 to 80°. Angular dependences of the profiles of the distribution of vacancies and interstitial atoms were obtained. It is shown that there exists an interval of angles of incident ions at which the maximum values of vacancy concentrations and interstitial atoms are observed. 2018 Article Компьютерное моделирование профилей дефектообразования при низкотемпературном облучении наноструктурной пленки Nb ионами Ti⁺ / В.И. Павленко, И.Г. Марченко // Вопросы атомной науки и техники. — 2018. — № 2. — С. 3-7. — Бібліогр.: 25 назв. — рос. 1562-6016 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/147028 539.534.9:523.23 ru Вопросы атомной науки и техники Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України |
| institution |
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| collection |
DSpace DC |
| language |
Russian |
| topic |
Физика радиационных повреждений и явлений в твердых телах Физика радиационных повреждений и явлений в твердых телах |
| spellingShingle |
Физика радиационных повреждений и явлений в твердых телах Физика радиационных повреждений и явлений в твердых телах Павленко, В.И. Марченко, И.Г. Компьютерное моделирование профилей дефектообразования при низкотемпературном облучении наноструктурной пленки Nb ионами Ti⁺ Вопросы атомной науки и техники |
| description |
Методами компьютерного моделирования исследованы профили образования точечных дефектов в зависимости от угла падения ионов при облучении поверхности ниобиевой наноструктурной пленки ионами Ti⁺. Энергия падающих ионов Е изменялась в интервале 0,5…2,0 кэВ, угол падения варьировался от 0 до 80°. Получены угловые зависимости профилей распределения вакансий и межузельных атомов. Показано, что существует интервал углов падающих ионов, при котором наблюдаются максимальные значения концентраций вакансий и межузельных атомов |
| format |
Article |
| author |
Павленко, В.И. Марченко, И.Г. |
| author_facet |
Павленко, В.И. Марченко, И.Г. |
| author_sort |
Павленко, В.И. |
| title |
Компьютерное моделирование профилей дефектообразования при низкотемпературном облучении наноструктурной пленки Nb ионами Ti⁺ |
| title_short |
Компьютерное моделирование профилей дефектообразования при низкотемпературном облучении наноструктурной пленки Nb ионами Ti⁺ |
| title_full |
Компьютерное моделирование профилей дефектообразования при низкотемпературном облучении наноструктурной пленки Nb ионами Ti⁺ |
| title_fullStr |
Компьютерное моделирование профилей дефектообразования при низкотемпературном облучении наноструктурной пленки Nb ионами Ti⁺ |
| title_full_unstemmed |
Компьютерное моделирование профилей дефектообразования при низкотемпературном облучении наноструктурной пленки Nb ионами Ti⁺ |
| title_sort |
компьютерное моделирование профилей дефектообразования при низкотемпературном облучении наноструктурной пленки nb ионами ti⁺ |
| publisher |
Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України |
| publishDate |
2018 |
| topic_facet |
Физика радиационных повреждений и явлений в твердых телах |
| url |
http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/147028 |
| citation_txt |
Компьютерное моделирование профилей дефектообразования при низкотемпературном облучении наноструктурной пленки Nb ионами Ti⁺ / В.И. Павленко, И.Г. Марченко // Вопросы атомной науки и техники. — 2018. — № 2. — С. 3-7. — Бібліогр.: 25 назв. — рос. |
| series |
Вопросы атомной науки и техники |
| work_keys_str_mv |
AT pavlenkovi kompʹûternoemodelirovanieprofilejdefektoobrazovaniâprinizkotemperaturnomoblučeniinanostrukturnojplenkinbionamiti AT marčenkoig kompʹûternoemodelirovanieprofilejdefektoobrazovaniâprinizkotemperaturnomoblučeniinanostrukturnojplenkinbionamiti |
| first_indexed |
2023-05-20T17:26:23Z |
| last_indexed |
2023-05-20T17:26:23Z |
| _version_ |
1796153296437641216 |