Структура димерних адсорбційних комплексів Ge на грані Si(001)
Методом ТФГ (B3LYP, 6-31G**) розрахована рівноважна просторова будова кластера Si₉₆H₈₄, який моделює фрагмент релаксованої поверхні Si(001)(4×2), а також адсорбційних комплексів атомів Ge і димера Ge₂ на грані Si(001). Визначені типи активних центрів грані Si(001)(4×2), на яких відбувається адсорбці...
Збережено в:
| Дата: | 2013 |
|---|---|
| Автори: | , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Ukrainian |
| Опубліковано: |
Інститут хімії поверхні ім. О.О. Чуйка НАН України
2013
|
| Назва видання: | Поверхность |
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/147871 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Структура димерних адсорбційних комплексів Ge на грані Si(001) / О.І. Ткачук, М.І. Теребінська, В.В. Лобанов // Поверхность. — 2013. — Вип. 5 (20). — С. 26-33. — Бібліогр.: 18 назв. — укр. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| id |
irk-123456789-147871 |
|---|---|
| record_format |
dspace |
| spelling |
irk-123456789-1478712019-02-17T01:25:25Z Структура димерних адсорбційних комплексів Ge на грані Si(001) Ткачук, О.І. Теребінська, М.І. Лобанов, В.В. Теорія хімічної будови і реакційної здатності поверхні Методом ТФГ (B3LYP, 6-31G**) розрахована рівноважна просторова будова кластера Si₉₆H₈₄, який моделює фрагмент релаксованої поверхні Si(001)(4×2), а також адсорбційних комплексів атомів Ge і димера Ge₂ на грані Si(001). Визначені типи активних центрів грані Si(001)(4×2), на яких відбувається адсорбція атомарного германію і димера Ge₂, а також енергії утворень відповідних поверхневих сполук. Методом ТФП (B3LYP, 6-31G**) рассчитано равновесное пространственное строение кластера Si₉₆H₈₄, воспроизводящего фрагмент релаксированной поверхности Si(001)(4×2), а также адсорбционных комплексов атомов Ge и димера Ge₂ на грани Si(001). Определены типы активных центров грани Si(001)(4×2), по которым происходит адсорбция атомарного германия и димера Ge₂, а также энергии образования поверхностных соединений. DFT method (B3LYP, 6-31G**) calculated equilibrium spatial cluster structure Si₉₆H₈₄, relaxed fragment reproducing the Si(001) (4×2), and adsorption complexes Ge atoms and dimer by Ge₂ face Si (001). Determination of types of active centers face Si(001) (4×2), in which there is a germanium atomic adsorption and dimer Ge₂ and the energy of formation of the corresponding complexes. 2013 Article Структура димерних адсорбційних комплексів Ge на грані Si(001) / О.І. Ткачук, М.І. Теребінська, В.В. Лобанов // Поверхность. — 2013. — Вип. 5 (20). — С. 26-33. — Бібліогр.: 18 назв. — укр. 2617-5975 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/147871 54118:544.72 uk Поверхность Інститут хімії поверхні ім. О.О. Чуйка НАН України |
| institution |
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| collection |
DSpace DC |
| language |
Ukrainian |
| topic |
Теорія хімічної будови і реакційної здатності поверхні Теорія хімічної будови і реакційної здатності поверхні |
| spellingShingle |
Теорія хімічної будови і реакційної здатності поверхні Теорія хімічної будови і реакційної здатності поверхні Ткачук, О.І. Теребінська, М.І. Лобанов, В.В. Структура димерних адсорбційних комплексів Ge на грані Si(001) Поверхность |
| description |
Методом ТФГ (B3LYP, 6-31G**) розрахована рівноважна просторова будова кластера Si₉₆H₈₄, який моделює фрагмент релаксованої поверхні Si(001)(4×2), а також адсорбційних комплексів атомів Ge і димера Ge₂ на грані Si(001). Визначені типи активних центрів грані Si(001)(4×2), на яких відбувається адсорбція атомарного германію і димера Ge₂, а також енергії утворень відповідних поверхневих сполук. |
| format |
Article |
| author |
Ткачук, О.І. Теребінська, М.І. Лобанов, В.В. |
| author_facet |
Ткачук, О.І. Теребінська, М.І. Лобанов, В.В. |
| author_sort |
Ткачук, О.І. |
| title |
Структура димерних адсорбційних комплексів Ge на грані Si(001) |
| title_short |
Структура димерних адсорбційних комплексів Ge на грані Si(001) |
| title_full |
Структура димерних адсорбційних комплексів Ge на грані Si(001) |
| title_fullStr |
Структура димерних адсорбційних комплексів Ge на грані Si(001) |
| title_full_unstemmed |
Структура димерних адсорбційних комплексів Ge на грані Si(001) |
| title_sort |
структура димерних адсорбційних комплексів ge на грані si(001) |
| publisher |
Інститут хімії поверхні ім. О.О. Чуйка НАН України |
| publishDate |
2013 |
| topic_facet |
Теорія хімічної будови і реакційної здатності поверхні |
| url |
http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/147871 |
| citation_txt |
Структура димерних адсорбційних комплексів Ge на грані Si(001) / О.І. Ткачук, М.І. Теребінська, В.В. Лобанов // Поверхность. — 2013. — Вип. 5 (20). — С. 26-33. — Бібліогр.: 18 назв. — укр. |
| series |
Поверхность |
| work_keys_str_mv |
AT tkačukoí strukturadimernihadsorbcíjnihkompleksívgenagranísi001 AT terebínsʹkamí strukturadimernihadsorbcíjnihkompleksívgenagranísi001 AT lobanovvv strukturadimernihadsorbcíjnihkompleksívgenagranísi001 |
| first_indexed |
2023-05-20T17:28:55Z |
| last_indexed |
2023-05-20T17:28:55Z |
| _version_ |
1796153392382345216 |