Триплет-синглетный переход при адсорбции молекулы О₂ на грани Si(111)

Триплет-синглетный переход при адсорбции молекулы О₂ на грани Si(111)

Расчеты оптимального пространственного строения (ТФП, B3LYP, 6-31 G**) адсорбционного комплекса молекулы кислорода на кластере, моделирующем грань Si(111), показали, что на расстояниях, превышающих 0,35 нм, ось молекулы перпендикулярна поверхности и молекула находится в триплетном состоянии. При мен...

Повний опис

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Дата:2015
Автори: Теребинская, М.И., Филоненко, О.В., Ткачук, О.И., Лобанов, В.В.
Формат: Стаття
Мова:Russian
Опубліковано: Інститут хімії поверхні ім. О.О. Чуйка НАН України 2015
Назва видання:Поверхность
Теми:
Теория химического строения и реакционной способности поверхности. Моделирование процессов на поверхности
Онлайн доступ:http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/148476
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:Триплет-синглетный переход при адсорбции молекулы О₂ на грани Si(111) / М.И. Теребинская, О.В. Филоненко, О.И. Ткачук, В.В. Лобанов // Поверхность. — 2015. — Вип. 7 (22). — С. 24-30. — Бібліогр.: 14 назв. — рос.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
id irk-123456789-148476
record_format dspace
spelling irk-123456789-1484762019-02-19T01:24:02Z Триплет-синглетный переход при адсорбции молекулы О₂ на грани Si(111) Теребинская, М.И. Филоненко, О.В. Ткачук, О.И. Лобанов, В.В. Теория химического строения и реакционной способности поверхности. Моделирование процессов на поверхности Расчеты оптимального пространственного строения (ТФП, B3LYP, 6-31 G**) адсорбционного комплекса молекулы кислорода на кластере, моделирующем грань Si(111), показали, что на расстояниях, превышающих 0,35 нм, ось молекулы перпендикулярна поверхности и молекула находится в триплетном состоянии. При меньших значениях этого расстояния происходит триплет-синглетный переход, что обеспечивает связывание молекулы О₂ поверхностью кремния. С использованием расчетных данных выполнена оценка вероятности триплет-синглетного перехода в адсорбционном комплексе. Calculations of optimal spatial structure (TFG, B3LYP, 6-31G **) adsorption complex molecules of oxygen on the cluster medeliruyuschem face of the Si (111), showed that at distances greater than 0.35 nm, the axis perpendicular to the surface of the molecule and a molecule of O₂ is in the triplet state. At lower values of this distance occurs singlet-triplet transition, which provides binding molecules of O₂ silicon surface. Using the calculated data performed otsenkaveroyatnosti triplet-singlet transitions in the adsorption complex. Розрахунки оптимального просторової будови (ТФГ, B3LYP, 6-31G **) адсорбційного комплексу молекули кисню на кластері, який моделює грань Si (111), показали, що на відстанях, які перевищують 0,35 нм, вісь молекули перпендикулярна поверхні і молекула О₂ знаходиться в триплетному стані. При менших значеннях цієї відстані відбувається триплет-синглетний перехід, що забезпечує зв'язування молекули О₂ поверхнею кремнію. З використанням розрахункових даних виконана оцінка ймовірності триплет-синглетного переходу в адсорбційному комплексі. 2015 Article Триплет-синглетный переход при адсорбции молекулы О₂ на грани Si(111) / М.И. Теребинская, О.В. Филоненко, О.И. Ткачук, В.В. Лобанов // Поверхность. — 2015. — Вип. 7 (22). — С. 24-30. — Бібліогр.: 14 назв. — рос. 2617-5975 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/148476 544.77.023.5:544.18 ru Поверхность Інститут хімії поверхні ім. О.О. Чуйка НАН України
institution Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
collection DSpace DC
language Russian
topic Теория химического строения и реакционной способности поверхности. Моделирование процессов на поверхности
Теория химического строения и реакционной способности поверхности. Моделирование процессов на поверхности
spellingShingle Теория химического строения и реакционной способности поверхности. Моделирование процессов на поверхности
Теория химического строения и реакционной способности поверхности. Моделирование процессов на поверхности
Теребинская, М.И.
Филоненко, О.В.
Ткачук, О.И.
Лобанов, В.В.
Триплет-синглетный переход при адсорбции молекулы О₂ на грани Si(111)
Поверхность
description Расчеты оптимального пространственного строения (ТФП, B3LYP, 6-31 G**) адсорбционного комплекса молекулы кислорода на кластере, моделирующем грань Si(111), показали, что на расстояниях, превышающих 0,35 нм, ось молекулы перпендикулярна поверхности и молекула находится в триплетном состоянии. При меньших значениях этого расстояния происходит триплет-синглетный переход, что обеспечивает связывание молекулы О₂ поверхностью кремния. С использованием расчетных данных выполнена оценка вероятности триплет-синглетного перехода в адсорбционном комплексе.
format Article
author Теребинская, М.И.
Филоненко, О.В.
Ткачук, О.И.
Лобанов, В.В.
author_facet Теребинская, М.И.
Филоненко, О.В.
Ткачук, О.И.
Лобанов, В.В.
author_sort Теребинская, М.И.
title Триплет-синглетный переход при адсорбции молекулы О₂ на грани Si(111)
title_short Триплет-синглетный переход при адсорбции молекулы О₂ на грани Si(111)
title_full Триплет-синглетный переход при адсорбции молекулы О₂ на грани Si(111)
title_fullStr Триплет-синглетный переход при адсорбции молекулы О₂ на грани Si(111)
title_full_unstemmed Триплет-синглетный переход при адсорбции молекулы О₂ на грани Si(111)
title_sort триплет-синглетный переход при адсорбции молекулы о₂ на грани si(111)
publisher Інститут хімії поверхні ім. О.О. Чуйка НАН України
publishDate 2015
topic_facet Теория химического строения и реакционной способности поверхности. Моделирование процессов на поверхности
url http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/148476
citation_txt Триплет-синглетный переход при адсорбции молекулы О₂ на грани Si(111) / М.И. Теребинская, О.В. Филоненко, О.И. Ткачук, В.В. Лобанов // Поверхность. — 2015. — Вип. 7 (22). — С. 24-30. — Бібліогр.: 14 назв. — рос.
series Поверхность
work_keys_str_mv AT terebinskaâmi tripletsingletnyjperehodpriadsorbciimolekulyo2nagranisi111
AT filonenkoov tripletsingletnyjperehodpriadsorbciimolekulyo2nagranisi111
AT tkačukoi tripletsingletnyjperehodpriadsorbciimolekulyo2nagranisi111
AT lobanovvv tripletsingletnyjperehodpriadsorbciimolekulyo2nagranisi111
first_indexed 2023-05-20T17:29:40Z
last_indexed 2023-05-20T17:29:40Z
_version_ 1796153419073847296

Схожі ресурси