Карти розподілу молекулярного електростатичного потенціалу в дефектній вуглецевій нанотрубці типу (8,0): квантовохімічне дослідження

Карти розподілу молекулярного електростатичного потенціалу в дефектній вуглецевій нанотрубці типу (8,0): квантовохімічне дослідження

Виходячи з хвильової функції, одержаної квантово-хімічними розрахунками властивостей вуглецевої нанотрубки типу (8,0) з дефектами вакансійного типу побудовано карти розподілу молекулярного електростатичного потенціалу (МЕСП) в площинах, що проходять через діаметр нанотрубки і перпендикулярно до норм...

Повний опис

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Дата:2015
Автори: Дацюк, А.М., Теребінська, М.І., Лобанов, В.В.
Формат: Стаття
Мова:Ukrainian
Опубліковано: Інститут хімії поверхні ім. О.О. Чуйка НАН України 2015
Назва видання:Поверхность
Теми:
Теория химического строения и реакционной способности поверхности. Моделирование процессов на поверхности
Онлайн доступ:http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/148484
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:Карти розподілу молекулярного електростатичного потенціалу в дефектній вуглецевій нанотрубці типу (8,0): квантовохімічне дослідження / А.М. Дацюк, М.І. Теребінська, В.В. Лобанов // Поверхность. — 2015. — Вип. 7 (22). — С. 71-76. — Бібліогр.: 15 назв. — укр.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
id irk-123456789-148484
record_format dspace
spelling irk-123456789-1484842019-02-19T01:25:23Z Карти розподілу молекулярного електростатичного потенціалу в дефектній вуглецевій нанотрубці типу (8,0): квантовохімічне дослідження Дацюк, А.М. Теребінська, М.І. Лобанов, В.В. Теория химического строения и реакционной способности поверхности. Моделирование процессов на поверхности Виходячи з хвильової функції, одержаної квантово-хімічними розрахунками властивостей вуглецевої нанотрубки типу (8,0) з дефектами вакансійного типу побудовано карти розподілу молекулярного електростатичного потенціалу (МЕСП) в площинах, що проходять через діаметр нанотрубки і перпендикулярно до нормалі проведеної через точковий дефект. Показано, що характер розподілу потенціалу є майже незмінний в усіх випадках розміщення вакансій: ззовні і всередині стінок вуглецевих нанотрубок наявні області від’ємних значень потенціалу, в той час як ділянки поблизу входу в нанотрубку характеризуються його позитивними значеннями. Розміщення дефектів поблизу порту вуглецевої нанотрубки (в першому гексагональному поясі) спричиняє значний (до 50%) ріст від’ємних значень МЕСП (від -20…-24 кДж/моль до -32…-34 кДж/моль) в середині ВНТ поблизу її порту. Такий вплив дефекту типу вакансії створює передумови для синтезу ВНТ з наперед заданими властивостями. Maps of the distribution of molecular electrostatic potential (MESP) in planes passing through the nanotube diameter and perpendicular to the normal drawn through the point defect were constructed based on the wave function, obtaining due to quantum-chemical calculations of properties carbon nanotube type (8.0) with defects of the vacancy type. It is shown that the distribution is nearly constant in all cases of placement vacancies: the outside and inside of walls of the carbon nanotubes are negative values, while the area near the entrance to the nanotube characterized by its positive values. Accommodation near port’s defects of carbon nanotubes (in the first hexagonal zone) causes considerable (50%) growth MESP negative values (-20 ... -24 kJ / mol to -32 ... -34 kJ / mol) in the middle of carbon nanotube nearby port. Such vacancy defects create conditions for the synthesis of carbon nanotubes with predetermined properties. Исходя из волновой функции, полученной квантово-химическими расчетами свойств углеродной нанотрубки типа (8,0) с дефектами вакансионного типа построены карты распределения молекулярного электростатического потенциала (МЭСП) в плоскостях, проходящих через диаметр нанотрубки и перпендикулярно к нормали проведенной через точечный дефект. Показано, что характер распределения потенциала почти неизменный во всех случаях размещения вакансий: снаружи и внутри стенок углеродных нанотрубок имеются области отрицательных значений потенциала, в то время как участки у входа в нанотрубку характеризуются его положительными значениями. Размещение дефектов вблизи порта углеродной нанотрубки (в первом гексагональной поясе) влечет значительный (до 50%) рост отрицательных значений МЭСП (от -20 ... -24 кДж/моль до -32 ... -34 кДж/моль) в середине УНТ вблизи ее порта. Такое влияние дефекта типа вакансии создает предпосылки для синтеза УНТ с заданными свойствами. 2015 Article Карти розподілу молекулярного електростатичного потенціалу в дефектній вуглецевій нанотрубці типу (8,0): квантовохімічне дослідження / А.М. Дацюк, М.І. Теребінська, В.В. Лобанов // Поверхность. — 2015. — Вип. 7 (22). — С. 71-76. — Бібліогр.: 15 назв. — укр. 2617-5975 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/148484 544.16:547.022.1 uk Поверхность Інститут хімії поверхні ім. О.О. Чуйка НАН України
institution Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
collection DSpace DC
language Ukrainian
topic Теория химического строения и реакционной способности поверхности. Моделирование процессов на поверхности
Теория химического строения и реакционной способности поверхности. Моделирование процессов на поверхности
spellingShingle Теория химического строения и реакционной способности поверхности. Моделирование процессов на поверхности
Теория химического строения и реакционной способности поверхности. Моделирование процессов на поверхности
Дацюк, А.М.
Теребінська, М.І.
Лобанов, В.В.
Карти розподілу молекулярного електростатичного потенціалу в дефектній вуглецевій нанотрубці типу (8,0): квантовохімічне дослідження
Поверхность
description Виходячи з хвильової функції, одержаної квантово-хімічними розрахунками властивостей вуглецевої нанотрубки типу (8,0) з дефектами вакансійного типу побудовано карти розподілу молекулярного електростатичного потенціалу (МЕСП) в площинах, що проходять через діаметр нанотрубки і перпендикулярно до нормалі проведеної через точковий дефект. Показано, що характер розподілу потенціалу є майже незмінний в усіх випадках розміщення вакансій: ззовні і всередині стінок вуглецевих нанотрубок наявні області від’ємних значень потенціалу, в той час як ділянки поблизу входу в нанотрубку характеризуються його позитивними значеннями. Розміщення дефектів поблизу порту вуглецевої нанотрубки (в першому гексагональному поясі) спричиняє значний (до 50%) ріст від’ємних значень МЕСП (від -20…-24 кДж/моль до -32…-34 кДж/моль) в середині ВНТ поблизу її порту. Такий вплив дефекту типу вакансії створює передумови для синтезу ВНТ з наперед заданими властивостями.
format Article
author Дацюк, А.М.
Теребінська, М.І.
Лобанов, В.В.
author_facet Дацюк, А.М.
Теребінська, М.І.
Лобанов, В.В.
author_sort Дацюк, А.М.
title Карти розподілу молекулярного електростатичного потенціалу в дефектній вуглецевій нанотрубці типу (8,0): квантовохімічне дослідження
title_short Карти розподілу молекулярного електростатичного потенціалу в дефектній вуглецевій нанотрубці типу (8,0): квантовохімічне дослідження
title_full Карти розподілу молекулярного електростатичного потенціалу в дефектній вуглецевій нанотрубці типу (8,0): квантовохімічне дослідження
title_fullStr Карти розподілу молекулярного електростатичного потенціалу в дефектній вуглецевій нанотрубці типу (8,0): квантовохімічне дослідження
title_full_unstemmed Карти розподілу молекулярного електростатичного потенціалу в дефектній вуглецевій нанотрубці типу (8,0): квантовохімічне дослідження
title_sort карти розподілу молекулярного електростатичного потенціалу в дефектній вуглецевій нанотрубці типу (8,0): квантовохімічне дослідження
publisher Інститут хімії поверхні ім. О.О. Чуйка НАН України
publishDate 2015
topic_facet Теория химического строения и реакционной способности поверхности. Моделирование процессов на поверхности
url http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/148484
citation_txt Карти розподілу молекулярного електростатичного потенціалу в дефектній вуглецевій нанотрубці типу (8,0): квантовохімічне дослідження / А.М. Дацюк, М.І. Теребінська, В.В. Лобанов // Поверхность. — 2015. — Вип. 7 (22). — С. 71-76. — Бібліогр.: 15 назв. — укр.
series Поверхность
work_keys_str_mv AT dacûkam kartirozpodílumolekulârnogoelektrostatičnogopotencíaluvdefektníjvuglecevíjnanotrubcítipu80kvantovohímíčnedoslídžennâ
AT terebínsʹkamí kartirozpodílumolekulârnogoelektrostatičnogopotencíaluvdefektníjvuglecevíjnanotrubcítipu80kvantovohímíčnedoslídžennâ
AT lobanovvv kartirozpodílumolekulârnogoelektrostatičnogopotencíaluvdefektníjvuglecevíjnanotrubcítipu80kvantovohímíčnedoslídžennâ
first_indexed 2023-05-20T17:29:41Z
last_indexed 2023-05-20T17:29:41Z
_version_ 1796153422578188288

Схожі ресурси