Поглинання та релаксація енергії лазерного випромінювання в речовині (огляд)

Детально розглядається кожен з етапів взаємодії лазерного випромінювання з поверхнею поглинаючого середовища. Спочатку аналізуються процеси, що відбуваються всередині як електронної, так і фононної підсистем, потім імпульсне лазерне збудження та релаксація електронної підсистеми. Вважається, що внут...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
Datum:2017
Hauptverfasser: Семчук, О.Ю., Гаврилюк, О.О.
Format: Artikel
Sprache:Ukrainian
Veröffentlicht: Інститут хімії поверхні ім. О.О. Чуйка НАН України 2017
Schriftenreihe:Поверхность
Schlagworte:
Online Zugang:http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/148648
Tags: Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Zitieren:Поглинання та релаксація енергії лазерного випромінювання в речовині (огляд) / О.Ю. Семчук, О.О. Гаврилюк // Поверхность. — 2017. — Вип. 9 (24). — С. 118-135. — Бібліогр.: 31 назв. — укр.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Beschreibung
Zusammenfassung:Детально розглядається кожен з етапів взаємодії лазерного випромінювання з поверхнею поглинаючого середовища. Спочатку аналізуються процеси, що відбуваються всередині як електронної, так і фононної підсистем, потім імпульсне лазерне збудження та релаксація електронної підсистеми. Вважається, що внутрішньозонна релаксація по енергії в електронній підсистемі в режимі високого рівня збудження відбувається за час порядку часу електрон-електронної релаксації τе-е. Внаслідок цього вся енергія лазерного імпульсу, що поглинається за час порядку τе-е , залишається всередині плазмонної підсистеми напівпровідника і термолізується. Розподіл електронів та дірок по енергіях залишається тепловим та характеризується однаковими значеннями температур електронів (Te) та дірок (Th ). При цьому Te = Th = Tc. Величина Tc залежить від концентрації nc і при nc=1021 см-³ може досягати значень порядку 10⁴К.