Влияние упругих деформаций на локальные токовые характеристики отдельных нанокластеров Ge на Si, исследованных методом проводящей атомно-силовой микроскопии

Влияние упругих деформаций на локальные токовые характеристики отдельных нанокластеров Ge на Si, исследованных методом проводящей атомно-силовой микроскопии

Методом проводящей атомно-силовой микроскопии (АСМ) исследованы локальные токовые характеристики эпитаксиальных систем с наноостровками Ge на Si(001). Аномальное распределение тока в квантовых точках Ge на Si(100) объясняется распределением упругих деформаций внутри самих нанокластеров Ge и, как сле...

Повний опис

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Дата:2012
Автор: Рубежанская, М.Ю.
Формат: Стаття
Мова:Russian
Опубліковано: Інститут хімії поверхні ім. О.О. Чуйка НАН України 2012
Назва видання:Поверхность
Теми:
Наноматериалы и нанотехнологии
Онлайн доступ:http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/148890
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:Влияние упругих деформаций на локальные токовые характеристики отдельных нанокластеров Ge на Si, исследованных методом проводящей атомно-силовой микроскопии / М.Ю. Рубежанская // Поверхность. — 2012. — Вип. 4 (19). — С. 193-202. — Бібліогр.: 19 назв. — рос.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
id irk-123456789-148890
record_format dspace
spelling irk-123456789-1488902019-02-20T01:25:16Z Влияние упругих деформаций на локальные токовые характеристики отдельных нанокластеров Ge на Si, исследованных методом проводящей атомно-силовой микроскопии Рубежанская, М.Ю. Наноматериалы и нанотехнологии Методом проводящей атомно-силовой микроскопии (АСМ) исследованы локальные токовые характеристики эпитаксиальных систем с наноостровками Ge на Si(001). Аномальное распределение тока в квантовых точках Ge на Si(100) объясняется распределением упругих деформаций внутри самих нанокластеров Ge и, как следствие, различной плотностью состояний в центре и на периферии нанокластеров. Показано, что при увеличении их размеров распределение тока становится однородным по всей площади нанокластеров, что связано с релаксацией упругих деформаций. Local current characteristics of epitaxial systems with Ge nanoislands on Si (001) were investigated using conducting atomic force microscopy (AFM). The distribution of local currents inside Ge quantum dots showed a good correspondence with the values of internal deformations that determine the maximal density of states by the nanoisland edges. The linear dependence of the current value to the power 3/2 on Ge nanoisland lateral size was revealed that corresponds to the calculated linear dependence of local density of states on the value of unit deformation inside Ge nanoisland made within the framework of classical theory of elasticity and continuous medium theory. Методом провідної атомно-силової мікроскопії (АСМ) досліджено локальні характеристики струму епітаксіальних систем з наноострівцями Ge на Si(001). Показано, що розподіл локальних струмів всередині квантових точок Ge на Si пов’язаний з величиною внутрішніх пружних деформацій, які визначають максимальну густину станів по контурах острівців. Виявлено лінійну залежність величини струму від латерального розміру в ступені 3/2 нанокластера германію, що відповідає розрахунку лінійної залежності локальної густини станів від величини питомої пружної деформації всередині нанокластера в рамках класичної теорії пружності та теорії суцільних середовищ. 2012 Article Влияние упругих деформаций на локальные токовые характеристики отдельных нанокластеров Ge на Si, исследованных методом проводящей атомно-силовой микроскопии / М.Ю. Рубежанская // Поверхность. — 2012. — Вип. 4 (19). — С. 193-202. — Бібліогр.: 19 назв. — рос. 2617-5975 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/148890 537.311.322 ru Поверхность Інститут хімії поверхні ім. О.О. Чуйка НАН України
institution Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
collection DSpace DC
language Russian
topic Наноматериалы и нанотехнологии
Наноматериалы и нанотехнологии
spellingShingle Наноматериалы и нанотехнологии
Наноматериалы и нанотехнологии
Рубежанская, М.Ю.
Влияние упругих деформаций на локальные токовые характеристики отдельных нанокластеров Ge на Si, исследованных методом проводящей атомно-силовой микроскопии
Поверхность
description Методом проводящей атомно-силовой микроскопии (АСМ) исследованы локальные токовые характеристики эпитаксиальных систем с наноостровками Ge на Si(001). Аномальное распределение тока в квантовых точках Ge на Si(100) объясняется распределением упругих деформаций внутри самих нанокластеров Ge и, как следствие, различной плотностью состояний в центре и на периферии нанокластеров. Показано, что при увеличении их размеров распределение тока становится однородным по всей площади нанокластеров, что связано с релаксацией упругих деформаций.
format Article
author Рубежанская, М.Ю.
author_facet Рубежанская, М.Ю.
author_sort Рубежанская, М.Ю.
title Влияние упругих деформаций на локальные токовые характеристики отдельных нанокластеров Ge на Si, исследованных методом проводящей атомно-силовой микроскопии
title_short Влияние упругих деформаций на локальные токовые характеристики отдельных нанокластеров Ge на Si, исследованных методом проводящей атомно-силовой микроскопии
title_full Влияние упругих деформаций на локальные токовые характеристики отдельных нанокластеров Ge на Si, исследованных методом проводящей атомно-силовой микроскопии
title_fullStr Влияние упругих деформаций на локальные токовые характеристики отдельных нанокластеров Ge на Si, исследованных методом проводящей атомно-силовой микроскопии
title_full_unstemmed Влияние упругих деформаций на локальные токовые характеристики отдельных нанокластеров Ge на Si, исследованных методом проводящей атомно-силовой микроскопии
title_sort влияние упругих деформаций на локальные токовые характеристики отдельных нанокластеров ge на si, исследованных методом проводящей атомно-силовой микроскопии
publisher Інститут хімії поверхні ім. О.О. Чуйка НАН України
publishDate 2012
topic_facet Наноматериалы и нанотехнологии
url http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/148890
citation_txt Влияние упругих деформаций на локальные токовые характеристики отдельных нанокластеров Ge на Si, исследованных методом проводящей атомно-силовой микроскопии / М.Ю. Рубежанская // Поверхность. — 2012. — Вип. 4 (19). — С. 193-202. — Бібліогр.: 19 назв. — рос.
series Поверхность
work_keys_str_mv AT rubežanskaâmû vliânieuprugihdeformacijnalokalʹnyetokovyeharakteristikiotdelʹnyhnanoklasterovgenasiissledovannyhmetodomprovodâŝejatomnosilovojmikroskopii
first_indexed 2023-05-20T17:31:45Z
last_indexed 2023-05-20T17:31:45Z
_version_ 1796153506555494400

Схожі ресурси