Влияние упругих деформаций на локальные токовые характеристики отдельных нанокластеров Ge на Si, исследованных методом проводящей атомно-силовой микроскопии

• Дата: 2012
• Автор: Рубежанская, М.Ю.
• Формат: Стаття
• Мова: Russian
• Опубліковано: Інститут хімії поверхні ім. О.О. Чуйка НАН України 2012
• Назва видання: Поверхность
• Теми: Наноматериалы и нанотехнологии
• Онлайн доступ: http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/148890
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Цитувати: Влияние упругих деформаций на локальные токовые характеристики отдельных нанокластеров Ge на Si, исследованных методом проводящей атомно-силовой микроскопии / М.Ю. Рубежанская // Поверхность. — 2012. — Вип. 4 (19). — С. 193-202. — Бібліогр.: 19 назв. — рос.

Методом проводящей атомно-силовой микроскопии (АСМ) исследованы локальные токовые характеристики эпитаксиальных систем с наноостровками Ge на Si(001). Аномальное распределение тока в квантовых точках Ge на Si(100) объясняется распределением упругих деформаций внутри самих нанокластеров Ge и, как сле...