Анизотропный характер дефектов и процессы возврата в сдвойникованных кристаллах YBa2Cu3O7-x, облученных электронами с энергией 0,5…2,5 МэВ

• Дата: 2010
• Автори: Петрусенко, Ю.Т., Бондаренко, А.В., Козыренко, А.М., Шкирида, С.М.
• Формат: Стаття
• Мова: Russian
• Опубліковано: Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України 2010
• Теми: Физика радиационных повреждений и явлений в твердых телах
• Онлайн доступ: http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/14982
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Цитувати: Анизотропный характер дефектов и процессы возврата в сдвойникованных кристаллах YBa2Cu3O7-x, облученных электронами с энергией 0,5…2,5 МэВ / Ю.Т. Петрусенко, А.В. Бондаренко, А.М. Козыренко, С.М. Шкирида // Вопросы атомной науки и техники. — 2010. — № 1. — С. 42-48. — Бібліогр.: 21 назв. — рос.

Представлены результаты измерений влияния низкотемпературного облучения электронами с энергией 0,5…2,5 МэВ на электросопротивление ρ и критическую температуру Тс монокристаллов YBa2Cu3O7-х, и исследованы процессы возврата этих характеристик при изотермическом отжиге в интервале температур 150…300 К. Показано, что при малых дозах облучения φ величина ρ линейно увеличивается, а величина Тс линейно уменьшается с увеличением φ. При больших дозах облучения наблюдается отклонение от линейной зависимости. Определена энергия активации отжига радиационных дефектов на двух стадиях отжига, которые реализуются в интервале температур 190…210 и 240…250 К. Обнаружена неидентичная зависимость сверхпроводящих переходов, измеренных стандартным 4-контактным методом и методом Монтгомери, которая объясняется формированием вблизи границ двойников тонкого слоя с повышенной критической температурой.