2025-02-23T07:08:38-05:00 DEBUG: VuFindSearch\Backend\Solr\Connector: Query fl=%2A&wt=json&json.nl=arrarr&q=id%3A%22irk-123456789-14982%22&qt=morelikethis&rows=5
2025-02-23T07:08:38-05:00 DEBUG: VuFindSearch\Backend\Solr\Connector: => GET http://localhost:8983/solr/biblio/select?fl=%2A&wt=json&json.nl=arrarr&q=id%3A%22irk-123456789-14982%22&qt=morelikethis&rows=5
2025-02-23T07:08:38-05:00 DEBUG: VuFindSearch\Backend\Solr\Connector: <= 200 OK
2025-02-23T07:08:38-05:00 DEBUG: Deserialized SOLR response
Анизотропный характер дефектов и процессы возврата в сдвойникованных кристаллах YBa2Cu3O7-x, облученных электронами с энергией 0,5…2,5 МэВ

Анизотропный характер дефектов и процессы возврата в сдвойникованных кристаллах YBa2Cu3O7-x, облученных электронами с энергией 0,5…2,5 МэВ

Представлены результаты измерений влияния низкотемпературного облучения электронами с энергией 0,5…2,5 МэВ на электросопротивление ρ и критическую температуру Тс монокристаллов YBa2Cu3O7-х, и исследованы процессы возврата этих характеристик при изотермическом отжиге в интервале температур 150…300 К....

Full description

Saved in:
Bibliographic Details
Main Authors: Петрусенко, Ю.Т., Бондаренко, А.В., Козыренко, А.М., Шкирида, С.М.
Format: Article
Language:Russian
Published: Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України 2010
Subjects:
Физика радиационных повреждений и явлений в твердых телах
Online Access:http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/14982
Tags: Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
Description
Summary:Представлены результаты измерений влияния низкотемпературного облучения электронами с энергией 0,5…2,5 МэВ на электросопротивление ρ и критическую температуру Тс монокристаллов YBa2Cu3O7-х, и исследованы процессы возврата этих характеристик при изотермическом отжиге в интервале температур 150…300 К. Показано, что при малых дозах облучения φ величина ρ линейно увеличивается, а величина Тс линейно уменьшается с увеличением φ. При больших дозах облучения наблюдается отклонение от линейной зависимости. Определена энергия активации отжига радиационных дефектов на двух стадиях отжига, которые реализуются в интервале температур 190…210 и 240…250 К. Обнаружена неидентичная зависимость сверхпроводящих переходов, измеренных стандартным 4-контактным методом и методом Монтгомери, которая объясняется формированием вблизи границ двойников тонкого слоя с повышенной критической температурой.

Similar Items