Анизотропный характер дефектов и процессы возврата в сдвойникованных кристаллах YBa2Cu3O7-x, облученных электронами с энергией 0,5…2,5 МэВ

Анизотропный характер дефектов и процессы возврата в сдвойникованных кристаллах YBa2Cu3O7-x, облученных электронами с энергией 0,5…2,5 МэВ

Представлены результаты измерений влияния низкотемпературного облучения электронами с энергией 0,5…2,5 МэВ на электросопротивление ρ и критическую температуру Тс монокристаллов YBa2Cu3O7-х, и исследованы процессы возврата этих характеристик при изотермическом отжиге в интервале температур 150…300 К....

Повний опис

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Дата:2010
Автори: Петрусенко, Ю.Т., Бондаренко, А.В., Козыренко, А.М., Шкирида, С.М.
Формат: Стаття
Мова:Russian
Опубліковано: Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України 2010
Теми:
Физика радиационных повреждений и явлений в твердых телах
Онлайн доступ:http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/14982
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:Анизотропный характер дефектов и процессы возврата в сдвойникованных кристаллах YBa2Cu3O7-x, облученных электронами с энергией 0,5…2,5 МэВ / Ю.Т. Петрусенко, А.В. Бондаренко, А.М. Козыренко, С.М. Шкирида // Вопросы атомной науки и техники. — 2010. — № 1. — С. 42-48. — Бібліогр.: 21 назв. — рос.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
id irk-123456789-14982
record_format dspace
spelling irk-123456789-149822011-01-03T12:02:53Z Анизотропный характер дефектов и процессы возврата в сдвойникованных кристаллах YBa2Cu3O7-x, облученных электронами с энергией 0,5…2,5 МэВ Петрусенко, Ю.Т. Бондаренко, А.В. Козыренко, А.М. Шкирида, С.М. Физика радиационных повреждений и явлений в твердых телах Представлены результаты измерений влияния низкотемпературного облучения электронами с энергией 0,5…2,5 МэВ на электросопротивление ρ и критическую температуру Тс монокристаллов YBa2Cu3O7-х, и исследованы процессы возврата этих характеристик при изотермическом отжиге в интервале температур 150…300 К. Показано, что при малых дозах облучения φ величина ρ линейно увеличивается, а величина Тс линейно уменьшается с увеличением φ. При больших дозах облучения наблюдается отклонение от линейной зависимости. Определена энергия активации отжига радиационных дефектов на двух стадиях отжига, которые реализуются в интервале температур 190…210 и 240…250 К. Обнаружена неидентичная зависимость сверхпроводящих переходов, измеренных стандартным 4-контактным методом и методом Монтгомери, которая объясняется формированием вблизи границ двойников тонкого слоя с повышенной критической температурой. Представлені результати вимірювань впливу низькотемпературного опромінення електронами з енергією 0,5…2,5 МеВ на електроопір ρ та критичну температуру Тс монокристалів YBa2Cu3O7-х, та досліджені процеси повернення цих характеристик при ізотермічному відпалі в інтервалі температур 150…300 К. Показано, що при малих дозах опромінення φ величина ρ лінійно зростає, а величина Тс лінійно зменшується зі збільшенням дози φ. При великих дозах опромінення спостерігається відхилення від лінійної залежності. Визначена енергія активації відпалу радіаційних дефектів на двох стадіях відпалу, що реалізуються в інтервалі температур 190…210 та 240…250 К. Виявлена неідентична залежність надпровідних переходів, виміряних стандартним 4-контактним методом та методом Монтгомері, яка інтерпретується формуванням поблизу меж двійників тонкого слою з підвищеною критичною температурою. The effect of the low-temperature irradiation with 0,5…2,5 MeV electrons on the electrical resistance and critical temperature of the YBa2Cu3O7-х single crystals, and recovery of these characteristics after isothermal anneal in the temperature region of 150…300 K were investigated. It was shown that the value of ρ linear increases whereas the value of Тс linear decreases with increased dose φ. At high irradiation doses deviation off the linear dependence is observed. It was determined that the value of activation energy for two stages of the defects anneal, which are realized for the temperature intervals 190…210 and 240…250 К. It was observed non-identical superconducting transitions measured by the standard four-probe and Montgomery’s methods, that is explained by formation nearby the twin boundaries of thin layers having increased critical temperature. 2010 Article Анизотропный характер дефектов и процессы возврата в сдвойникованных кристаллах YBa2Cu3O7-x, облученных электронами с энергией 0,5…2,5 МэВ / Ю.Т. Петрусенко, А.В. Бондаренко, А.М. Козыренко, С.М. Шкирида // Вопросы атомной науки и техники. — 2010. — № 1. — С. 42-48. — Бібліогр.: 21 назв. — рос. 1562-6016 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/14982 538.945 ru Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України
institution Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
collection DSpace DC
language Russian
topic Физика радиационных повреждений и явлений в твердых телах
Физика радиационных повреждений и явлений в твердых телах
spellingShingle Физика радиационных повреждений и явлений в твердых телах
Физика радиационных повреждений и явлений в твердых телах
Петрусенко, Ю.Т.
Бондаренко, А.В.
Козыренко, А.М.
Шкирида, С.М.
Анизотропный характер дефектов и процессы возврата в сдвойникованных кристаллах YBa2Cu3O7-x, облученных электронами с энергией 0,5…2,5 МэВ
description Представлены результаты измерений влияния низкотемпературного облучения электронами с энергией 0,5…2,5 МэВ на электросопротивление ρ и критическую температуру Тс монокристаллов YBa2Cu3O7-х, и исследованы процессы возврата этих характеристик при изотермическом отжиге в интервале температур 150…300 К. Показано, что при малых дозах облучения φ величина ρ линейно увеличивается, а величина Тс линейно уменьшается с увеличением φ. При больших дозах облучения наблюдается отклонение от линейной зависимости. Определена энергия активации отжига радиационных дефектов на двух стадиях отжига, которые реализуются в интервале температур 190…210 и 240…250 К. Обнаружена неидентичная зависимость сверхпроводящих переходов, измеренных стандартным 4-контактным методом и методом Монтгомери, которая объясняется формированием вблизи границ двойников тонкого слоя с повышенной критической температурой.
format Article
author Петрусенко, Ю.Т.
Бондаренко, А.В.
Козыренко, А.М.
Шкирида, С.М.
author_facet Петрусенко, Ю.Т.
Бондаренко, А.В.
Козыренко, А.М.
Шкирида, С.М.
author_sort Петрусенко, Ю.Т.
title Анизотропный характер дефектов и процессы возврата в сдвойникованных кристаллах YBa2Cu3O7-x, облученных электронами с энергией 0,5…2,5 МэВ
title_short Анизотропный характер дефектов и процессы возврата в сдвойникованных кристаллах YBa2Cu3O7-x, облученных электронами с энергией 0,5…2,5 МэВ
title_full Анизотропный характер дефектов и процессы возврата в сдвойникованных кристаллах YBa2Cu3O7-x, облученных электронами с энергией 0,5…2,5 МэВ
title_fullStr Анизотропный характер дефектов и процессы возврата в сдвойникованных кристаллах YBa2Cu3O7-x, облученных электронами с энергией 0,5…2,5 МэВ
title_full_unstemmed Анизотропный характер дефектов и процессы возврата в сдвойникованных кристаллах YBa2Cu3O7-x, облученных электронами с энергией 0,5…2,5 МэВ
title_sort анизотропный характер дефектов и процессы возврата в сдвойникованных кристаллах yba2cu3o7-x, облученных электронами с энергией 0,5…2,5 мэв
publisher Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України
publishDate 2010
topic_facet Физика радиационных повреждений и явлений в твердых телах
url http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/14982
citation_txt Анизотропный характер дефектов и процессы возврата в сдвойникованных кристаллах YBa2Cu3O7-x, облученных электронами с энергией 0,5…2,5 МэВ / Ю.Т. Петрусенко, А.В. Бондаренко, А.М. Козыренко, С.М. Шкирида // Вопросы атомной науки и техники. — 2010. — № 1. — С. 42-48. — Бібліогр.: 21 назв. — рос.
work_keys_str_mv AT petrusenkoût anizotropnyjharakterdefektoviprocessyvozvratavsdvojnikovannyhkristallahyba2cu3o7xoblučennyhélektronamisénergiej0525mév
AT bondarenkoav anizotropnyjharakterdefektoviprocessyvozvratavsdvojnikovannyhkristallahyba2cu3o7xoblučennyhélektronamisénergiej0525mév
AT kozyrenkoam anizotropnyjharakterdefektoviprocessyvozvratavsdvojnikovannyhkristallahyba2cu3o7xoblučennyhélektronamisénergiej0525mév
AT škiridasm anizotropnyjharakterdefektoviprocessyvozvratavsdvojnikovannyhkristallahyba2cu3o7xoblučennyhélektronamisénergiej0525mév
first_indexed 2023-10-18T16:54:19Z
last_indexed 2023-10-18T16:54:19Z
_version_ 1796140180725301248

Схожі ресурси