Радиационные энергетические потери релятивистских электронов и их вклад в генерацию дефектов при облучении кристаллов LiF
Рассчитаны потери энергии релятивистских электронов (250 МэВ) на тормозное излучение γ -квантов и определен энергетический спектр последних. Рассмотрены различные механизмы взаимодействия фотонов с ионной и электронной подсистемами LiF: фотоядерные реакции, рождение электрон-позитронных пар, комптон...
Збережено в:
| Дата: | 2010 |
|---|---|
| Автори: | , , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Russian |
| Опубліковано: |
Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України
2010
|
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/14984 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Радиационные энергетические потери релятивистских электронов и их вклад в генерацию дефектов при облучении кристаллов LiF / И.М. Неклюдов, А.К. Малик, А.А. Пархоменко, А.В. Рудницкий // Вопросы атомной науки и техники. — 2010. — № 1. — С. 56-59. — Бібліогр.: 9 назв. — рос. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| Резюме: | Рассчитаны потери энергии релятивистских электронов (250 МэВ) на тормозное излучение γ -квантов и определен энергетический спектр последних. Рассмотрены различные механизмы взаимодействия фотонов с ионной и электронной подсистемами LiF: фотоядерные реакции, рождение электрон-позитронных пар, комптон- и фотоэффекты. Учтен вклад каждого из них в генерацию радиационных нарушений. Сделан вывод, что основными процессами, приводящими к созданию дефектов в LiF, являются ионизационные. |
|---|