Управление падением напряжения кремниевого диода путем облучения электронами и термической обработки
Приведены результаты исследования вольт-амперных и емкостных характеристик кремниевой диод-ной р+—р—n—n+-структуры, облученной флюенсами быстрых электронов, до и после термической обработки. Показано, что после термической обработки уменьшаются как прямое падение напряжения, так и ток утечки, создав...
Збережено в:
Дата: | 2018 |
---|---|
Автори: | , , , , , |
Формат: | Стаття |
Мова: | Russian |
Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2018
|
Назва видання: | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
Теми: | |
Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/150276 |
Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
Цитувати: | Управление падением напряжения кремниевого диода путем облучения электронами и термической обработки / А.В. Каримов, А.З. Рахматов, О.А. Абдулхаев, У.Х. Арипова, А.Ю. Хидирназарова, Ш.М. Кулиев // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2018. — № 4. — С. 33-37. — Бібліогр.: 10 назв. — рос. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraineid |
irk-123456789-150276 |
---|---|
record_format |
dspace |
spelling |
irk-123456789-1502762019-04-04T01:25:35Z Управление падением напряжения кремниевого диода путем облучения электронами и термической обработки Каримов, А.В. Рахматов, А.З. Абдулхаев, О.А. Арипова, У.Х. Хидирназарова, А.Ю. Кулиев, Ш.М. СВЧ-техника Приведены результаты исследования вольт-амперных и емкостных характеристик кремниевой диод-ной р+—р—n—n+-структуры, облученной флюенсами быстрых электронов, до и после термической обработки. Показано, что после термической обработки уменьшаются как прямое падение напряжения, так и ток утечки, создавая условия для увеличения выдерживаемой импульсной мощности. Робота присвячена вивченню впливу радіаційного опромінення та подальшої термічної обробки на вольт-амперні та ємнісні характеристики високочастотних кремнієвих діодів. Досліджувалися діоди з р+—р—n—n+-структурою, виготовлені з пластин кремнію КЕФ-4 n-типу провідності вихідною товщиною 235 мкм. Радіаційну обробку проводили на лінійному прискорювачі електронів ЕЛУ-6. This paper is devoted to studying the effect of radiation exposure and subsequent heat treatment on the current-voltage and capacitance characteristics of high-frequency silicon diodes.The authors studied p+–p–n–n+ diodes made of n-type KEF-4 (КЭФ-4) silicon wafers with an initial thickness of 235 μm. Radiation processing was performed using an ELU-6 (ЭЛУ-6) linear electron accelerator. 2018 Article Управление падением напряжения кремниевого диода путем облучения электронами и термической обработки / А.В. Каримов, А.З. Рахматов, О.А. Абдулхаев, У.Х. Арипова, А.Ю. Хидирназарова, Ш.М. Кулиев // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2018. — № 4. — С. 33-37. — Бібліогр.: 10 назв. — рос. 2225-5818 DOI: 10.15222/TKEA2018.4.33 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/150276 621.315.592.2:546.681'19 ru Технология и конструирование в электронной аппаратуре Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
institution |
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
collection |
DSpace DC |
language |
Russian |
topic |
СВЧ-техника СВЧ-техника |
spellingShingle |
СВЧ-техника СВЧ-техника Каримов, А.В. Рахматов, А.З. Абдулхаев, О.А. Арипова, У.Х. Хидирназарова, А.Ю. Кулиев, Ш.М. Управление падением напряжения кремниевого диода путем облучения электронами и термической обработки Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
description |
Приведены результаты исследования вольт-амперных и емкостных характеристик кремниевой диод-ной р+—р—n—n+-структуры, облученной флюенсами быстрых электронов, до и после термической обработки. Показано, что после термической обработки уменьшаются как прямое падение напряжения, так и ток утечки, создавая условия для увеличения выдерживаемой импульсной мощности. |
format |
Article |
author |
Каримов, А.В. Рахматов, А.З. Абдулхаев, О.А. Арипова, У.Х. Хидирназарова, А.Ю. Кулиев, Ш.М. |
author_facet |
Каримов, А.В. Рахматов, А.З. Абдулхаев, О.А. Арипова, У.Х. Хидирназарова, А.Ю. Кулиев, Ш.М. |
author_sort |
Каримов, А.В. |
title |
Управление падением напряжения кремниевого диода путем облучения электронами и термической обработки |
title_short |
Управление падением напряжения кремниевого диода путем облучения электронами и термической обработки |
title_full |
Управление падением напряжения кремниевого диода путем облучения электронами и термической обработки |
title_fullStr |
Управление падением напряжения кремниевого диода путем облучения электронами и термической обработки |
title_full_unstemmed |
Управление падением напряжения кремниевого диода путем облучения электронами и термической обработки |
title_sort |
управление падением напряжения кремниевого диода путем облучения электронами и термической обработки |
publisher |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
publishDate |
2018 |
topic_facet |
СВЧ-техника |
url |
http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/150276 |
citation_txt |
Управление падением напряжения кремниевого диода путем облучения электронами и термической обработки / А.В. Каримов, А.З. Рахматов, О.А. Абдулхаев, У.Х. Арипова, А.Ю. Хидирназарова, Ш.М. Кулиев // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2018. — № 4. — С. 33-37. — Бібліогр.: 10 назв. — рос. |
series |
Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
work_keys_str_mv |
AT karimovav upravleniepadeniemnaprâženiâkremnievogodiodaputemoblučeniâélektronamiitermičeskojobrabotki AT rahmatovaz upravleniepadeniemnaprâženiâkremnievogodiodaputemoblučeniâélektronamiitermičeskojobrabotki AT abdulhaevoa upravleniepadeniemnaprâženiâkremnievogodiodaputemoblučeniâélektronamiitermičeskojobrabotki AT aripovauh upravleniepadeniemnaprâženiâkremnievogodiodaputemoblučeniâélektronamiitermičeskojobrabotki AT hidirnazarovaaû upravleniepadeniemnaprâženiâkremnievogodiodaputemoblučeniâélektronamiitermičeskojobrabotki AT kulievšm upravleniepadeniemnaprâženiâkremnievogodiodaputemoblučeniâélektronamiitermičeskojobrabotki |
first_indexed |
2023-05-20T17:35:03Z |
last_indexed |
2023-05-20T17:35:03Z |
_version_ |
1796153625823674368 |