Управление падением напряжения кремниевого диода путем облучения электронами и термической обработки

• Видавець: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
• Дата: 2018
• Автори: Каримов, А.В., Рахматов, А.З., Абдулхаев, О.А., Арипова, У.Х., Хидирназарова, А.Ю., Кулиев, Ш.М.
• Формат: Стаття
• Мова: Russian
• Опубліковано: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2018
• Назва видання: Технология и конструирование в электронной аппаратуре
• Теми: СВЧ-техника
• Онлайн доступ: http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/150276
• Цитувати: Управление падением напряжения кремниевого диода путем облучения электронами и термической обработки / А.В. Каримов, А.З. Рахматов, О.А. Абдулхаев, У.Х. Арипова, А.Ю. Хидирназарова, Ш.М. Кулиев // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2018. — № 4. — С. 33-37. — Бібліогр.: 10 назв. — рос.

Приведены результаты исследования вольт-амперных и емкостных характеристик кремниевой диод-ной р+—р—n—n+-структуры, облученной флюенсами быстрых электронов, до и после термической обработки. Показано, что после термической обработки уменьшаются как прямое падение напряжения, так и ток утечки, создав...