Исследование кристаллов Cu₂ZnSnSe₄ и гетеропереходов на их на основе
Представлены результаты исследований кинетических свойств кристаллов Cu₂ZnSnSe₄ Также исследованы электрические свойства и установлены доминирующие механизмы токопереноса при прямых и обратных смещениях анизотипных гетеропереходов n-TiO₂/p-Cu₂ZnSnSe₄ , изготовленных методом магнетронного осаждения т...
Збережено в:
| Дата: | 2018 |
|---|---|
| Автори: | , , , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Russian |
| Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2018
|
| Назва видання: | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/150287 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Исследование кристаллов Cu₂ZnSnSe₄ и гетеропереходов на их на основе / Т.Т. Ковалюк, Э.В. Майструк, М.Н. Солован, И.П. Козярский, П.Д. Марьянчук // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2018. — № 5-6. — С. 37-43. — Бібліогр.: 21 назв. — рос. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| id |
irk-123456789-150287 |
|---|---|
| record_format |
dspace |
| spelling |
irk-123456789-1502872019-04-04T01:25:43Z Исследование кристаллов Cu₂ZnSnSe₄ и гетеропереходов на их на основе Ковалюк, Т.Т. Майструк, Э.В. Солован, М.Н. Козярский, И.П. Марьянчук, П.Д. Материалы электроники Представлены результаты исследований кинетических свойств кристаллов Cu₂ZnSnSe₄ Также исследованы электрические свойства и установлены доминирующие механизмы токопереноса при прямых и обратных смещениях анизотипных гетеропереходов n-TiO₂/p-Cu₂ZnSnSe₄ , изготовленных методом магнетронного осаждения тонких пленок TiO₂ на подложки из кристаллов Cu₂ZnSnSe₄ . У даній роботі представлено результати досліджень кінетичних властивостей кристалів Cu₂ZnSnSe₄ створено анізотипні гетеропереходи n-TiO₂/p-Cu₂ZnSnSe₄, визначено їх основні електричні параметри та побудовано енергетичну діаграму. У даній роботі представлено результати досліджень кінетичних властивостей кристалів Cu₂ZnSnSe₄ створено анізотипні гетеропереходи n-TiO₂/p-Cu₂ZnSnSe₄, визначено їх основні електричні параметри та побудовано енергетичну діаграму. 2018 Article Исследование кристаллов Cu₂ZnSnSe₄ и гетеропереходов на их на основе / Т.Т. Ковалюк, Э.В. Майструк, М.Н. Солован, И.П. Козярский, П.Д. Марьянчук // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2018. — № 5-6. — С. 37-43. — Бібліогр.: 21 назв. — рос. 2225-5818 DOI: 10.15222/TKEA2018.5-6.37 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/150287 621.315.592 ru Технология и конструирование в электронной аппаратуре Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
| institution |
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| collection |
DSpace DC |
| language |
Russian |
| topic |
Материалы электроники Материалы электроники |
| spellingShingle |
Материалы электроники Материалы электроники Ковалюк, Т.Т. Майструк, Э.В. Солован, М.Н. Козярский, И.П. Марьянчук, П.Д. Исследование кристаллов Cu₂ZnSnSe₄ и гетеропереходов на их на основе Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| description |
Представлены результаты исследований кинетических свойств кристаллов Cu₂ZnSnSe₄ Также исследованы электрические свойства и установлены доминирующие механизмы токопереноса при прямых и обратных смещениях анизотипных гетеропереходов n-TiO₂/p-Cu₂ZnSnSe₄ , изготовленных методом магнетронного осаждения тонких пленок TiO₂ на подложки из кристаллов Cu₂ZnSnSe₄ . |
| format |
Article |
| author |
Ковалюк, Т.Т. Майструк, Э.В. Солован, М.Н. Козярский, И.П. Марьянчук, П.Д. |
| author_facet |
Ковалюк, Т.Т. Майструк, Э.В. Солован, М.Н. Козярский, И.П. Марьянчук, П.Д. |
| author_sort |
Ковалюк, Т.Т. |
| title |
Исследование кристаллов Cu₂ZnSnSe₄ и гетеропереходов на их на основе |
| title_short |
Исследование кристаллов Cu₂ZnSnSe₄ и гетеропереходов на их на основе |
| title_full |
Исследование кристаллов Cu₂ZnSnSe₄ и гетеропереходов на их на основе |
| title_fullStr |
Исследование кристаллов Cu₂ZnSnSe₄ и гетеропереходов на их на основе |
| title_full_unstemmed |
Исследование кристаллов Cu₂ZnSnSe₄ и гетеропереходов на их на основе |
| title_sort |
исследование кристаллов cu₂znsnse₄ и гетеропереходов на их на основе |
| publisher |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
| publishDate |
2018 |
| topic_facet |
Материалы электроники |
| url |
http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/150287 |
| citation_txt |
Исследование кристаллов Cu₂ZnSnSe₄ и гетеропереходов на их на основе / Т.Т. Ковалюк, Э.В. Майструк, М.Н. Солован, И.П. Козярский, П.Д. Марьянчук // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2018. — № 5-6. — С. 37-43. — Бібліогр.: 21 назв. — рос. |
| series |
Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| work_keys_str_mv |
AT kovalûktt issledovaniekristallovcu2znsnse4igeteroperehodovnaihnaosnove AT majstrukév issledovaniekristallovcu2znsnse4igeteroperehodovnaihnaosnove AT solovanmn issledovaniekristallovcu2znsnse4igeteroperehodovnaihnaosnove AT kozârskijip issledovaniekristallovcu2znsnse4igeteroperehodovnaihnaosnove AT marʹânčukpd issledovaniekristallovcu2znsnse4igeteroperehodovnaihnaosnove |
| first_indexed |
2023-05-20T17:35:04Z |
| last_indexed |
2023-05-20T17:35:04Z |
| _version_ |
1796153626986545152 |