Сквид-магнитометр для структуроскопии конструкционных материалов

Представлена конструкция магнитометра для ранней диагностики радиационных повреждений конструкционных материалов. Магнитометр представляет собой измеритель магнитной восприимчивости материалов на базе гелиевого криостата-экрана с использованием сверхпроводящего квантового интерференционного детектор...

Повний опис

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Дата:2010
Автори: Федорченко, А.В., Ляхно, В.Ю., Шнырков, В.И.
Формат: Стаття
Мова:Russian
Опубліковано: Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України 2010
Теми:
Онлайн доступ:http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/15670
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:Сквид-магнитометр для структуроскопии конструкционных материалов / А.В. Федорченко, В.Ю. Ляхно, В.И. Шнырков // Вопросы атомной науки и техники. — 2010. — № 1. — С. 150-156. — Бібліогр.: 8 назв. — рос.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Опис
Резюме:Представлена конструкция магнитометра для ранней диагностики радиационных повреждений конструкционных материалов. Магнитометр представляет собой измеритель магнитной восприимчивости материалов на базе гелиевого криостата-экрана с использованием сверхпроводящего квантового интерференционного детектора с высокочастотным возбуждением (ВЧ СКВИД). Проведен анализ особенностей подобных магнитометров, их характеристики и оценки предельно достижимых параметров в применяемых схемах. Описаны конструктивные особенности основных частей измерительного комплекса, методы оптимизации основных параметров, алгоритмы работы и калибровки. Исследованы источники помех при измерении магнитных свойств материалов в полях В = 3…4 Тл и приведены методы понижения внешних электромагнитных шумов с помощью специальной конструкции криостата-экрана. Приведены образцовые сигналы с измерителя и достигнутые параметры чувствительности к изменениям магнитного момента образца, стабилизации температуры образца и скорости испарения жидкого гелия.