Определение факторов радиационного воздействия ускоренных электронов и тормозного излучения на полупроводниковые материалы

• Дата: 2010
• Автор: Маслов, Н.И.
• Формат: Стаття
• Мова: Russian
• Опубліковано: Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України 2010
• Теми: Применение ускорителей
• Онлайн доступ: http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/15713
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Цитувати: Определение факторов радиационного воздействия ускоренных электронов и тормозного излучения на полупроводниковые материалы / Н.И. Маслов // Вопросы атомной науки и техники. — 2010. — № 2. — С. 168-172. — Бібліогр.: 12 назв. — рос.

Образование стабильных дефектов в облучаемых материалах зависит не только от концентрации первичных радиационных повреждений, но и от распределения их в объёме материала. Распределение первичных радиационных повреждений в объёме вещества определяется энергией первично выбитых атомов (ПВА). В зависимости от величины полученной энергии Т, первично выбитый атом может образовать либо изолированную пару Френкеля (устойчивую или неустойчивую), либо каскадную область смещений. В кремнии при развитии каскада смещений от ПВА с энергией ≥ 10 кэВ образуется крупное стабильное структурное нарушение, называемое область разупорядочения. Область разупорядочения оказывает существенное влияние на электрофизические параметры полупроводников. Приводятся результаты исследований воздействия на кремний электронов и фотонов в широком интервале энергий и метод определения доли повреждений, входящих в каскадные области смещений.