Определение факторов радиационного воздействия ускоренных электронов и тормозного излучения на полупроводниковые материалы
Образование стабильных дефектов в облучаемых материалах зависит не только от концентрации первичных радиационных повреждений, но и от распределения их в объёме материала. Распределение первичных радиационных повреждений в объёме вещества определяется энергией первично выбитых атомов (ПВА). В зависим...
Збережено в:
| Видавець: | Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України |
|---|---|
| Дата: | 2010 |
| Автор: | |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Russian |
| Опубліковано: |
Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України
2010
|
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/15713 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Цитувати: | Определение факторов радиационного воздействия ускоренных электронов и тормозного излучения на полупроводниковые материалы / Н.И. Маслов // Вопросы атомной науки и техники. — 2010. — № 2. — С. 168-172. — Бібліогр.: 12 назв. — рос. |
Репозиторії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of UkraineБудьте першим, хто залишить коментар!