Регулювання параметрів біполярних імпульсних струмів у навантаженні напівпровідникових електророзрядних установок із накопичувальним конденсатором
Запропоновано метод регулювання параметрів розрядних імпульсних струмів (зменшення їхньої тривалості та збільшення амплітуди й швидкості наростання) напівпровідникових електророзрядних установок зі зворотним зв'язком за напругою з метою інтенсифікації динамічного силового впливу на їхнє техноло...
Збережено в:
Видавець: | Інститут електродинаміки НАН України |
---|---|
Дата: | 2017 |
Автори: | , , , , |
Формат: | Стаття |
Мова: | Ukrainian |
Опубліковано: |
Інститут електродинаміки НАН України
2017
|
Назва видання: | Технічна електродинаміка |
Теми: | |
Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/158942 |
Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
Цитувати: | Регулювання параметрів біполярних імпульсних струмів у навантаженні напівпровідникових електророзрядних установок із накопичувальним конденсатором / Н.І. Супруновська, Ю.В. Перетятко, С.С. Розіскулов, В.В. Михайленко, В.І. Чибеліс, В.С. Олійник // Технічна електродинаміка. — 2017. — № 5. — С. 39-46. — Бібліогр.: 15 назв. — укр. |
Репозиторії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of UkraineРезюме: | Запропоновано метод регулювання параметрів розрядних імпульсних струмів (зменшення їхньої тривалості та збільшення амплітуди й швидкості наростання) напівпровідникових електророзрядних установок зі зворотним зв'язком за напругою з метою інтенсифікації динамічного силового впливу на їхнє технологічне навантаження. Метод базується на використанні двох пар зарядних і розрядних напівпровідникових (тиристорних) ключів, що дозволяють формувати у навантаженні біполярні імпульсні струми, та реалізації накладання процесів наступного заряду конденсатора на попередній його розряд шляхом змінення часу включення відповідних пар зарядних тиристорів. На основі проведеного аналізу взаємозв'язаних перехідних процесів у розгалуженому електричному колі змінної структури таких установок визначено залежності коефіцієнтів підвищення зарядної напруги та зарядного і розрядного струмів конденсатора від коефіцієнта перекриття його заряду і розряду при різних значеннях добротності зарядного кола. |
---|