Дефектно-примесный состав монокристаллов алмаза типа Ib кубического габитуса

• Дата: 2016
• Автори: Супрун, Е.М., Каленчук, В.А., Ивахненко, С.А., Куцай, А.М., Лысаковский, В.В., Заневский, О.А., Дуфу, В.
• Формат: Стаття
• Мова: Russian
• Опубліковано: Інститут надтвердих матеріалів ім. В.М. Бакуля НАН України 2016
• Назва видання: Сверхтвердые материалы
• Теми: Получение, структура, свойства
• Онлайн доступ: http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/160050
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Цитувати: Дефектно-примесный состав монокристаллов алмаза типа Ib кубического габитуса / Е.М. Супрун, В.А. Каленчук, С.А. Ивахненко, А.М. Куцай, В.В. Лысаковский, О.А. Заневский, В. Дуфу, В. Шенлинь // Сверхтвердые материалы. — 2016. — № 6. — С. 3-8. — Бібліогр.: 5 назв. — рос.

В условиях высоких давлений и температур выращены монокристаллы алмаза типа Ib размером до 5–6 мм и массой до 2,4 карат. С помощью инфракрасной и оптической микроскопии, а также метода избирательного травления исследованы дефектно-примесный состав и дислокационная структура таких кристаллов. Минимизация температуры выращивания позволила получать кристаллы типа Ib кубического габитуса, в которых находятся дефектные области в форме конуса с диаметром основания 0,2–1,8 мм и высотой 0,5–2,5 мм. Исследование конусообразных дефектных областей с применением избирательного травления показало, что ямки травления при выходе их на поверхность граней имеют тетрагональную форму, плотность дислокаций в них превышает в 70–100 раз плотность дислокаций в кристаллах, выращенных при обычных условиях. Наблюдаемые дефектные области образуются в процессе роста кристаллов алмаза при снижении температуры на ~ 30–35 °С на фронте кристаллизации из-за увеличения теплоотвода в направлении затравочного кристалла.