Особливості технології формування металічних контактів до дискретних ІЧ та ТГц приймачів випромінювання на основі епітаксійних шарів CdHgTe

Особливості технології формування металічних контактів до дискретних ІЧ та ТГц приймачів випромінювання на основі епітаксійних шарів CdHgTe

Наведено технологічні особливості формування двошарових металічних контактів до дискретних приймачів інфрачервоного та терагерцового діапазонів спектра, виготовлених на основі епітаксійних шарів CdHgTe, вирощених на підкладках CdZnTe методом рідкофазної епітаксії. Знайдено оптимальну комбінацію ме...

Повний опис

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Дата:2019
Автор: Цибрій, З.Ф.
Формат: Стаття
Мова:Ukrainian
Опубліковано: Видавничий дім "Академперіодика" НАН України 2019
Назва видання:Доповіді НАН України
Теми:
Фізика
Онлайн доступ:http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/160237
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:Особливості технології формування металічних контактів до дискретних ІЧ та ТГц приймачів випромінювання на основі епітаксійних шарів CdHgTe / З.Ф. Цибрій // Доповіді Національної академії наук України. — 2019. — № 9. — С. 34-40. — Бібліогр.: 10 назв. — укр.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
id irk-123456789-160237
record_format dspace
spelling irk-123456789-1602372019-10-29T01:25:15Z Особливості технології формування металічних контактів до дискретних ІЧ та ТГц приймачів випромінювання на основі епітаксійних шарів CdHgTe Цибрій, З.Ф. Фізика Наведено технологічні особливості формування двошарових металічних контактів до дискретних приймачів інфрачервоного та терагерцового діапазонів спектра, виготовлених на основі епітаксійних шарів CdHgTe, вирощених на підкладках CdZnTe методом рідкофазної епітаксії. Знайдено оптимальну комбінацію металів (адгезивний шар — струмопровідний шар), які створюють омічний контакт до p- та n-областей CdHgTe в процесі виготовлення дискретних детекторів за планарною технологією. Виміряні вольт-амперні характеристики контактів Mo—Au і Mo—In до епітаксійних шарів р-CdHgTe демонструють лінійний характер як при кімнатній температурі, так і при Т = 80 К. The technological features of the formation of two-layer metal contacts to discrete detectors for the infrared and terahertz spectral bands made on the basis of epitaxial layers of CdHgTe grown on CdZnTe substrates by the liquid phase epitaxy method are given. The optimal combination of metals (adhesive layer — conductive layer), which creates an ohmic contact to the p- and n-types of CdHgTe in the process of discrete detectors manufacturing by the planar technology is found. Measured current-voltage characteristics of the Mo—Au and Mo—In contacts to the epitaxial layers of p-CdHgTe show a linear behavior both at room temperature and at T = 80 K. Приведены технологические особенности формирования двуслойных металлических контактов к дискретным приемникам инфракрасного и терагерцового диапазонов спектра, изготовленных на основе эпитаксиальных слоев CdHgTe, выращенных на подложках CdZnTe методом жидкофазной эпитаксии. Найдено оптимальную комбинацию металлов (адгезивный слой — токопроводящий слой), которые создают омический контакт к p- и n-областям CdHgTe в процессе изготовления дискретных детекторов по планарной технологии. Измеренные вольт-амперные характеристики контактов Mo—Au и Mo—In к эпитаксиальным слоям р-CdHgTe демонстрируют линейный характер как при комнатной температуре, так и при Т = 80 К. 2019 Article Особливості технології формування металічних контактів до дискретних ІЧ та ТГц приймачів випромінювання на основі епітаксійних шарів CdHgTe / З.Ф. Цибрій // Доповіді Національної академії наук України. — 2019. — № 9. — С. 34-40. — Бібліогр.: 10 назв. — укр. 1025-6415 DOI: doi.org/10.15407/dopovidi2019.09.034 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/160237 621.384.3 uk Доповіді НАН України Видавничий дім "Академперіодика" НАН України
institution Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
collection DSpace DC
language Ukrainian
topic Фізика
Фізика
spellingShingle Фізика
Фізика
Цибрій, З.Ф.
Особливості технології формування металічних контактів до дискретних ІЧ та ТГц приймачів випромінювання на основі епітаксійних шарів CdHgTe
Доповіді НАН України
description Наведено технологічні особливості формування двошарових металічних контактів до дискретних приймачів інфрачервоного та терагерцового діапазонів спектра, виготовлених на основі епітаксійних шарів CdHgTe, вирощених на підкладках CdZnTe методом рідкофазної епітаксії. Знайдено оптимальну комбінацію металів (адгезивний шар — струмопровідний шар), які створюють омічний контакт до p- та n-областей CdHgTe в процесі виготовлення дискретних детекторів за планарною технологією. Виміряні вольт-амперні характеристики контактів Mo—Au і Mo—In до епітаксійних шарів р-CdHgTe демонструють лінійний характер як при кімнатній температурі, так і при Т = 80 К.
format Article
author Цибрій, З.Ф.
author_facet Цибрій, З.Ф.
author_sort Цибрій, З.Ф.
title Особливості технології формування металічних контактів до дискретних ІЧ та ТГц приймачів випромінювання на основі епітаксійних шарів CdHgTe
title_short Особливості технології формування металічних контактів до дискретних ІЧ та ТГц приймачів випромінювання на основі епітаксійних шарів CdHgTe
title_full Особливості технології формування металічних контактів до дискретних ІЧ та ТГц приймачів випромінювання на основі епітаксійних шарів CdHgTe
title_fullStr Особливості технології формування металічних контактів до дискретних ІЧ та ТГц приймачів випромінювання на основі епітаксійних шарів CdHgTe
title_full_unstemmed Особливості технології формування металічних контактів до дискретних ІЧ та ТГц приймачів випромінювання на основі епітаксійних шарів CdHgTe
title_sort особливості технології формування металічних контактів до дискретних іч та тгц приймачів випромінювання на основі епітаксійних шарів cdhgte
publisher Видавничий дім "Академперіодика" НАН України
publishDate 2019
topic_facet Фізика
url http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/160237
citation_txt Особливості технології формування металічних контактів до дискретних ІЧ та ТГц приймачів випромінювання на основі епітаксійних шарів CdHgTe / З.Ф. Цибрій // Доповіді Національної академії наук України. — 2019. — № 9. — С. 34-40. — Бібліогр.: 10 назв. — укр.
series Доповіді НАН України
work_keys_str_mv AT cibríjzf osoblivostítehnologííformuvannâmetalíčnihkontaktívdodiskretnihíčtatgcprijmačívvipromínûvannânaosnovíepítaksíjnihšarívcdhgte
first_indexed 2023-06-10T11:08:16Z
last_indexed 2023-06-10T11:08:16Z
_version_ 1796154563662708736

Схожі ресурси