Вплив хімічного складу на електрофізичні властивості твердих розчинів Ba1–xLnxТ1–x/4O3 (Ln — La, Nd)

У концентраційній області 0.05 ≤ x ≤ 0.07 встановлено існування твердих розчинів Ba1–xLnxTi1–x /4O3 (Ln = La, Nd), в яких часткове заміщення йонів барію йонами р.з.е. супроводжується утворенням структурних вакансій у підгратці титану. При цьому спостерігається зменшення об’єму елементарної комірки т...

Повний опис

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Дата:2008
Автори: Коваленко, Л.Л., Овчар, О.В., Білоус, А.Г.
Формат: Стаття
Мова:Ukrainian
Опубліковано: Інститут загальної та неорганічної хімії ім. В.І. Вернадського НАН України 2008
Теми:
Онлайн доступ:http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/16633
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:Вплив хімічного складу на електрофізичні властивості твердих розчинів Ba1–xLnxТ1–x/4O3 (Ln — La, Nd) / Л.Л. Коваленко, О.В. Овчар, А.Г. Білоус // Украинский химический журнал. — 2008. — Т. 74, № 11. — С. 28-31. — Бібліогр.: 11 назв. — укр.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Опис
Резюме:У концентраційній області 0.05 ≤ x ≤ 0.07 встановлено існування твердих розчинів Ba1–xLnxTi1–x /4O3 (Ln = La, Nd), в яких часткове заміщення йонів барію йонами р.з.е. супроводжується утворенням структурних вакансій у підгратці титану. При цьому спостерігається зменшення об’єму елементарної комірки та ступеня тетрагональності структури перовскіту. В області існування твердих розчинів Ba1–xLnxTi1–x/4O3 із збільшенням ступеня заміщення (x) спостерігається зниження температури фазового переходу та зростання максимальної величини діелектричної проникності (εmax). При 0.05 ≤ x ≤ 0.07 незалежно від йона р.з.е. перехід у спонтанно поляризований стан відбувається нижче кімнатної температури. При цьому синтезовані матеріали демонструють рекордно високу величину діелектричної проникності ε ≈ 12000—16000 (на частоті 1 МГц) та незначні діелектричні втрати — tgδ ≈ 2—4×10^–1.