Low temperature thermal conductivity of heavily boron-doped synthetic diamond: Influence of boron-related structure defects

Thermal conductivity of single-crystal boron-doped diamonds (BDD) with ~ 2∙10¹⁹ cm⁻³ (~ 120 ppm) and 5∙10¹⁹ cm⁻³ (~ 300 ppm) boron content was studied by a steady-state method in a temperature range of 20–400. K. The obtained data were analyzed within Callaway model framework. The values of dislocat...

Повний опис

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Видавець:Інститут надтвердих матеріалів ім. В.М. Бакуля НАН України
Дата:2019
Автори: Prikhodko, D., Tarelkin, S., Bormashov, V., Golovanov, A., Kuznetsov, M., Teteruk, D., Kornilov, N., Volkov, A., Buga, A.
Формат: Стаття
Мова:English
Опубліковано: Інститут надтвердих матеріалів ім. В.М. Бакуля НАН України 2019
Назва видання:Сверхтвердые материалы
Теми:
Онлайн доступ:http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/167288
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Цитувати:Low temperature thermal conductivity of heavily boron-doped synthetic diamond: Influence of boron-related structure defects / D. Prikhodko, S. Tarelkin, V. Bormashov, A. Golovanov, M. Kuznetsov, D. Teteruk, N. Kornilov, A. Volkov, A. Buga // Надтверді матеріали. — 2019. — № 1 (237). — С. 33-41. — Бібліогр.: 14 назв. — англ.

Репозиторії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
id irk-123456789-167288
record_format dspace
spelling irk-123456789-1672882020-03-24T01:25:22Z Low temperature thermal conductivity of heavily boron-doped synthetic diamond: Influence of boron-related structure defects Prikhodko, D. Tarelkin, S. Bormashov, V. Golovanov, A. Kuznetsov, M. Teteruk, D. Kornilov, N. Volkov, A. Buga, A. Одержання, структура, властивості Thermal conductivity of single-crystal boron-doped diamonds (BDD) with ~ 2∙10¹⁹ cm⁻³ (~ 120 ppm) and 5∙10¹⁹ cm⁻³ (~ 300 ppm) boron content was studied by a steady-state method in a temperature range of 20–400. K. The obtained data were analyzed within Callaway model framework. The values of dislocation density obtained from best fit of experimental data and from density of etch pits measuring were compared. Their discrepancy suggests presence of some other boron-related defects in crystal lattice. Теплопровідність монокристала, легованого бору (BDD) із вмістом бору ~ 2∙10¹⁹ cм⁻³ (~ 120 ppm) та 5∙10¹⁹ cм⁻³ (~ 300 ppm), було вивчено прийнятим методом в температурному діапазоні 20–400 К. Результати було проаналізовано в рамках моделі Каллавэй. Отримані значення щільності дислокацій добре узгоджуються з експериментальними даними і збігаються зі щільністю яскравих ямок травлення. Їх відмінність передбачає наявність деяких інших пов’язаних з бором дефектів в кристалічній решітці. Теплопроводность монокристалла, легированного бором (BDD) с содержанием бора ~ 2∙10¹⁹ cм⁻³ (~ 120 ppm) и 5∙10¹⁹ cм⁻³ (~ 300 ppm), была изучена принятым методом в температурном диапазоне 20–400 К. Полученные данные были проанализированы в рамках модели Каллавэй. Полученные значения плотности дислокаций хорошо согласовывались с экспериментальными данными и сравнивались с плотностью ямок травления. Их различие предполагает присутствие некоторых других связанных с бором дефектов в кристаллической решетке. 2019 Article Low temperature thermal conductivity of heavily boron-doped synthetic diamond: Influence of boron-related structure defects / D. Prikhodko, S. Tarelkin, V. Bormashov, A. Golovanov, M. Kuznetsov, D. Teteruk, N. Kornilov, A. Volkov, A. Buga // Надтверді матеріали. — 2019. — № 1 (237). — С. 33-41. — Бібліогр.: 14 назв. — англ. 0203-3119 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/167288 21.921.34:661.65:537.31 en Сверхтвердые материалы Інститут надтвердих матеріалів ім. В.М. Бакуля НАН України
institution Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
collection DSpace DC
language English
topic Одержання, структура, властивості
Одержання, структура, властивості
spellingShingle Одержання, структура, властивості
Одержання, структура, властивості
Prikhodko, D.
Tarelkin, S.
Bormashov, V.
Golovanov, A.
Kuznetsov, M.
Teteruk, D.
Kornilov, N.
Volkov, A.
Buga, A.
Low temperature thermal conductivity of heavily boron-doped synthetic diamond: Influence of boron-related structure defects
Сверхтвердые материалы
description Thermal conductivity of single-crystal boron-doped diamonds (BDD) with ~ 2∙10¹⁹ cm⁻³ (~ 120 ppm) and 5∙10¹⁹ cm⁻³ (~ 300 ppm) boron content was studied by a steady-state method in a temperature range of 20–400. K. The obtained data were analyzed within Callaway model framework. The values of dislocation density obtained from best fit of experimental data and from density of etch pits measuring were compared. Their discrepancy suggests presence of some other boron-related defects in crystal lattice.
format Article
author Prikhodko, D.
Tarelkin, S.
Bormashov, V.
Golovanov, A.
Kuznetsov, M.
Teteruk, D.
Kornilov, N.
Volkov, A.
Buga, A.
author_facet Prikhodko, D.
Tarelkin, S.
Bormashov, V.
Golovanov, A.
Kuznetsov, M.
Teteruk, D.
Kornilov, N.
Volkov, A.
Buga, A.
author_sort Prikhodko, D.
title Low temperature thermal conductivity of heavily boron-doped synthetic diamond: Influence of boron-related structure defects
title_short Low temperature thermal conductivity of heavily boron-doped synthetic diamond: Influence of boron-related structure defects
title_full Low temperature thermal conductivity of heavily boron-doped synthetic diamond: Influence of boron-related structure defects
title_fullStr Low temperature thermal conductivity of heavily boron-doped synthetic diamond: Influence of boron-related structure defects
title_full_unstemmed Low temperature thermal conductivity of heavily boron-doped synthetic diamond: Influence of boron-related structure defects
title_sort low temperature thermal conductivity of heavily boron-doped synthetic diamond: influence of boron-related structure defects
publisher Інститут надтвердих матеріалів ім. В.М. Бакуля НАН України
publishDate 2019
topic_facet Одержання, структура, властивості
url http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/167288
citation_txt Low temperature thermal conductivity of heavily boron-doped synthetic diamond: Influence of boron-related structure defects / D. Prikhodko, S. Tarelkin, V. Bormashov, A. Golovanov, M. Kuznetsov, D. Teteruk, N. Kornilov, A. Volkov, A. Buga // Надтверді матеріали. — 2019. — № 1 (237). — С. 33-41. — Бібліогр.: 14 назв. — англ.
series Сверхтвердые материалы
work_keys_str_mv AT prikhodkod lowtemperaturethermalconductivityofheavilyborondopedsyntheticdiamondinfluenceofboronrelatedstructuredefects
AT tarelkins lowtemperaturethermalconductivityofheavilyborondopedsyntheticdiamondinfluenceofboronrelatedstructuredefects
AT bormashovv lowtemperaturethermalconductivityofheavilyborondopedsyntheticdiamondinfluenceofboronrelatedstructuredefects
AT golovanova lowtemperaturethermalconductivityofheavilyborondopedsyntheticdiamondinfluenceofboronrelatedstructuredefects
AT kuznetsovm lowtemperaturethermalconductivityofheavilyborondopedsyntheticdiamondinfluenceofboronrelatedstructuredefects
AT teterukd lowtemperaturethermalconductivityofheavilyborondopedsyntheticdiamondinfluenceofboronrelatedstructuredefects
AT kornilovn lowtemperaturethermalconductivityofheavilyborondopedsyntheticdiamondinfluenceofboronrelatedstructuredefects
AT volkova lowtemperaturethermalconductivityofheavilyborondopedsyntheticdiamondinfluenceofboronrelatedstructuredefects
AT bugaa lowtemperaturethermalconductivityofheavilyborondopedsyntheticdiamondinfluenceofboronrelatedstructuredefects
first_indexed 2023-10-18T22:20:27Z
last_indexed 2023-10-18T22:20:27Z
_version_ 1796155260580921344