Low temperature thermal conductivity of heavily boron-doped synthetic diamond: Influence of boron-related structure defects

• Видавець: Інститут надтвердих матеріалів ім. В.М. Бакуля НАН України
• Дата: 2019
• Автори: Prikhodko, D., Tarelkin, S., Bormashov, V., Golovanov, A., Kuznetsov, M., Teteruk, D., Kornilov, N., Volkov, A., Buga, A.
• Формат: Стаття
• Мова: English
• Опубліковано: Інститут надтвердих матеріалів ім. В.М. Бакуля НАН України 2019
• Назва видання: Сверхтвердые материалы
• Теми: Одержання, структура, властивості
• Онлайн доступ: http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/167288
• Цитувати: Low temperature thermal conductivity of heavily boron-doped synthetic diamond: Influence of boron-related structure defects / D. Prikhodko, S. Tarelkin, V. Bormashov, A. Golovanov, M. Kuznetsov, D. Teteruk, N. Kornilov, A. Volkov, A. Buga // Надтверді матеріали. — 2019. — № 1 (237). — С. 33-41. — Бібліогр.: 14 назв. — англ.

Thermal conductivity of single-crystal boron-doped diamonds (BDD) with ~ 2∙10¹⁹ cm⁻³ (~ 120 ppm) and 5∙10¹⁹ cm⁻³ (~ 300 ppm) boron content was studied by a steady-state method in a temperature range of 20–400. K. The obtained data were analyzed within Callaway model framework. The values of dislocat...