Високотемпературні сенсори деформації на основі ниткоподібних кристалів фосфіду галію
Проведено дослідження тензометричних характеристик ниткоподібних кристалів фосфіду галію р-типу провідності, легованих цинком. На основі цих кристалів створено сенсори деформації, працездатні в інтервалі деформацій ±1,2·10⁻³ відн. од. і широкому діапазоні температур — від 20 до 550°С....
Збережено в:
| Дата: | 2019 |
|---|---|
| Автори: | , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Ukrainian |
| Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2019
|
| Назва видання: | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/167875 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Високотемпературні сенсори деформації на основі ниткоподібних кристалів фосфіду галію / А.О. Дружинін, І.Й. Мар’ямова, О.П. Кутраков // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2019. — № 3-4. — С. 26-30. — Бібліогр.: 7 назв. — укр. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| id |
irk-123456789-167875 |
|---|---|
| record_format |
dspace |
| spelling |
irk-123456789-1678752020-04-13T01:26:24Z Високотемпературні сенсори деформації на основі ниткоподібних кристалів фосфіду галію Дружинін, А.О. Мар’ямова, І.Й. Кутраков, О.П. Сенсоэлектроника Проведено дослідження тензометричних характеристик ниткоподібних кристалів фосфіду галію р-типу провідності, легованих цинком. На основі цих кристалів створено сенсори деформації, працездатні в інтервалі деформацій ±1,2·10⁻³ відн. од. і широкому діапазоні температур — від 20 до 550°С. Проведено исследование тензометрических характеристик нитевидных кристаллов фосфида галлия р-типа проводимости, легированных цинком. Па основе этих кристаллов созданы сенсоры деформации, работоспособные в интервале деформаций ±1,2-10⁻³ опт. ед. и широком диапазоне температур от 20 до 550°С. The paper presents a study of tensoresistive characteristics of p-type GaP whiskers with [111] crystallographic orientation coinciding with the direction of the maximal piezoresistive effect for this material. The authors present a newly-developed technology of creating the ohmic contacts to GaP crystals that allows using these crystals at high temperatures (400—600°C). Tensoresistive characteristics of p-type GaP whiskers were studied in the strain range of ±1,2·10⁻³ rel. un. These studies show that the gauge factor for these crystals at 20°C is rather large. Thus, for p-type GaP crystals with a resistivity of 0.025—0.03 Ω·cm, the gage factor is in the range of 90—95. 2019 Article Високотемпературні сенсори деформації на основі ниткоподібних кристалів фосфіду галію / А.О. Дружинін, І.Й. Мар’ямова, О.П. Кутраков // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2019. — № 3-4. — С. 26-30. — Бібліогр.: 7 назв. — укр. 2225-5818 DOI: 10.15222/TKEA2019.3-4.26 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/167875 625.315.592 uk Технология и конструирование в электронной аппаратуре Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
| institution |
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| collection |
DSpace DC |
| language |
Ukrainian |
| topic |
Сенсоэлектроника Сенсоэлектроника |
| spellingShingle |
Сенсоэлектроника Сенсоэлектроника Дружинін, А.О. Мар’ямова, І.Й. Кутраков, О.П. Високотемпературні сенсори деформації на основі ниткоподібних кристалів фосфіду галію Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| description |
Проведено дослідження тензометричних характеристик ниткоподібних кристалів фосфіду галію р-типу провідності, легованих цинком. На основі цих кристалів створено сенсори деформації, працездатні в інтервалі деформацій ±1,2·10⁻³ відн. од. і широкому діапазоні температур — від 20 до 550°С. |
| format |
Article |
| author |
Дружинін, А.О. Мар’ямова, І.Й. Кутраков, О.П. |
| author_facet |
Дружинін, А.О. Мар’ямова, І.Й. Кутраков, О.П. |
| author_sort |
Дружинін, А.О. |
| title |
Високотемпературні сенсори деформації на основі ниткоподібних кристалів фосфіду галію |
| title_short |
Високотемпературні сенсори деформації на основі ниткоподібних кристалів фосфіду галію |
| title_full |
Високотемпературні сенсори деформації на основі ниткоподібних кристалів фосфіду галію |
| title_fullStr |
Високотемпературні сенсори деформації на основі ниткоподібних кристалів фосфіду галію |
| title_full_unstemmed |
Високотемпературні сенсори деформації на основі ниткоподібних кристалів фосфіду галію |
| title_sort |
високотемпературні сенсори деформації на основі ниткоподібних кристалів фосфіду галію |
| publisher |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
| publishDate |
2019 |
| topic_facet |
Сенсоэлектроника |
| url |
http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/167875 |
| citation_txt |
Високотемпературні сенсори деформації на основі ниткоподібних кристалів фосфіду галію / А.О. Дружинін, І.Й. Мар’ямова, О.П. Кутраков // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2019. — № 3-4. — С. 26-30. — Бібліогр.: 7 назв. — укр. |
| series |
Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| work_keys_str_mv |
AT družinínao visokotemperaturnísensorideformacíínaosnovínitkopodíbnihkristalívfosfídugalíû AT marâmovaíj visokotemperaturnísensorideformacíínaosnovínitkopodíbnihkristalívfosfídugalíû AT kutrakovop visokotemperaturnísensorideformacíínaosnovínitkopodíbnihkristalívfosfídugalíû |
| first_indexed |
2023-10-18T22:21:44Z |
| last_indexed |
2023-10-18T22:21:44Z |
| _version_ |
1796155316049543168 |