Влияние примесей и структурных дефектов на электрофизические и детекторные свойства CdTe и CdZnTe

Влияние примесей и структурных дефектов на электрофизические и детекторные свойства CdTe и CdZnTe

С помощью компьютерного моделирования рассмотрено влияние легирующих и фоновых примесей, а также их скоплений на электрофизические и детекторные свойства Cd₁₋xZnxTe (0≤x≤0,3). Установлены примеси, снижающие эффективность сбора зарядов детекторов ионизирующих излучений на основе Cd₀,₉Zn₀,₁Te. Установ...

Повний опис

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Дата:2019
Автори: Кондрик, А.И., Ковтун, Г.П.
Формат: Стаття
Мова:Russian
Опубліковано: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2019
Назва видання:Технология и конструирование в электронной аппаратуре
Теми:
Материалы электроники
Онлайн доступ:http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/167886
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:Влияние примесей и структурных дефектов на электрофизические и детекторные свойства CdTe и CdZnTe / А.И. Кондрик, Г.П. Ковтун // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2019. — № 5-6. — С. 43-50. — Бібліогр.: 21 назв. — рос.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
id irk-123456789-167886
record_format dspace
spelling irk-123456789-1678862020-04-13T01:26:26Z Влияние примесей и структурных дефектов на электрофизические и детекторные свойства CdTe и CdZnTe Кондрик, А.И. Ковтун, Г.П. Материалы электроники С помощью компьютерного моделирования рассмотрено влияние легирующих и фоновых примесей, а также их скоплений на электрофизические и детекторные свойства Cd₁₋xZnxTe (0≤x≤0,3). Установлены примеси, снижающие эффективность сбора зарядов детекторов ионизирующих излучений на основе Cd₀,₉Zn₀,₁Te. Установлены условия получения материалов CdZnTe приемлемого детекторного качества. Твердотільні детектори іонізуючих випромінювань, виконані на основі високоомних напівпровідників, можуть використовуватись в сфері моніторингу безпеки ядерних реакторів. Такі високоомні матеріали, як CdTe і CdZnTe, мають дуже хороші електрофізичні і детекторні властивості. Метою даної роботи було визначення методом комп’ютерного моделювання характеру впливу домішок і структурних дефектів, а також їхніх кластерів на електрофізичні і детекторні властивості Cd₁₋xZnxTe (0≤x≤0,3). Solid-state ionizing radiation detectors based on high-resistance semiconductors can be used to monitor the safety of nuclear reactors. High-resistance CdTe and CdZnTe have very good electrophysical and detector properties. The objective of this study was to use computer simulation to determine how impurities and structural defects, as well as their clusters, affect electrophysical and detector properties of Cd₁₋xZnxTe (0≤x≤0.3). 2019 Article Влияние примесей и структурных дефектов на электрофизические и детекторные свойства CdTe и CdZnTe / А.И. Кондрик, Г.П. Ковтун // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2019. — № 5-6. — С. 43-50. — Бібліогр.: 21 назв. — рос. 2225-5818 DOI: 10.15222/TKEA2019.5-6.43 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/167886 621.315.592.3 ru Технология и конструирование в электронной аппаратуре Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
institution Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
collection DSpace DC
language Russian
topic Материалы электроники
Материалы электроники
spellingShingle Материалы электроники
Материалы электроники
Кондрик, А.И.
Ковтун, Г.П.
Влияние примесей и структурных дефектов на электрофизические и детекторные свойства CdTe и CdZnTe
Технология и конструирование в электронной аппаратуре
description С помощью компьютерного моделирования рассмотрено влияние легирующих и фоновых примесей, а также их скоплений на электрофизические и детекторные свойства Cd₁₋xZnxTe (0≤x≤0,3). Установлены примеси, снижающие эффективность сбора зарядов детекторов ионизирующих излучений на основе Cd₀,₉Zn₀,₁Te. Установлены условия получения материалов CdZnTe приемлемого детекторного качества.
format Article
author Кондрик, А.И.
Ковтун, Г.П.
author_facet Кондрик, А.И.
Ковтун, Г.П.
author_sort Кондрик, А.И.
title Влияние примесей и структурных дефектов на электрофизические и детекторные свойства CdTe и CdZnTe
title_short Влияние примесей и структурных дефектов на электрофизические и детекторные свойства CdTe и CdZnTe
title_full Влияние примесей и структурных дефектов на электрофизические и детекторные свойства CdTe и CdZnTe
title_fullStr Влияние примесей и структурных дефектов на электрофизические и детекторные свойства CdTe и CdZnTe
title_full_unstemmed Влияние примесей и структурных дефектов на электрофизические и детекторные свойства CdTe и CdZnTe
title_sort влияние примесей и структурных дефектов на электрофизические и детекторные свойства cdte и cdznte
publisher Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
publishDate 2019
topic_facet Материалы электроники
url http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/167886
citation_txt Влияние примесей и структурных дефектов на электрофизические и детекторные свойства CdTe и CdZnTe / А.И. Кондрик, Г.П. Ковтун // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2019. — № 5-6. — С. 43-50. — Бібліогр.: 21 назв. — рос.
series Технология и конструирование в электронной аппаратуре
work_keys_str_mv AT kondrikai vliânieprimesejistrukturnyhdefektovnaélektrofizičeskieidetektornyesvojstvacdteicdznte
AT kovtungp vliânieprimesejistrukturnyhdefektovnaélektrofizičeskieidetektornyesvojstvacdteicdznte
first_indexed 2023-10-18T22:21:45Z
last_indexed 2023-10-18T22:21:45Z
_version_ 1796155317222899712

Схожі ресурси