Релаксационные эффекты в окрестности индуцированных давлением фазовых переходов. Электропроводность галогенидов аммония

• Дата: 2004
• Автори: Тихомирова, Г.В., Бабушкин, А.Н.
• Формат: Стаття
• Мова: Russian
• Опубліковано: Донецький фізико-технічний інститут ім. О.О. Галкіна НАН України 2004
• Назва видання: Физика и техника высоких давлений
• Онлайн доступ: http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/168098
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Цитувати: Релаксационные эффекты в окрестности индуцированных давлением фазовых переходов. Электропроводность галогенидов аммония / Г.В. Тихомирова, А.Н. Бабушкин // Физика и техника высоких давлений. — 2004. — Т. 14, № 4. — С. 52-55. — Бібліогр.: 6 назв. — рос.

Исследованы зависимости от времени электропроводности образцов NH4X (X = F, Cl, Br), находящихся в проводящих состояниях. При давлениях, существенно превышающих давления перехода в проводящие состояния, сопротивление меняется во времени по экспоненциальному закону. Характерные времена релаксации сос...